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World File Search System光刻
可溶解模板纳米压印光刻
图 1. (a) DT-NIL 制造工艺示意图，显示 1) 在模板表面沉积 0.1 mL/cm 2 的丙烯酸树脂，2) 以 500 rpm 的速度旋涂丙烯酸树脂 60 秒（可选，参见支持信息 S.2），3) 在室温下干燥丙烯酸树脂，4) 从母版表面脱模模板，5) 得到可溶解的丙烯酸树脂模板。 (b) 原始（母版）Neotibicen pruinosus 蝉翅膀的照片，(c) 原始翅膀上纳米柱特征的相应扫描电子显微照片 (SEM)，使用原子力显微镜 (AFM) 测量，平均柱高 (hav g) = 332 ± 28 nm 和平均直径 (dav g) = 148 ± 8 nm。 20 (d) 从 (b) 中所示的原始翼母版压印的可溶解模板的照片，对应的 (e) SEM 显示用 AFM 测量的 h avg = 337 ± 32 nm 和 d avg = 146 ± 8 nm。 (f) 用 AFM 获得的原始翼上的纳米柱和在模板上创建的纳米孔的高度和 (g) 直径分布。
从底部构建图案：光刻的补充方法
几年前，DSA 被提议作为一种有前途的互补图案化选择。DSA 基于一类称为嵌段共聚物 (BCP) 的分子的自组装特性。在适当的情况下，这些材料在涂覆到晶圆上时会发生微相分离。这会产生具有 5-30 纳米特征的规则纳米尺寸图案。可以通过调整聚合物的成分及其尺寸来设计图案。可以使用线/空间或孔的预图案进一步引导（定向）该组装 - 这两种结构是半导体行业感兴趣的。最终图案的间距将比导向模板小得多。因此，DSA 是一种非传统的自下而上的技术，可以提高图案的密度和分辨率。
通过光刻工艺去除边缘珠
光学光刻技术包括将特定图案从光学掩模转移到沉积在基板上的感光聚合物（通常称为光刻胶）上（Levinson，2005；Mack，2007；Xiao，2012）。因此，第一个主要步骤是沉积均匀的薄膜。这是通过旋涂工艺实现的（Luurtsema，1997）。将少量材料倒入基板中心。然后高速旋转基板，通过离心力将涂层材料摊开。图 1 表示了该过程的示意图。然后，经过热烘烤工艺后，基板通过光学掩模暴露于紫外光源下，以将图案从掩模转移到光刻胶上。曝光会导致光刻胶发生化学变化，当样品浸入溶液深处（称为显影剂）时，可以去除曝光的光刻胶（正片光刻）或未曝光的光刻胶（负片光刻）。通过控制掩模版和光刻胶之间的距离来实现最大分辨率
薄膜光刻和图案化工艺
技术转让和工业接口部 (TTID)、PPG 空间应用中心 (SAC)、ISRO、Ambawadi Vistar、艾哈迈达巴德 - 380 015 电子邮箱：ttid@sac.isro.gov.in 传真：079-26915817 https://www.sac.gov.in/SAC_Industry_Portal
纳米压印光刻引导的自组装...
[a] 孟志强博士、姚思聪博士、朱宁博士、黄伟英教授 香港浸会大学化学系 中国香港九龙塘窝打老道 电子邮箱： wai-yeung.wong@polyu.edu.hk [b] 孟志强博士、俞志强教授 深圳大学化学与环境工程学院低维材料基因组计划 中国广东省深圳市学院路 电子邮箱： zqyu@szu.edu.cn [c] 黄伟英教授黄伟雄 香港理工大学 应用生物及化学科技学系 中国香港特别行政区 红磡 香港理工大学深圳研究院 中国深圳 518057 电子邮箱： wai-yeung.wong@polyu.edu.hk [d] I. Manners 教授 维多利亚大学 化学系 加拿大不列颠哥伦比亚省维多利亚市 V8P 5C2 [e] 李国刚博士 超精密加工技术国家重点实验室及工业及系统工程学系 中国香港特别行政区 红磡 [f] 梁智伟博士 应用物理学系 中国香港特别行政区 红磡 香港理工大学
追踪极紫外光刻技术的出现
仔细研究支持 EUV 开发的研究界对于当今的政策制定者和半导体行业尤其重要。EUV 研究始于 20 世纪 80 年代，当时美国半导体行业在双方政府的大力干预下试图抵御崛起的日本公司。与此同时，该行业认识到，新一代光刻光源对于制造未来的先进芯片以维持摩尔定律是必不可少的。今天也存在类似的情况，美国、欧洲和亚洲的政策制定者都在进行千载难逢的努力来保护和促进各自的半导体行业，而崛起的中国公司则试图挑战行业领导者。与此同时，整个半导体行业都认识到一场缓慢发展的生存危机：人工智能的快速发展必须由相应的计算能力的快速发展来维持。然而，摩尔定律的终结就在眼前，即使是 EUV 也无法拯救它。4
X-Photon 3D光刻通过FS振荡器：波长 - ...
激光直接写作采用多光子3D聚合化是一种科学和工业工具，用于各个领域，例如微观，医学，超材料，可编程材料等，由于高吞吐量和良好的特征融合到数百nm。技术适用性的某些局限性从照片牙质特性中出现，但是随着光激发条件的变化，任何物质修改都会强烈影响其可打印性。在这里，我们使用低峰功率激光振荡器提出了非波长的3D聚合。使用高脉冲重复率和快速激光直接写作，用于从SZ2080 TM照相抗体中推进添加剂制造，而无需任何照相机。波长为517 nm，780 nm和1035 nm的波长被证明适合于高达10 5 µm/s的写作速度，也适用于产生300 nm聚合的特征。杂交材料中有机无机比率的变化会导致动态制造窗口的变化和减少，但并没有禁止光结构。由于局部加热实现有效的3D打印，因此可以实现每个焦点的控制能量沉积。这种空间选择性的光化交叉链接扩大了非光敏感材料的光学制造能力。
无光刻的高密度Mote2纳米替宾阵列
茎特征：茎样品是通过直接转移方法制备的。首先，将TEM网格（Quantifoil Cu网格）直接放在带有MOTE 2丝带的SIO 2基板上。然后将液压（3μL）的KOH溶液（25％）滴在TEM网格的边缘，并扩散到该网格的底面，以蚀刻SIO 2层。之后，将带有TEM网格的SIO 2基材滴入DI水中以去除KOH残留物。最后，将TEM网格用镊子夹住，并放在滤纸上干燥。茎图像是在配备了高级茎校正器（ASCOR）探针校正器的一个像差校正的JEOL ARM-200F上进行的，该探针校正器以80 kV的加速电压运行。
L2O-ILT：学习优化逆向光刻技术
一、引言 随着技术节点的不断缩小，邻近效应和光学衍射变得不可忽略，严重影响集成电路的成品率。分辨率增强技术（RET）是为了减少光刻过程中的印刷误差而开发的。光学邻近校正（OPC）是广泛使用的RET之一，通过校正掩模版图案形状和插入辅助特征来补偿光刻邻近效应。典型的OPC方法包括基于模型的方法[1]、[2]、[3]和基于逆光刻技术（ILT）的方法[4]、[5]、[6]、[7]、[8]、[9]。对于基于模型的 OPC，首先将掩模中的多边形边缘划分为段，然后在光刻模拟模型的指导下移动这些边缘。基于 ILT 的方法将掩模表示为逐像素函数 [4] 、 [5] 、 [6] 、 [7] 、 [10] 或水平集函数 [8] 、 [9] 、 [11] 、 [12] 。然后，将 OPC 过程建模为逆问题，可以通过优化