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成瘾相关的遗传变异暗示着成瘾神经生物学中的脑细胞类型和特定区域的顺式调节元素
最近的大型基因组关联研究已经确定了与成瘾相关行为性状相关的多个自信风险基因座。与成瘾相关性状相关的大多数遗传变异位于基因组的非编码区域，可能破坏顺式调节元件（CRE）功能。cres倾向于特异性细胞类型，并可能有助于基本成瘾的神经回路的功能发展。然而，缺乏一种系统的系统方法，用于预测风险变异对特定细胞群体的影响。为了剖析与成瘾相关性状的细胞类型和大脑区域，我们应用了分层的连锁不平衡评分回归，以将全基因组关联研究与从人类和小鼠分析中收集的开放染色质收集的基因组区域进行比较，这与CRE活性有关。我们发现，在神经元（Neun 1）核中以开放式染色质（Neun 1）核中标志性的成瘾相关变体的富集，这些核是从多个前额叶皮质区域和已知在奖励和成瘾中起主要作用的主要角色的核心。为了进一步剖析与成瘾相关性状的细胞类型特异性基础，我们还确定了雌性和雄性小鼠神经元亚型的开放染色质区域的人类直系同源物的富集：皮质兴奋性，D1，D2和PV。最后，我们开发了机器学习模型，以预测小鼠细胞类型特异性开放染色质，从而使我们能够进一步对人Neun 1
使用降低压力化学蒸气沉积在不强的SiO2上硅外延层的原位暗示
随着芯片结构系统的功率需求不断增长，由于其低功率泄漏，超薄体越来越重要。硅启动器（SOI）技术用于制造此类超薄平台。但是，当代的SOI过程和晶圆本身是复杂而又是典型的。在这项研究中，我们开发了一种简单的SOI制造工艺，可以使用商业实施的减少压力化学物质沉积技术在散装硅晶片的任何所需的局部实施。通过硅的选择性外延生长制造了局部SOI，它也可以在用1μm宽的硅种子区和蚀刻剂的蚀刻剂侧面横向生长，尺寸为20×100μm。局部SOI通过化学机械抛光处理至100 nm或更少的厚度，表现出高度结晶状态，这是由横截面成像和衍射模式分析，表面粗糙度分析和广泛的表型分析所确定的。局部SOI在优化的工艺条件下，表现出0.237 nm的表面粗糙度，并保持了与硅晶片相同的完美（100）晶体平面。我们在当前的本地SOI上成功制造了可重新配置的晶体管，这意味着当代硅电子可以在其自己的平台上利用SOI设备。©2021作者。由Elsevier Ltd.这是CC BY-NC-ND许可（http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/）下的开放访问文章
催眠暗示性越高，脑电图信号在 θ、α 和 β 频带中的变异性就越低
脑电图 (EEG) 时间序列的不同频带所反映的神经元群体放电率信息变化为大脑对催眠暗示性神经反应的变化提供了直接证据。然而，要找到一种有效的神经元群体放电行为生物标记物却是一个难以捉摸的问题，其影响在文献中得到了截然不同的结果。在本文中，我们从信息论的角度分析了催眠暗示过程中大脑活动的 EEG 时间序列，从而捕捉了大脑神经活动模式在信息内容方面的变化。为此，我们利用了 14 通道 EEG 时间序列记录的 θ、α 和 β 频带的差分熵 (DE，即连续时间序列中的平均信息内容)，这些记录涉及 12 个精心挑选的高和低催眠暗示性个体的大脑神经反应。我们的结果表明，催眠暗示性越高，θ、α 和 β 频率信息内容的变异性就越低。此外，研究还表明，这种较低的变异性伴随着 θ 和 α 频带中顶叶和顶枕叶区域的功能连接 (FC，一种时空同步的量度) 显著增加，而 β 频带中中央区域的 FC 则不显著降低。我们的研究结果对该领域做出了两方面的贡献。首先，它们确定了 DE 的适用性，这是一种统一的量度，可以重现文献中通过调整不同的催眠生物标志物分别报告的类似观察结果。其次，他们将先前基于中性催眠（即一种催眠过程，不涉及除了被催眠之外的其他具体暗示）的研究结果扩展到催眠暗示的情况，从而将其存在确定为催眠体验的潜在特征。