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World File Search System通孔
Samtec - 使用玻璃基板和玻璃通孔进行高密度光收发器封装
摘要 — 玻璃通孔 (TGV) 是一种新兴技术，它使电子中介层比有机基板更具优势。这些优势包括出色的尺寸稳定性、与硅片更接近的热膨胀系数 (CTE)、高热稳定性和高电气隔离。这些都有利于现代系统所需的更高数据速率。此外，TGV 还有利于支持更高数据速率和更高密度的光收发器封装设计。我们描述了 TGV 技术在光学引擎设计中的优势，该引擎能够以业界领先的密度支持 112 Gbps 通道。
通孔-中间 TSV 晶圆混合键合中 Cu 突起对连接电阻的影响
摘要 本研究研究了铜突起对连接电阻的影响，作为中通孔硅通孔 (TSV) 晶片混合键合的详细数据。在制备了多个具有不同铜突起量的 Cu TSV 晶片和 Cu 电极晶片并通过表面活化键合方法使用超薄 Si 膜进行键合后，通过四端测量评估了键合晶片的连接电阻（即 TSV、Cu 电极和界面电阻之和）。结果表明，Cu 突起量是中通孔 TSV 晶片与超薄 Si 膜混合键合的关键参数，通过调节 Cu 突起可以在不进行热处理的情况下实现 TSV 和 Cu 电极之间的电连接。关键词 中通孔 硅通孔(TSV) 直接Si/Cu研磨 混合键合I.引言 随着摩尔定律的放缓，带有硅通孔(TSV)[1-6]的三维集成电路(3D-IC)已经成为实现高速、超紧凑和高功能电子系统的可行解决方案。3D-IC在某些电子系统中的接受度越来越高。然而，要将3D-IC技术应用于许多电子系统，需要进一步降低TSV形成成本、实现TSV小型化和提高TSV产量。在各种TSV形成工艺中，中通孔Cu-TSV工艺可以有效减小TSV尺寸并提高TSV产量，因为该工艺易于形成(1)小TSV，并且(2)TSV与多层互连之间的电接触。然而，如果晶圆背面露出的TSV高度变化很大，则可能会发生TSV断裂或接触失效。在之前的研究中，我们提出了一种 Cu-TSV 揭示工艺，包括直接 Si/Cu 研磨和残留金属去除 [7-9]（图 1），以克服这一问题。首先，使用新型玻璃化砂轮进行直接 Si/Cu 研磨，并使用高压微射流 (HPMJ) 对砂轮进行原位清洁。由于非弹性
通孔（PTH）激光焊接过程的数值模拟
焊点的可靠性和质量可能会受到焊料材料的特性及其对 PCB 孔中熔融焊料的填充的影响。含铅焊料材料具有危险性且不环保。欧盟《有害物质限制法》禁止使用某些材料元素 [3,4]。因此，在电子封装组件的焊接应用中引入了无铅焊料材料。此外，氮气的使用可以提高制造业中使用无铅焊料的性能 [4]。但是，由于熔化无铅焊料需要更高的温度，无铅焊料中银含量高于 2% 会因热膨胀系数 (CTE) 高度不匹配而在组装中引起应力 [5]。在这种情况下，激光焊接可以通过控制激光功率和激光束持续时间来解决这个问题，以防止焊料不必要地长时间暴露在热量中。
硅通孔 (TSV) 封装概述
• 2.5D IC 与 2D IC 的区别在于，2.5D IC 在芯片和基板之间添加了一个硅中介层，中介层上表面和下表面的金属化层之间通过 TSV 连接。[10] 这样，通过将芯片并排放置，就可以实现不同芯片之间的互连。例如：存储器芯片与逻辑芯片。
HCC1000 (通孔) HCC1001 (SMT)
描述：这些设备与 Optek 的 4N 系列光电隔离器类似，但芯片除外。它按照 MIL-PRF- 19500 TXV 级别进行处理，并可根据客户 SCD 进行修改。每个设备都由一个 IRLED 和 NPN 晶体管组成，安装在密封 TO-78 金属罐、6 针 SMD 或定制包装中。应用：卫星、发射器、太空飞行器和行星探测车等太空应用中的电路电气隔离。
