XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System磁矩
全反铁磁结中的正交层间耦合
实验和理论结果均表明，由于磁矩非常小，平行态和垂直态之间的微小能量差可以体现为反铁磁层间耦合的相当大的层间耦合场，与铁磁层间耦合相比具有独特的优势。结合温度和间隔层厚度相关的 SMR 测量、XMLD 表征和理论模型，证明了反铁磁结中的正交层间耦合。
由正常，重型或Altermagnetic Metallic叠加剂诱导的磁性绝缘体中自旋波的非局部阻尼：Schwinger-keldysh场理论方法
了解自旋波（SW）阻尼以及如何将其控制到能够放大SW介导的信号的点是使所设想的宏伟技术实现的关键要求之一。甚至广泛使用的磁性绝缘子在其大块中具有低磁化阻尼（例如Yttrium Iron Garnet），由于在最近的实验中观察到的，由于与金属层与金属层的不可避免接触，因此SW阻尼增加了100倍。，adv。量子技术。4，2100094（2021）]以空间解析的方式映射SW阻尼。在这里，我们使用扩展的Landau-lifshitz-gilbert方程对波矢量依赖性的SW阻尼提供了微观和严格的理解，并具有非局部阻尼张量，而不是常规的本地标量尺吉尔伯特damp，从Schwinger-keldysh norther-keldysh nortakys damper中衍生而成。在这张照片中，非局部磁化阻尼的起源以及诱导的波载体依赖性SW阻尼是磁绝缘子的局部磁矩与来自三种不同类型的金属叠层器的传导电子的局部磁矩的相互作用：正常，重型和altermagnetic。由于后两种情况下传导电子的自旋分解能量散布引起的，非局部阻尼在自旋和空间中是各向异性的，并且与正常金属覆盖物的使用相比，可以通过更改两层的相对方向来大大降低。
在范德华（Van der Waals）巡回演出的莫伊尔·费罗马格（MoiréFeromagnet）中增强和淬火
扭曲的二维（2D）Van der Waals（VDW）量子材料以其非同规性的超导性，金属绝缘体过渡（MOTT TRUSTITION），旋转液相等而闻名，为强电子相关提供丰富的景观。这种电子相关性也解释了扭曲晶体中的异常磁性。然而，由于缺乏理想的材料以及设计Moiré磁铁与它们的新兴磁性和电子特性相关的适当方法，因此限制了2D扭曲磁力领域的进步。在这里，我们设计了VDWMoiré磁铁，并证明了旋转两个单层的简单动作，即以各种扭曲角度旋转1T-NBSE 2和1T-VSE 2，产生了增强和淬灭的局部磁性磁矩的无均匀混合物，每个过渡金属杂种（V）和niobium（V）和Niobium（V）和NB）（NB）Antome。准确地说，扭曲角会影响每个组成层的局部磁矩。在VDWMoiréSuprattice中出现了引人注目的频带和巡回的铁磁性，后者令人满意的Stoner标准。这些特征是由原子晶格位点的轨道复杂化而不是层之间的层间耦合引起的。此外，在未介绍的杂波系统中鉴定出轨道磁性。结果提出了一种有效的策略，该策略是针对扭曲调节的现场磁性的新量子力学现象的洞察力。
磁偶极矩的测量...
铁磁材料的固有磁性能可根据书面 IEC 60404 标准确定。当材料用作组件时，可能需要对这些固有特性进行退磁校正。这很难确定，因为它不仅取决于组件的几何形状，还取决于磁导率。对于永磁材料，可以测量磁偶极矩，该参数取决于材料特性和几何形状。这提供了重要的补充组件信息。本报告介绍了确定磁偶极矩的测量方法，并详细讨论了一种导致不确定度低至 0.1%（95% 置信限度）的方法。这种低水平的不确定度允许校准商用磁矩测量仪器。
![arxiv：2501.01466v2 [cond-mat.supr-con] 2025年1月6日](/simg/a\aa66f79c6899fbf9bba25823eb233df3c7161298.webp)
arxiv：2501.01466v2 [cond-mat.supr-con] 2025年1月6日
图1 A的特征：（i）ZFC和FC在温度t〜240 K处的曲线，远高于假定的临界温度t〜140 K。这不是超导样本的预期行为，当温度降低到t c以下而不是t c以上100 k时，曲线应开始分歧。（ii）给定图中所示的磁磁矩的幅度1 a在100k处和低于100k的施加场h = 3 mt，即1。57×10 - 10 AM 2，图。 1 b对于场h = 30 mt的应约为1。 57×10-9 AM 2。 相反，它大三倍，如图中的垂直线所示 1 a。 相同超导样品的不同测量值不同，如果它们真正反映了样品的特性，则不应产生差异3的结果。 （iii）图中的磁矩 当温度降低到50k以下时， 1 a会迅速增加，这不是超导样本时刻预期的行为。 这些特征质疑图1和图2所示的结果的解释。 1 a和b，如图出版 6 [5]，反映了超导样品而不是实验伪影的物理学。 此外，图中所示的数据 1 B，参考文献中突出显示。 [1]作为超导性的证明，被同一材料（硫化氢）的新磁化数据取代了2022年[6]。 in57×10 - 10 AM 2，图。1 b对于场h = 30 mt的应约为1。 57×10-9 AM 2。 相反，它大三倍，如图中的垂直线所示 1 a。 相同超导样品的不同测量值不同，如果它们真正反映了样品的特性，则不应产生差异3的结果。 （iii）图中的磁矩 当温度降低到50k以下时， 1 a会迅速增加，这不是超导样本时刻预期的行为。 这些特征质疑图1和图2所示的结果的解释。 1 a和b，如图出版 6 [5]，反映了超导样品而不是实验伪影的物理学。 此外，图中所示的数据 1 B，参考文献中突出显示。 [1]作为超导性的证明，被同一材料（硫化氢）的新磁化数据取代了2022年[6]。 in应约为1。57×10-9 AM 2。 相反，它大三倍，如图中的垂直线所示 1 a。 相同超导样品的不同测量值不同，如果它们真正反映了样品的特性，则不应产生差异3的结果。 （iii）图中的磁矩 当温度降低到50k以下时， 1 a会迅速增加，这不是超导样本时刻预期的行为。 这些特征质疑图1和图2所示的结果的解释。 1 a和b，如图出版 6 [5]，反映了超导样品而不是实验伪影的物理学。 此外，图中所示的数据 1 B，参考文献中突出显示。 [1]作为超导性的证明，被同一材料（硫化氢）的新磁化数据取代了2022年[6]。 in57×10-9 AM 2。相反，它大三倍，如图1 a。相同超导样品的不同测量值不同，如果它们真正反映了样品的特性，则不应产生差异3的结果。（iii）图1 a会迅速增加，这不是超导样本时刻预期的行为。这些特征质疑图1和图2所示的结果的解释。1 a和b，如图6[5]，反映了超导样品而不是实验伪影的物理学。此外，图中所示的数据1 B，参考文献中突出显示。 [1]作为超导性的证明，被同一材料（硫化氢）的新磁化数据取代了2022年[6]。 in1 B，参考文献中突出显示。[1]作为超导性的证明，被同一材料（硫化氢）的新磁化数据取代了2022年[6]。in
d-d库仑相关性在磁化铁磁铁中的至关重要作用GD6（MN1 – XMX）23（M = Fe，Co）
众所周知，在元素金属中，过渡金属（TM）d-电子u dd的现场库仑能量明显小于f-electron稀有（re）金属的u f f f f f f f f f。因此，在RE-TM金属合金中通常会忽略U DD。与U F F相比，U DD的值低，但我们量化和阐明了U DD在RE -TM合金的部分填充D频带中的重要作用。我们研究了典型的RE-TM铁磁系列GD 6（Mn 1-X M X）23（M = Fe，Co; x =0。0，0。3），显示出有前途的磁性特性。使用恒定的光发射和恒定的初始状态光谱法用于识别价带中的Mn 3 d，fe 3 d和Co 3 D d d状态的部分密度（PDOS）。光子能量依赖性光谱演化使我们能够将MN，FE和CO 3 D pDOS中的下部哈伯德带和两孔相关卫星分开。使用cini-sawatzky方法，我们确定平均u dd = 2。1±0。4 eV，2。2±0。4 eV和2。9±0。4 eV。与Fe 3 D状态相比，CO相对较大的U DD在费米水平（E F）的连贯特征（E F）的DOS较低，而下Hubbard频带中的DOS较高，远离GD 6中的E F（Mn 0。7 CO 0。 3）23与GD 6（Mn 0。）相比 7 Fe 0。 3）23。 结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。 75 eV，对应于u dd = 1。7 CO 0。3）23与GD 6（Mn 0。7 Fe 0。 3）23。 结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。 75 eV，对应于u dd = 1。7 Fe 0。3）23。结果表明，计算出的Mn磁矩与U dft Mn = 0时的实验一致。75 eV，对应于u dd = 1。为了了解库仑相关性在电子结构和磁性特性上的作用，使用密度功能理论与现场库仑相关性（DFT + u）进行了电子结构计算（DFT + U）。65 EV和J DD = 0。9 ev。此外，使用计算出的GD和MN PDOS以及已知的光电离截面，模拟的GD 6 MN 23频谱与实验价带谱相当一致。结果表明D-D相关性在存在大型F-F相关性的情况下的关键作用，以调整RE-TM金属层的电子结构和磁性。
超出标准模型物理的符号回归
，我们建议符号回归是对标准模型以外的物理模型的数值研究的强大工具。在本文中，我们证明了该方法在基准模型上的功效，即受约束的最小超对称标准模型，该模型具有四维参数空间。我们提供了一组分析表达式，这些表达式在理论的参数方面重现了三个低能的观察结果：希格斯质量，对穆恩的异常磁矩的贡献以及冷暗物质依赖密度。为了证明该方法的功能，我们在全局拟合分析中采用了符号表达式来得出参数的后验概率密度，而这些概率密度比使用常规方法更快地获得了两个数量级。
通过反向法拉第效应
磁化和光之间的关系一直是过去一个世纪的密集研究的主题。在此，磁化对光极化的影响已得到充分了解。相反，正在研究用极化光的磁性操纵，以实现杂志的全光控制，这是由潜在的Spintronics中潜在的技术实施驱动的。据报道，诸如薄膜和亚微米结构中杂志的单脉冲全光切换之类的发现。 然而，纳米尺度上磁性的局部光学控制的证明仍然难以捉摸。 在这里，证明具有圆形极化飞秒激光脉冲的令人兴奋的金纳米盘可导致超快，局部和确定性控制磁化磁化强度的磁化。 通过利用逆法拉第效应在等离子纳米散发中产生的磁矩来实现此控制。 结果为在纳米级旋转设备中进行轻驱动的控制铺平了道路，并为等离激元纳米结构中磁场的产生提供了重要的见解。诸如薄膜和亚微米结构中杂志的单脉冲全光切换之类的发现。然而，纳米尺度上磁性的局部光学控制的证明仍然难以捉摸。在这里，证明具有圆形极化飞秒激光脉冲的令人兴奋的金纳米盘可导致超快，局部和确定性控制磁化磁化强度的磁化。通过利用逆法拉第效应在等离子纳米散发中产生的磁矩来实现此控制。结果为在纳米级旋转设备中进行轻驱动的控制铺平了道路，并为等离激元纳米结构中磁场的产生提供了重要的见解。
Fe4 单分子磁体在金上的工程化学吸附
具有定向双稳态磁矩的分子也称为单分子磁体 (SMM) [1–4]，一直是人们深入研究的对象，旨在探索其在分子水平上存储信息的潜在用途。 [5–10] SMM 是顺磁性金属离子通过合适的配体结合在一起的单核或多核配位化合物，这些配体通常可在固体中相邻分子之间提供有效的屏蔽。 它们中的大多数都具有大自旋和易轴磁各向异性的组合，这导致低温下磁化波动急剧减慢并出现磁滞。 [2,11,12] 通常观察到磁滞的温度值仍然是技术应用的极限 [5–10] 但在 77 K 以上的工作温度（液氮的正常沸点）