XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System电路模型
根据 EIS 数据识别电池电路模型
摘要 - 电池的频率响应可用于评估其健康状况。提高这种指标的可靠性是当前许多研究的主题，特别是在电动汽车领域。本文介绍了锂离子电池频率响应的主要特性以及用于近似所述频率响应的等效电路。首先建立了电池等效电路阻抗的主要方程。然后，提出了一种基于最小二乘法调整等效电路参数的程序，并在一组电化学阻抗谱测量中进行测试。此类模型随后将允许生成有关电池阻抗的理论数据，以便测试用于估计参数及其健康状态的原始算法。
字母使用π等效电路模型用于传输线
随着现代通信技术的发展，对交流组件的微型化和轻量级的需求正在增加[1]，因此对微波无源装置小型化的研究具有重要意义。作为RF微波系统中的关键元素，分支线耦合器用于配电和组合[2-4]。在微波带的较低频率下，常规分支线耦合器的大小太大而无法实际使用[5]。，例如在S波段中，具有较大尺寸的传统分支线耦合器的缺点更为突出，而S波段则广泛用于通信卫星，天气雷达和其他田野，尺寸要求更为严格。通过使用集团组件的方法可以显着降低尺寸，低温联合陶瓷（LTCC）和集成的被动装置（IPD）技术，最近引入了以实现
功率 MOSFET 电路模型引领 GaN HEMT 建模之路——综述
摘要：氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 是实现高效紧凑电力电子系统的关键技术。在电源转换器的设计阶段，对 GaN HEMT 进行正确的建模对于充分利用其优良特性和解决当前技术的局限性至关重要。学术界和工业界长期以来一直在深入研究功率 MOSFET 的电路模型。这些模型能够模拟数据表信息，它们通常由设备制造商以网络表的形式提供，可以在任何类型的 SPICE 类软件中模拟。本文首先强调了 MOSFET 和 GaN HEMT 在数据表层面的相似之处和不同之处。根据这一分析，讨论了可用于 GaN HEMT 建模的 MOSFET 电路模型的特征。这项任务是通过概述 MOSFET 电路模型的文献以及分析制造商网络表来完成的，从而突出了有效或适用于 GaN HEMT 的 MOSFET 模型。研究表明，一些模型可以适用于 GaN HEMT 器件，以模拟室温下的静态特性，而动态特性的 MOSFET 模型可用于 GaN HEMT 器件。这项研究使器件建模者能够通过使用一些成熟的 MOSFET 模型来加快 GaN HEMT 建模速度。从这个角度来看，还提供了开发精确的 GaN HEMT 模型的一些建议。
高电流速率、宽温度范围和各种充电状态下高功率锂离子电池的等效电路模型
摘要：等效电路模型 (ECM) 是模拟锂离子电池行为以监控和控制它们的最常用技术。此建模工具应足够精确以确保系统的可靠性。影响 ECM 精度的两个重要参数是施加的电流速率和工作温度。如果不彻底了解这些参数对 ECM 的影响，则应在校准过程中手动进行参数估计，这是不利的。在这项工作中，开发了一种增强型 ECM，用于高功率锂离子电容器 (LiC)，适用于从 −30 ◦ C 的冻结温度到 +60 ◦ C 的高温，施加的电流速率为 10 A 至 500 A。在此背景下，通过对具有两个 RC 分支的 ECM 进行建模，进行了实验测试以模拟 LiC 的行为。在这些分支中，需要两个电阻和电容 (RC) 来保持模型的精度。验证结果证明，半经验二阶 ECM 可以高精度地估计 LiC 的电气和热参数。在此背景下，当电流速率小于 150 A 时，开发的 ECM 的误差低于 3%。此外，当所需功率较高时，在 150 A 以上的电流速率下，模拟误差低于 5%。
在正确的时间刺激在皮质 - 基质神经节 - 丘脑电路模型中恢复网络状态
神经振荡的同步被认为可以促进大脑的交流。神经退行性病理（例如帕金森氏病（PD））会导致运动回路的突触重组，从而导致神经元动力学改变并受损神经通信。PD治疗旨在通过诸如多巴胺替代的药理方法恢复网络功能，或通过深层脑刺激抑制病理振荡。我们检验了以下假设：大脑刺激可以超越简单的“可逆病变”效应来增强网络通信。具体来说，我们检查了β带（14–30 Hz）活性的调节，这是一种已知的运动障碍生物标志物，以及帕金森氏症刺激的潜在控制信号。为此，我们在皮质 - 基质神经节 - 丘脑（CBGT）电路内设置了人口活动的神经质量模型，其参数约束至产生光谱特征，可与实验性帕金森氏症相当。我们调节了已知在PD中破坏的两种主要途径的连通性，并构建了所得自发活动的光谱和功能连通性的统计摘要。然后使用这些来评估净工作范围的闭合环刺激结果，这些闭合环刺激输送到运动皮层并锁定到丘脑下β活性。我们的结果表明，β合成的空间模式取决于对STN的输入强度。精确的时机刺激具有恢复网络状态的能力，刺激相可引起具有不同光谱和空间特性的活性。这些结果为旨在恢复疾病中神经交流的下一代脑刺激剂设计提供了理论基础。
根据图状态将量子电路映射到浅深度测量模式
摘要 基于测量的量子计算 (MBQC) 范式始于高度纠缠的资源状态，通过自适应测量和校正在该状态上执行幺正操作以确保确定性。这与更常见的量子电路模型形成对比，在更常见的量子电路模型中，幺正操作在最终测量之前直接通过量子门实现。在这项工作中，我们将 MBQC 中的概念融入电路模型以创建一种混合模拟技术，使我们能够将任何量子电路拆分为经典高效可模拟的 Clifford 部分和由稳定器状态和局部（自适应）测量指令（即所谓的标准形式）组成的第二部分，该部分在量子计算机上执行。我们进一步使用图状态形式处理稳定器状态，从而显著减少某些应用的电路深度。我们表明，可以使用协议中的完全并行（即非自适应）测量来实现相互交换的运算符组。此外，我们还讨论了如何通过调整资源状态来同时测量相互交换的可观测量组，而不是像在电路模型中那样在测量之前执行昂贵的基础变换。最后，我们通过两个具有高度实际意义的例子证明了该技术的实用性——用于水分子基态能量估计的量子近似优化算法和变分量子特征求解器 (VQE)。对于 VQE，我们发现与标准电路模型相比，使用测量模式可以将深度减少 4 到 5 倍。同时，由于我们结合了同时测量，与在电路模型中单独测量泡利弦相比，我们的模式使我们可以将拍摄次数节省至少 3.5 倍。
为电磁瞬态模拟形成 IBR
摘要 — 我们推导了用于电磁暂态 (EMT) 仿真的电网形成 (GFM) 逆变器资源 (IBR) 的控制层和物理层子系统的等效电路模型。考虑了三种不同的主控制器：下垂、虚拟同步机 (VSM) 和可调度虚拟振荡器控制 (dVOC)。此外，这些模型包括级联电压和电流控制环路以及 LCL 输出滤波器。本文介绍了单逆变器设置和改进的 IEEE 14 总线拓扑中的五个逆变器网络的仿真。使用模拟电子电路仿真软件（在我们的例子中是 LTspice）模拟的等效电路模型与商用现成的 EMT 软件（在我们的例子中是 MATLAB-Simulink）中基于框图的实现相比，具有相同的精度，但计算负担降低了 150 倍。索引词 — 电磁暂态仿真、等效电路模型、电网形成逆变器。
基于充电特性和反向传播神经网络的健康状态评估
等效电路模型 (ECM)、电化学模型和经验退化模型 (EDM) 是常用的 SOH 估算模型。基于 ECM 的方法不研究电池内部复杂的物理化学反应过程，而是基于电路模型，采用滤波算法进行参数辨识，并更新模型参数进行 SOH 估算。例如，余 [3] 采用递归最小二乘 (RLS) 法辨识 ECM 的参数，然后采用自适应 H∞ 滤波算法估计 SOH。徐 [4] 也采用 RLS 辨识参数，然后估算 SOH。基于模型的方法虽然简单、计算成本低，但自适应性较差，且估算结果更多地依赖于参数辨识和滤波算法的有效性。
