会议主题:用于太阳能收集的宽带隙材料 16:00 Luis Pereira 教授 (*) 里斯本新大学,葡萄牙 氧化物纳米结构在机械能收集中的应用 16:45 Frank Herklotz 博士 德累斯顿工业大学,德国 SnO 2 中的间隙氢供体:全面的光谱研究 17:00 Dwight R. Acosta Najarro 博士 墨西哥国立自治大学,墨西哥城,墨西哥 通过气动喷雾热解沉积的掺杂铼的 WO3 薄膜的电致变色性能恢复 17:15 Lars Korte 博士 (*) 柏林亥姆霍兹材料与能源中心,德国 高效钙钛矿/硅串联太阳能电池:材料和界面设计方面的挑战 19:00 特邀发言人晚宴(“Auerbachs Keller”) 2024 年 9 月 24 日,星期二 10:00 游览莱比锡美术馆 - MdbK (www.mdbk.de) 地点:Katharinenstraße 10 12:30 午餐(Aula) 会议主题:非晶态和非化学计量 TCO 14:00 Julia Medvedeva 教授(*)美国密苏里大学 材料基因组方法研究非晶态氧化物半导体中的缺陷 14:45 Takashi Koida 博士 日本筑波国家先进工业科学技术研究所 (AIST) 具有优异导电性的非晶态 SnO ₂ 薄膜:生产方法、特性和与非晶态 In ₂ O ₃ 薄膜的比较分析
相变材料 (PCM) 可以在结晶状态和非晶态之间快速可逆地切换,具有显著的光学和电子对比度。[1–3] 这些特性被广泛应用于电子非挥发性存储器 [4–7] 和纳米光子学等一系列设备中。[8–10] 在基于 PCM 的随机存取存储器 (PCRAM) 中,SET 操作通过结晶实现,RESET 通过熔融淬火非晶化实现。 可以对更复杂的操作进行编程,包括迭代 RESET 和累积 SET,对应于中间和部分结晶/非晶态,用于神经启发计算应用。[11–18] 伪二元 GeTe–Sb 2 Te 3 系列上的 Ge–Sb–Te (“GST”) 化合物 [19] 已得到广泛研究,旗舰化合物 Ge 2 Sb 2 Te 5 和 GeSb 2 Te 4 目前被用作
摘要:我们提出了一种自下而上的成功方法,设计了一种通用的等离子体增强原子层沉积 (PEALD) 超循环配方,以在 150°C 的相对低温下生长具有可调成分的高质量铟镓锌氧化物 (IGZO) 薄膜。原位实时椭圆偏振表征与非原位互补技术相结合,已用于优化薄膜的沉积工艺和质量,方法是识别和解决生长挑战,例如氧化程度、成核延迟或元素组成。开发的超循环方法通过调整超循环过程中的子循环比,可以轻松控制目标成分。与其他产生非晶态薄膜的低温沉积技术相比,我们在 150°C 下的 PEALD-IGZO 工艺可产生近乎非晶态的纳米晶态薄膜。通过超循环 PEALD 方法在低温下制备 IGZO 薄膜可以控制厚度、成分和电性能,同时防止热诱导偏析。关键词:IGZO、PEALD、超循环、XPS 深度剖析、电流密度
动力学“冻结”亚稳态纳米结构的合成仍然难以实现。这一限制严重限制了材料发现的当前范式。我们通过对异常氧化和亚稳态非晶态氧化铝 (a-AlO x ; 2.5
相变材料 (PCM) 可以在结晶状态和非晶态之间快速可逆地切换,具有显著的光学和电子对比度。[1–3] 这些特性被广泛应用于电子非挥发性存储器 [4–7] 和纳米光子学等一系列设备中。[8–10] 在基于 PCM 的随机存取存储器 (PCRAM) 中,SET 操作通过结晶实现,RESET 通过熔融淬火非晶化实现。 可以对更复杂的操作进行编程,包括迭代 RESET 和累积 SET,对应于中间和部分结晶/非晶态,用于神经启发计算应用。[11–18] 伪二元 GeTe–Sb 2 Te 3 系列上的 Ge–Sb–Te (“GST”) 化合物 [19] 已得到广泛研究,旗舰化合物 Ge 2 Sb 2 Te 5 和 GeSb 2 Te 4 目前被用作
图 2. 所提出的光控编码元件的设计和特性。a) 元原子编码元件的详细结构,在 SiO 2 基板上构建了 1 μm 厚的金方块和 1 μm 厚的 GeTe 方块图案。b) 编码元件两种状态的示意图:状态“0”表示 GeTe 的非晶态(绝缘态),状态“1”表示 GeTe 的晶体(导电)态。c) 和 d) 两种状态下编码元件的相应反射特性(c 幅度和 d 相位)。e) GeTe 层表面电阻随温度的变化(双探针测量),显示两种状态下的电特性相差六个数量级以上,并且冷却至室温时晶体状态具有非挥发性行为。 f) 有限元模拟 GeTe 层在具有不同能量密度的 35 纳秒长单脉冲紫外激光照射下的温度上升情况:单脉冲的通量为 90 mJ/cm 2,将使最初为非晶态的 GeTe 的温度升至其结晶温度 ( TC ) 以上,而随后的 190 mJ/cm 2 激光脉冲将使 GeTe 的温度升至其局部熔化温度 TM 以上,并将材料熔化淬火回非晶态。下图是拟议的 1 比特元原子的配置和示意图
摘要:黑曜石是一种含有 SiO 2 化合物的非晶态材料,也是从火山中开采出来的。黑曜石的 75% 是由石英组成的。石英是观察压电效应所需的材料。黑曜石最初来自地壳的地幔。当它与空气中的氧气接触时,它会突然凝固,没有任何机会转变为结晶状态。由于这个原因,它变成了非晶态二氧化硅。如果将一些与半导体工艺相关的化学物质(例如氟或氢)连接到硅(a-si:H)中,就会显示出光电导特性。辐射探测器具有吸收能力。在本文中,讨论了黑曜石是否可以作为吸收体用于辐射探测,此外,还评估了黑曜石是否被聚焦在固定目标机器上作为与亚原子粒子的发现相关的固定目标区域。
• 通过溅射或 MBE 在 bcc CoFe 或 Fe 磁性电极上,或在非晶态 CoFeB 电极上生长,然后进行退火以重结晶电极,从而形成质地非常好的 MgO 屏障。
● 增加表面粗糙度 ● 使用非晶态材料作为声子路径上的悬浮结构。 ● 在表面涂覆低转变温度超导膜(图)或普通金属作为声子海绵(PRB 96, 220501(R) (2017))。