图3:(a)在2。CVO-QRAM算法从CIPSI迭代以及从基态截断(TGS)中得出的状态产生的状态。使用Qeb-和Qeb-和Qubit-pool近似于基态。(b)在相同目标的迭代上,重叠 - adapt-vqe ansatz的保真度。
摘要:森林在现代时代面临各种威胁。农林业系统,无论是传统还是引入的,都具有提供可持续资源并打击全球气候变化影响的巨大能力。土著农林业和森林土地使用系统是生物多样性保护和生态系统服务的重要储层,为农村社区的生计安全提供了潜在的贡献。这项研究旨在通过铺设样品图,该样品图的大小为20×20 m 2。在森林土地使用系统中,最大重要性值指数(IVI)包括Dalbergia Sissoo(71.10)(71.10),Pyrus Pashia(76.78)(76.78)和Pinus Roxburghii(79.69)(79.69)的上,中间和下层分别为AgroforeStration,而在agroforeStry的高度上,agroforeStry for AgroforeStry Sermist for AgroforeStry Sermist for AgroforeSord for AgroforeStry Symand for AgroforeSrib for f.在上部,而对于格鲁维亚·奥特瓦(Grewia optiva)来说,中间为53.82,下高度为59.33。The below-ground biomass density (AGBD) was recorded as 1023.48 t ha − 1 (lower), 242.92 t ha − 1 (middle), and 1099.35 t ha − 1 (upper), while in the agroforestry land-use system, the AGBD was 353.48 t ha − 1 (lower), 404.32 t ha − 1 (middle), and 373.23 t ha -1(上)。在森林土地使用系统中,记录的总碳密度(TCD)值分别为630.57、167.32和784.00 t ha-1,在农业中,中间和上高度分别为农业土地使用系统中的227.46、343.23和252.47。土壤有机碳(SOC)库存记录的45.32、58.92和51.13 mg c h - 1玛格莱夫农林业和森林的指数值分别为2.39至2.85和1.12至1.30。
动力学“冻结”亚稳态纳米结构的合成仍然难以实现。这一限制严重限制了材料发现的当前范式。我们通过对异常氧化和亚稳态非晶态氧化铝 (a-AlO x ; 2.5
摘要:目前,全世界的医疗植物和功能性食品的消费量正在增长。fireweed(Chamerion angustifolium(L。)Holub)是一种重要的药用植物,具有各种药理作用(抗氧化剂,抗炎,抗癌,抗癌者等),可以证明健康状况和健康状况并降低各种疾病的风险。这项工作的目的是研究多酚(类黄酮,酚酸和单宁)和防火叶中的抗氧化剂,在有氧和厌氧条件下在固相发酵中发酵24、48和72 h。用于多酚的高性能液相色谱(HPLC)和分光光度法基于稳定的有色自由基(ABTS•+)的淬灭,用于抗氧化活性测定。结果表明,总poly-
高纯度的合成 DNA 序列对于开发和实施用于反义或 RNA 干扰疗法的安全有效的核酸药物至关重要。污染合成核酸序列的最主要杂质包括部分 5'- O 保护和/或 5'- O 未加帽的 DNA 序列,这些杂质导致在固相制造这些生物分子期间产生比全长序列更短的序列。1 已经开发并实施了一种固相纯化工艺,以近乎定量地消除污染合成 DNA 序列的比全长序列更短的 DNA 序列。2-4 具有末端酮功能的 5 '-硅氧基醚接头被转化为亚磷酰胺衍生物,用于任何 DNA 序列固相组装的最后偶联步骤。接头的酮功能允许通过形成肟功能将感兴趣的 DNA 序列锚定到氨基氧基官能化的硅胶载体上。本文报道了一种基于使用 1,4-脱水-D-核糖醇作为起始材料的策略,该策略能够:(i) 将其与合成 DNA 序列的 5'-羟基结合,以及 (ii) 将新形成的结合物从固相合成载体释放后固定在捕获固体载体上。必须将 DNA 序列结合物化学选择性固定在这种固体载体上,以便通过洗去捕获载体,丢弃在固相合成过程中固有形成的未结合的短于全长的 DNA 序列,这些序列与所需的 DNA 序列结合物一起从合成载体上释放。1,4-脱水-D-核糖醇实体还被设计为能够释放捕获的 DNA 序列,作为 5'-未磷酸化的 DNA 序列,大概是通过末端乙基磷酸三酯功能的分子内酯交换实现的。
摘要:为研究 Ni 与 GaAs 衬底之间的固相反应,利用磁控溅射技术在 GaAs 衬底上生长不同厚度的 Ni 薄膜,并进行原位 X 射线衍射 (XRD) 退火。利用原位和非原位 XRD、极图和原子探针层析成像 (APT) 研究了厚度对金属间化合物形成的影响。结果表明,20 nm 厚的 Ni 薄膜与 GaAs 衬底呈现外延关系,沉积后为 (001) Ni//(001) GaAs 和 [111] Ni//[110] GaAs。增加薄膜厚度会导致 Ni 薄膜织构的变化。这种差异对 Ni 3 GaAs 的形成温度有影响。该温度随着厚度的增加而降低。这是由于初始 Ni/GaAs 界面的相干/非相干性质所致。Ni 3 GaAs 相在约 400 ◦ C 时分解为二元和三元化合物 xNiAs 和 Ni 3 − x GaAs 1 − x。与 Ni 3 GaAs 类似,第二相的分解温度也取决于 Ni 层的初始厚度。
在 IV 族单硫族化物中,层状 GeSe 因其各向异性、1.3 eV 直接带隙、铁电性、高迁移率和出色的环境稳定性而备受关注。电子、光电子和光伏应用依赖于合成方法的开发,这些方法可以产生大量具有可控尺寸和厚度的晶体薄片。在这里,我们展示了在低热预算下,在不同基底上通过金催化剂通过气相-液相-固相工艺生长单晶 GeSe 纳米带。纳米带结晶为层状结构,带轴沿着范德华层的扶手椅方向。纳米带的形态由催化剂驱动的快速纵向生长决定,同时通过边缘特定结合到基面而进行横向扩展。这种组合生长机制能够实现温度控制的纳米带,其典型宽度高达 30 μm,长度超过 100 μm,同时保持厚度低于 50 nm。单个 GeSe 纳米带的纳米级阴极发光光谱表明,在室温下具有强烈的温度依赖性带边发射,其基本带隙和温度系数分别为 E g (0) = 1.29 eV 和 α = 3.0×10 -4 eV/K,证明了高质量 GeSe 和低浓度的非辐射复合中心,有望用于包括光发射器、光电探测器和太阳能电池在内的光电应用。