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World File Search System层厚度
3D印刷聚酰胺对温度的层厚度的影响
聚酰胺是3D打印中的材料之一，可以生产有价值的产品以满足行业的需求。先前的研究证明，3D印刷材料的层厚度以及温度的升高会影响机械和物理特性。但是，只有少数研究涉及聚酰胺材料作为测试材料，尤其是在分析印刷材料层厚度的影响以及温度对聚酰胺机械和物理性能的升高时。因此，将在室温下，在不同温度下，75°C和110°C下在0.1 mm，0.2 mm和0.3 mm处具有不同层厚度的聚酰胺的弯曲特性。本研究将使用融合沉积建模（FDM）过程在三个不同的高度上打印的聚酰胺（PA）材料。在不同温度从27°C到110°C的不同温度下进行弯曲和拉伸测试。研究结果表明，0.3 mM的层高度以11.05 MPa的平均速率表现出最高的弯曲强度，而0.1 mm（6.7 MPa）和0.2 mm（9.6 MPa）表现出最高的弯曲强度。与75°C（1.6mpa）和27°C（2.1MPA）的温度相比，温度升高时的拉伸强度会降低，使温度为110°C最低拉伸值（1.591 MPa）。已经进行了几种材料特征，例如SEM，TGA，DMA，DSC和密度，以研究拉伸测试温度对聚酰胺机械性能的微观结构和影响。
开发了氮化铝和Cu – P – Sn – Ni合金之间的界面微观结构，用于不同的初始钛层厚度
与5μm厚的Ti层之间的650°C和950°C之间的键合1小时如图6。在BSE图像中显示的ALN层中的灰色区域。6（b）和6（d）是yttria。NBD模式是从相应TEM图像中以黄色圆圈的区域获取的。可以看出，随着加热温度从650°C上升到750°C，由于Cu – Ti IMC层的生长，残留的Ti层消失了。另外，可以看出，Cu – Ti IMC的层消失，并且在850°C或更高的ALN界面处形成一个明显的界面反应层。这些界面反应层的厚度，从图。6，在850°C下为≈0.5μm，在950°C下为≈1μm，
使用Silvaco-Tcade调整层厚度
这项研究使用Silvaco-Atlas软件背对背设计和模拟了CIGS/CIGS。我们认为CIGS吸收层厚度和子细胞是关键参数，以优化CIGS/CIGS串联太阳能电池的性能。该研究比较研究了不同电极金属的影响，例如钼，铝，钛和银对效率。最佳CIGS/CIGS串联太阳能电池配置的电参数为15.65 mA/cm²的短路电流密度（JSC），开路电压（VOC）为1.86 V，填充因子（FF），86.04％的填充因子（FF），为86.04％，转化效率（η）为27.112％。与获得最大转化效率相对应的顶部和底部细胞的最佳吸收层厚度分别为0.17和6.3μm。相反，CDS层的最佳厚度为0.04 µm。银在几种金属之间连接层方面的性能最佳。结果可用于开发低成本和高效率太阳能电池。
不同疾病的皮层下脑容量、区域皮层厚度和皮层表面积：ENIGMA ADHD、ASD 和 OCD 工作研究的发现
Boedhoe，PSW，Van Rooij，D.，Hoogman，M.，Twisk，JWR，Schmaal，L.，Abe，Y.，Alonso，P.，Ameis，SH，Anikin，A. S.，Baur-streubel，R.，Behrmann，M.，Bellgrove，MA，Benedetti，F.，Beucke，J.C.，Biederman，J.，Bollettini，I.，Bose，A.，Bralten，J.，Bralten，J.，Bramati，Bramati ，FX，Cercignani，M.，Chaim-Avancini，T.M.，Chantiluke，K.C。，Cheng，Y. D.，Deruelle，C.，Di Martino，A.，Dinstein，I.，Doyle，A.E.，Durston，S.，Earl，E.A. 。
使用反射光谱估算WSE2层厚度，并基于波长与石墨烯进行比较
摘要：这项研究的目的是使用反射率光谱计算WSE 2层厚度，并使用Nemess 2D材料反射光谱使用NanoHub.org进行与石墨烯进行比较，该研究的数据被收集了。根据ClinicalCalc.com，将样品分为WSE2层的（n = 20），石墨烯层（n = 20）。在保持以下值的同时计算了总样本量：alpha误差阈值= 0.05，入学率= 0.1，95％置信区间= 80％，而G-power = 80％。使用SPSS软件通过独立样本测试进行比较。与石墨烯层（2.0669）相比，WSE 2层和石墨烯层的厚度具有统计学上的显着差异。WSE2层（3.4717）显示出更好的结果。与石墨烯层相比，WSE 2层具有更大的厚度。
锡镀层厚度对表面贴装技术用电子引线连接器润湿性、可焊性和电连接的影响
摘要 焊料的润湿性对于实现电子元件和印刷电路板 (PCB) 之间的良好可焊性非常重要。锡 (Sn) 镀层被广泛用于促进焊料在基板上的润湿性。然而，必须考虑足够的锡镀层厚度才能获得良好的润湿性和可焊性。因此，本研究调查了电子引线连接器的锡镀层厚度及其对润湿性和电连接的影响。在电子引线连接器表面应用了两种类型的锡镀层厚度，~3 μm 和 5 μm。研究发现，~3 μm 的薄锡镀层厚度会导致电连接失败，并且焊点润湿性和可焊性不足。5 μm 的较厚锡镀层厚度表现出更好的润湿性和可焊性。此外，电连接也通过了，这意味着较厚的锡镀层厚度提供了良好的焊点建立，从而带来了良好的电连接。还观察到，较厚的锡镀层厚度实现了更好的焊料润湿性。场发射扫描电子显微镜 (FESEM) 的结果表明，对于较薄的锡镀层厚度 (~3 μm)，引线连接器表面的金属间化合物 (IMC) 层生长被视为异常，其中 IMC 层被消耗并渗透到锡涂层的表面。这导致薄锡镀层与焊料的可焊性较差，无法形成焊点。本研究的结果有助于更好地理解考虑足够的锡镀层厚度的重要性，以避免锡镀层处的 IMC 消耗，以及更好的润湿性、可焊性和焊点质量，这对于表面贴装技术 (SMT) 尤其适用于电子引线连接器应用。
考虑上覆土层厚度的深层岩体爆破振动速度探讨
1 引言随着全球经济的快速发展，人们对资源的需求急剧增加，浅部矿产资源严重匮乏，矿产资源逐渐向深部开发迈进，据统计，我国部分矿山开采深度已超过1 km[1,2]，深部资源开发将成为常态[3]。深部岩石爆破对施工环境的影响也引起了人们的重视，特别是爆破地震波冲击引起的爆破震动，往往会对周边环境造成影响[4–7]。根据我国《爆破安全规程》[8]，爆破施工作业应在安全允许距离外进行，安全允许距离是根据爆破振动速度和地层条件确定的。随着现代化进程的加快，提高土地利用率尤为重要，确定正确的安全允许距离不仅有利于周边环境的安全
i‐Share‐Bordeaux 研究中健康年轻受试者的视网膜神经层厚度与脑成像的关联
图 3 森林图显示视网膜层与平均扩散率之间的关联。框代表系数，水平线代表 95% 置信区间（未校正）。视乳头周围 RNFL（蓝色）。GC-IPL（红色）。GCC（绿色）。根据性别、年龄、眼轴长度、脉压、体重指数、吸烟状况和颅内总容量调整的多元线性回归模型。负 β 系数对应于平均扩散率的降低和 WM 微结构完整性的改善，视网膜亚层厚度每增加一个标准差。FDR，错误发现率。*对数转换结果：出于演示原因，系数和置信区间的比例有所变化。区域中的二分视网膜层：小脑中脚、小脑下脚的 ppRNFL；穹窿脊或终纹的 ppRNFL 和 GCC。
通过优化界面层厚度实现低肖特基势垒接触的 MoS2 晶体管
摘要：二硫化钼（MoS 2 ）因其较大的带隙、良好的机械韧性和稳定的物理性能而受到研究者的广泛关注，成为下一代光电器件的理想材料。但较大的肖特基势垒高度（ Φ B ）和接触电阻是阻碍大功率 MoS 2 晶体管制备的障碍。详细研究了具有两种不同接触结构的 MoS 2 晶体管的电子传输特性，包括铜（Cu）金属-MoS 2 通道和铜（Cu）金属-TiO 2 -MoS 2 通道。通过调整金属和 MoS 2 之间的 TiO 2 夹层的厚度来优化接触。具有 1.5 nm 厚 TiO 2 层的金属-夹层-半导体（MIS）结构具有较小的肖特基势垒，为 22 meV。结果为设计 MIS 接触和界面以改善晶体管特性提供了参考。
GaN 层厚度对两者的影响
A.Bellakhdar a,b,* , A.Telia ba LMSF 半导体和功能材料实验室，Amar Telidji Laghouat 大学，阿尔及利亚 b Laboratoire des Microsystèmes et Instrumentation LMI, Département d'Electronique, Faculté de Technologie, Université des Frères Mentouri, 2 Campus Ahmed Hamani, Ain El Bey, Constantine, Algeria In本研究提出了具有不同 GaN 盖层厚度和重 n 掺杂 GaN 盖层的 GaN/AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT)。为了研究 GaN 覆盖层对 (GaN/AlInN/GaN) 异质结构性能的影响，通过求解一维 (1 D) 泊松方程，提出了一种简单的 GaN/AlInN/GaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 阈值电压分析模型，从而找到了二维电子气 (2DEG) 与控制电压之间的关系。分析中考虑了 AlInN/GaN 和 GaN/AlInN 界面处的自发极化和压电极化。我们的模拟表明，GaN 覆盖层降低了二维电子气 (2DEG) 的面密度，从而导致漏极电流减小，并且 n+ 掺杂的 GaN 覆盖层比未掺杂的 GaN 覆盖层具有更高的面密度。 （2021 年 11 月 28 日收到；2022 年 2 月 19 日接受）关键词：GaN 帽、GaN/AlInN/GaN HEMT、2DEG、2DHG、自发极化、压电极化