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World File Search System纳米线
ID281-超导纳米线系列
ID Quantique 可随时更改本文件中列出的信息和规格，恕不另行通知。版权所有© 2024 ID Quantique SA – 保留所有权利 – G.192.0112-PB-1.1 – 截至 2024 年 1 月的规格。
双相锂（LTO）/TiO2纳米线的循环稳定性为锂电池阳极
摘要这项工作研究了双相锂锂（LTO）/TIO 2纳米线作为锂电池阳极的稳定性。双相LTO/ TIO 2纳米线在80°C下的两个时代静脉片段成功合成了10、24和48 h。SEM图像显示，双相LTO/TIO 2的形态是直径约为100-200 nm的纳米线。XRD分析结果表明纳米线的主要成分是解剖酶（TIO 2）和尖晶石LI 4 Ti 5 O 12。LTO/TIO 2 -10，LTO/TIO 2 -24和LTO/TIO 2 -48的第一个排放特异性能力分别为181.68、175.29和154.30 mAh/g。在速率容量测试后，LTO/TIO 2 -10，LTO/TIO 2 -24和LTO/TIO 2 -48分别保持在161.25、165.25和152.53 mAh/g。每个样本的保留量为86.71％，92.86和89.79％。基于电化学性能的结果，LTO含量增加有助于提高样品循环稳定性。然而，延长的静态时间也产生了杂质，从而降低了循环稳定性。
缩放栅环硅纳米线晶体管阵列中的电子传输机制
全栅环栅 (GAA) 是一种最佳器件配置，它能静电控制沟道长度最窄的晶体管 2，并最大限度地减少器件关断时的漏电流，从而使器件在每次切换时耗散更少。GAA 几何形状有多种可能，并且已经在水平 3 或垂直配置中得到验证。4 – 7 尽管技术解决方案有望最终将晶体管的栅极长度 L g 缩小到几纳米 5，但从一维（长栅极或大宽度）到全尺寸缩放的晶体管的转变对器件操作的影响仍有许多悬而未决的问题。其中，应明确解决所制造器件的质量和可能导致晶体管操作不良或电性能分散的波动源，以提出最终集成的解决方案。但是，经典的表征技术（如迁移率提取）不足以提供有关最终缩放时器件质量的信息，因为迁移率可能会在如此小的栅极长度下崩溃。 8 – 11 低频噪声可以成为一种非常精确的技术，用于表征低噪声纳米器件中的电子传输。12 , 13
设计，模拟和优化硅基板上增强的垂直GAN纳米线晶体管用于电力电子应用
在高能量物理中使用的大探测器系统中相互作用点附近的像素阵列的发展需要像素及其读数的高辐射硬度。基于量子井的像素设备，称为dotpix使用带有控制门的传感N通道MOS设备。埋入的GE层充当当前的调制门，该栅极定位通过撞击颗粒而产生的孔。通过si上GE的低温外延生长获得了Dotpix埋入的GE门。我们已经开始研究实现这些先决条件的不同方法：需要低温预算来减少GE和SI相互混合，这可能对DotPix操作有害。使用Si热氧化物与沉积的氧化物（例如氧化物）一起研究，这与二氧化硅不同。在这项研究中，二氧化硅和沉积的氧化物结合的可能性为另一种可能性。
通过图论构建忆阻纳米线网络连接组
神经网络的硬件实现是利用神经形态数据处理优势和利用与此类结构相关的固有并行性的里程碑。在这种情况下，具有模拟功能的忆阻设备被称为人工神经网络硬件实现的有前途的构建块。作为传统交叉架构的替代方案，在传统交叉架构中，忆阻设备以自上而下的方式以网格状方式组织，神经形态数据处理和计算能力已在根据生物神经网络中发现的自组织相似性原理实现的网络中得到探索。在这里，我们在图论的理论框架内探索自组织忆阻纳米线 (NW) 网络的结构和功能连接。虽然图度量揭示了图论方法与几何考虑之间的联系，但结果表明，网络结构与其传输信息能力之间的相互作用与与渗透理论一致的相变过程有关。此外，还引入了忆阻距离的概念来研究激活模式和以忆阻图表示的网络信息流的动态演变。与实验结果一致，新出现的短期动力学揭示了具有增强传输特性的自选择通路的形成，这些通路连接受刺激区域并调节信息流的流通。网络处理时空输入信号的能力可用于在忆阻图中实现非常规计算范式，这些范式充分利用了生物系统中结构和功能之间的固有关系。© 2022 作者。由 Elsevier Ltd. 出版。这是一篇根据 CC BY 许可开放获取的文章（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。
Inn纳米线太阳能电池在Si上，用溅射沉积的无定形Si层中的无定形SI
在这里，我们报告了Inn纳米线太阳能电池的第一个实验证明，该电池是通过以1.78 eV的带隙能量溅射来沉积的。通过在N -Inn/ P -SI结构中添加无定形Si（A -SI）缓冲液，我们在保持其材料质量的同时，提高了所得设备的光伏性能。我们首先通过DC溅射在Si（100）上优化了Si的沉积，获得了带隙能量为1.39 eV的无定形材料。然后，我们研究了A-SI缓冲层（0 - 25 nm）对Inn纳米线对Si（100）底物的结构，形态，电气和光学性质的厚度的影响。使用15 nm缓冲液N -Inn/A-Si/P-Si纳米线异质结式太阳能电池表现出令人鼓舞的短路电流密度为17 mA/cm 2，开路电压为0.37 V，填充因子为35.5％，指向2.3％以下2.3％以下（Am 1 Sun）（AM 1.5G）（AM 1.5G）。这些工作降低了距离溅射的A-SI的组合，可以用作潜在的钝化层，而纳米结构的活性层的光捕获增强可提高溅射的III-nitride设备的光伏效率。
碳涂层对锂离子微生物阳极的光刻结构的SI纳米线的性能
生物多样性保护长期以来一直被认为是一种全球商品，那些最不能力承担成本1的人不应为此支付，其成功依赖于改善当地生计的人2。概述反映了这一信念。，尽管政策和言辞，但几乎没有证据表明保护区对当地社区的福利（尤其是在全球南方）的福利持续了净积极影响。尽管在国家和全球量表3上与受保护区相关的生物多样性和气候结果的奖学金存在相对较少的奖学金。在此问题上，三本全球合成论文4 - 6，提出了不确定的结果，并在证据基础中揭示了方法论弱点：Pullin等。4确定了一系列可能影响的途径，但很少发现严格的证据。 Kandel等。6发现了积极结果的证据，但报道说，更高质量的研究和非洲的研究较少识别积极影响。和Naidoo等。5发现保护区与人类福祉之间存在正相关 - 但是，这种关联对较长的保护区更为负面，作者无法建立因果关系。这些全球综合文件并不排除受益于当地人民的保护区的可能性，但证据的性质排除了公司的结论。缺乏明显的益处是因为许多案例研究表明了负面影响和侵犯人权1、7，并且由于保护区通常位于贫困高的地区8。在30年的时间里，我们自己在马达加斯加的工作表明，保护区可以承担大量的地方成本，他们无法补偿7、9（方框1）。
通过纳米线阵列的毛细管上升润滑实现抗润滑剂耗竭的光滑液体注入多孔表面
通过纳米线阵列的毛细管上升润滑实现润滑剂耗尽的抗滑动液体注入多孔表面 Hong Huy Tran、Youngjin Kim、Céline Ternon、Michel Langlet、David Riassetto、* 和 Daeyeon Lee* Hong Huy Tran、Youngjin Kim 博士、Céline Ternon 教授、Michel Langlet 博士、David Riassetto 教授 Univ.格勒诺布尔阿尔卑斯、法国国立科学研究院、格勒诺布尔 INP（格勒诺布尔阿尔卑斯大学工程学院）、LMGP、38000 格勒诺布尔、法国 电子邮件：david.riassetto@grenoble-inp.fr Daeyeon Lee 教授 宾夕法尼亚大学化学与生物分子工程系，宾夕法尼亚州费城 19104，美国 电子邮件：daeyeon@seas.upenn.edu 关键词：液体注入表面、润滑剂消耗、润湿脊、ZnO 纳米线阵列、毛细管作用 尽管润滑剂在各种应用中都具有良好的前景，但随着时间的推移，润滑剂的消耗会带来
不同取向B2 结构FeAl 合金纳米线弯曲行为的分子动力学模拟*
（b），6.000 nm（c），8.900 nm（d）和9.300 nm（e），其中颜色表示不同的局部晶体结构：蓝色-BCC，绿色-FCC，RED-HCP和White-Inninnown； （f）在1860 PS和d = 9.300 nm的纳米线内的应变分布，其中原子是通过其局部剪切应变颜色的。
碳化硅纳米线场效应晶体管在集成电路和传感应用方面的进展
摘要。块体碳化硅 (SiC) 的优越物理特性以及一维 (1D) 纳米结构特定物理特性的预期增强，激发了一系列针对纳米线 (NW) 制造和特性以及其在器件中的应用的研究。SiC 纳米线场效应晶体管 (NWFET) 是研究 SiC NW 在外部刺激（如电场）（集成电路中的应用）或 NW 表面上存在力或化学/生物物种（传感器中的应用）时在不同温度下的电特性的理想器件概念。SiC NW 量子传输建模的初步报告揭示了实现与 Si 基 NWFET 相当性能的前景。然而，实验性的 NWFET 演示表现出较低的载流子迁移率、I ON /I OFF 比和跨导 (gm ) 值，这对其进一步发展构成了障碍。低性能主要源于高度无意掺杂和未优化的 SiO 2 /SiC NW 界面。事实上，由于缺乏对 SiC NW 自下而上的生长过程的严格控制，导致非常高的载流子浓度（主要源于无意掺杂）接近退化极限。高密度陷阱和固定电荷的低界面质量导致栅极电场屏蔽，并表明需要进一步研究 SiO 2 /SiC NW 界面。由于这两种影响，即使在非常高的栅极电压下也无法实现器件关断。目前，只有在源/漏极 (S/D) 区域具有肖特基势垒 (SB) 的背栅极 NWFET 才表现出明确的关断和改进的性能，这要归功于通过全局栅极作用间接调制漏极电流，从而调节 S/D 区域的 SB 透明度。