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相变材料热物理性能增强在储热领域的新进展
PCM 在潜热存储应用中的主要问题之一是提高热导率。已经进行了一些理论和实践研究来检查各种潜热存储系统的传热过程 [30]。目前，提高 PCM 热导率的主要方法是添加高热导率基质和化学改性添加剂的表面。这些包括表面和接枝功能团改性，以及添加多孔三维 (3D)、二维 (2D)、一维 (1D) 和零维 (0D) 结构添加剂。虽然改性和接枝功能团可以增加材料相容性并降低界面热阻，但改性的成功率较低且操作更复杂。加入导热基质可以形成导热链，从而减少声子散射并加快热量传输。另一方面，较高的添加剂质量含量将大大限制 PCM 的储热能力。因此，在选择提高 PCM 热导率的技术时，应考虑适当的添加量和实验条件。
Sn4+掺杂多元PBZT型陶瓷的电物理性能
摘要 本文制备了不同锡含量（a从0.0到0.1范围）的多元Pb 0.75 Ba 0.25 (Zr 0.65 Ti 0.35 ) 1- a Sn a O 3 (PBZT/Sn) 陶瓷。采用无压烧结法对PBZT/Sn陶瓷样品进行致密化。研究了SnO 2 含量对PBZT/Sn陶瓷的晶体结构、微观结构、直流电导率和电物理性能（包括介电和铁电测试）的影响。PBZT/Sn陶瓷样品在铁-顺电相变温度下表现出高的介电常数，表现出相变的弛豫特征。 PBZT/Sn 材料中 SnO 2 含量过高（a = 0.1）可能会导致晶格应力和结构缺陷，从而导致陶瓷样品的铁电和介电性能下降。本研究表明，在基础 PBZT 化合物中添加 SnO 2（以适当的比例）可以影响微机电一体化和微电子领域实际应用所必需的参数。