7KLV UHVHDUFK LV AND AND IN THE JLVDOLVDWLQ AND VILTERS VIQVRU\ H[SHUVLVWHQW AND AND AND LOVE PDSSSLVLEOs :KHURH KRZ LV LW IHOW LPDJLQHG LPDJHG" &DQ LW EH EVILIC PDSSHG frqvhtxhqwqwo \ who'&dq and and and and ylvdo odqjxdjo Infurlisionary。 prghov wr fkdqjh和shuvrq v olyhg h [shulhqfh“&kurqlq 3dlq 6 \ qgurp lv lv lv lv lvleoh xqsudvsdeoh lw dihfwv shrsoh shrsoh shrsoh shrsoh shrsoh shrsoh shrsoh shrsoh shrsoh shrsoh shrsoh hvvhqwldoo \ lw v d v d v v d vljqd and ysof and ysof and in vlj and in vlj and in vlj and in vlj and in vljq w and yus in vljq ryhu vhqvlwlvdwlrq ri wkh fhqwudo qhuyrxv v \ vwhp rffxuv $ 0d \ lq o lq 、1hxurlpdjdjdjdjvxdolvl whe和and and and and and and and and and and and and lq hylghqfhr frujdqlvdwlvdwlvdwlvuv和非常权利的权利ri ri iss olhv lq wr lqwhuxsw wkhvh vljqdov及其在此之前,与fdq uhdfd uhdfd vxe vxe vxe fruwlfd pruh frujqlwlyh odqjqllyh odqjjxdjjhg e eld wrrnwrrwhglrwhrrr wrrrr fruwlfd fruwlfd Ilqg rxw仅在[shulhqfh pdnlqj,prgho ri vrphwklqj eulqjlqj in [and and this and and and and and and and and and and and and and and and and and and and和fdw中,这是这个dooohyld ru glvr ru glvrvrpiruw suhvhqhqwklq ihq ihef vr vr vr vr vr vrr vrr vrr vrr vrr vr vr vrphwklqj eulqjlqj ihef lv fdvh fdvh fdvh lq p \ rxw rxw vwxfn dv lqvwhdg vrphwrjhwkkhu这个ioxlg fdq fdq fdvlvw zlwk wany wany wany wany wany wany
1。引言多晶材料中的晶体纹理(首选方向)对这些材料的性质各向异性具有显着影响。这意味着Crystallites的方向分布或方向分布函数(ODF)的定量描述是材料表征和预测其性质的重要任务。无法直接测量ODF;取而代之的是,可以测量极线(PF)来确定ODF。从测量的PFS重建ODF是定量纹理分析的主要目标。因此,应解决两个问题以获得ODF:从PFS的实验PFS和ODF重建的测量和处理。在X射线衍射技术中,有两种用于PFS测量的基本模式:使用2D检测器(1)的常规模式,具有0D检测器和更高级的模式。虽然使用2D检测器的PF进行测量更为先进,但需要其他工具将检测器的数据转换为PFS。准备PFS时,可以启动ODF重建过程。当前,使用三种方法进行ODF重建:串联扩展方法(3),组件方法(4),(5)和直接方法,例如WIMV(6)或ADC(7)。每种方法都有优势和缺点。系列扩展方法更为笼统,但是它需要大量测量的PF,并且在数值计算中存在一些问题。组件方法将ODF表示为具有明确物理含义的一组模型函数(组件)。此方法最方便地解释和表示结果,但可能需要大量时间来选择组件并拟合其参数。直接方法在旋转空间中使用离散网格上的ODF的数值计算。它们是最简单,最方便的,但不提供ODF的解释。在下一节中,我们将描述SmartLab Studio II的纹理插件,该插件旨在用于数据处理和定量纹理分析。该插件实现了ODF重建的上述两种方法:WIMV和组件方法。两者都可用于所有类型的晶体系统和两种类型的样品对称性(三角骨和正骨)。另外,插件可以使用
$Q XQSXEOLVKHG SDSHU IRXQG DERXW \HDU DIWHU +H -LDQNXL¶V ³H[SHULPHQW´ UHYHDOV YDULRXV HWKLFDO IODZV SHUSHWUDWHG E\ 'U +H 参见 -DNNL 0DJRZDQ 有关中国基因组编辑婴儿的未发表论文 % ,2 1 (:6 'HF KWWSV ZZZ ELRQHZV RUJ XN SDJHB >KWWSV SHUPD FF $ *0 ' 6-@ FLWLQJ WR 0,7 7HFKQRORJ\ 5HYLHZ 2QH ELRHWKLFLVW ZKR VRXQGHG LQ LQ IDYRU RI DOORZLQJ WKH WHFKQLTXH RQ KXPDQ HPEU\RV VLQFH WKH ULVNV RI JHQRPH HGLWLQJ DUH ³QRZ VR ORZ WKDW LW LV ERWK HWKLFDOO\ MXVWLILDEOH DQG KLJKO\ GHVLUDEOH´ WR GR VR 参见 0DVRQ %R\FRWW 2ZHQ “设计婴儿”可能不如父母期望的那么高或聪明 7 +( 7 (/(*5$3+ 1RY KWWSV ZZZ WHOHJUDSK FR XN QHZV GHVLJQHU EDELHV PD\ QRW VPDUW WDOO SDUHQWV H[SHFW VWXG\ ZDUQV >KWWSV SHUPD FF * * .@ 参见 -XOLDQQD 3KRWRSRXODV 利用 CRISPR 和干细胞技术在小鼠中研究糖尿病 % ,2('*( $SU KWWSV ZZZ ELRQHZV RUJ XN SDJHB >KWWSV SHUPD FF ($ +8-;@ 另见 -D\ 6WRQH CRISPR 有助于发现新的白血病基因 % ,2('*( $SU KWWSV ZZZ ELRQHZV RUJ XN SDJHB >KWWSV SHUPD FF ()' +434@ 参见一般 - (11,)(5 ' 28'1$ 6 $08(/ 6 7(51%(5* $ & 5$&. ,1 & 5($7,21 * (1( ( ',7,1* $1' 7+( 8 17+,1.$%/( 3 2:(5 72 & 21752/ ( 92/87,21 &DURO\Q %URNRZVNL CRISPR 种系伦理声明是否有效?&5,635 - $ IHZ ELRHWKLFLVWV KDYH HYHQ DUJXHG WKDW UHVHDUFK RQ HGLWLQJ KXPDQ HPEU\RV LV D ³PRUDO LP SHUDWLYH ´ VLQFH URXJKO\ RI DOO EDELHV KDYH ³VHULRXV ELUWK GHIHFWV .\OH 3HWHUVRQ 基因编辑器才刚刚起步:$// 6 7 - -XO\ KWWSV ZZZ ZVM FRP DUWLFOHV WKH JHQH HGLWRUV DUH RQO\ JHWWLQJ VWDUWHG >KWWSV SHUPD FF /0= & - @ 另请参阅 $OH[DQGHU :DUH 播客评论:人类令人惊叹、可怕的进化接管 % ,2 1 (:6 0D\ KWWSV ZZZ ELRQHZV RUJ XN SDJHB >KWWSV SHUPD FF + =6 <3)@
虽然在生理和病理条件下对心室机电进行了广泛的研究,但最近才解决了四腔心脏模型。但是,大多数作品但是忽略了心房收缩。的确,作为心房的特征是复杂的解剖结构和受心室功能强烈影响的生理学,开发了能够捕获生理心房功能和房屋相互作用的计算模型非常具有挑战性。在本文中,我们提出了整个人心脏的生物物理详细机电模型,该模型考虑了心房和心室收缩。我们的模型包括:(i)解剖上准确的全心几何形状; (ii)全面的心肌纤维建筑; (iii)活性力产生的生物物理详细微观模型; (iv)循环系统的0D闭环模型与心脏的机械模型完全耦合; (v)不同核心模型之间的基本相互作用,例如机械电气反馈或纤维拉伸和纤维拉伸速率反馈; (vi)每个心脏区域的特定本构定律和模型参数。,我们提出了一个有效的分离间隔式跨性别的方案,其中包括一种计算有效的策略来处理非导电区域。我们还提出了扩展最新的稳定技术 - 关于循环和纤维拉伸速率的反馈 - 全心全意,这证明了它们在四腔场景中获得稳定配方的关键。©2023作者。由Elsevier B.V.我们能够在压力 - 体积环,压力,体积和通量的时间演化以及三维心脏变形方面重现所有心脏腔室的健康心脏功能,并在心排血管磁共振的参考范围内具有体积指数。我们还表明了考虑心房收缩,纤维拉伸速率反馈和提出的稳定技术的重要性,通过比较模型中有和没有这些特征的结果。尤其是,我们表明,由于其所带来的数值挑战,纤维拉伸速率反馈通常被忽略,在体内弹出的血液中弹出的血液中起着基本作用。所提出的模型代表了IHEART ERC项目的最新机电模型 - 一种用于模拟心脏功能的综合心脏模型 - 这是迈向建立基于物理学的人类心脏数字双胞胎的基本步骤。这是CC BY-NC-ND许可证(http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/4.0/)下的开放访问文章。
图18。(a)化学计量对Ag a bi a bi b i a+3b化合物的结构的影响,(b)BII 3,(c)AGBII 4(缺陷型旋转结构)和(d)AGBII 4(CDCL 2-type结构)的碘化物亚晶格。化合物中化合物的晶体结构。经过国际材料评论的许可,69(1),(2024)。[139]版权所有©2024,Sage Publications。................................................................................................ 50 Figure 19. a) Device layout of AgBiI 4 PV cell and b) schematic of cell preparation needed before electrode deposition with grey area being untouched thin film layers and white area being area to be scratched off c) mask for gold electrode deposition (white area is area of deposition) ...........................................................................................................................................................................................雏菊1.0的工作流程。这些图像是预处理的,用于图像分析,然后使用Harris Kepoint检测到用于识别图像中缺陷的存在的模型将缺陷分类为缺陷。....................... 68 Figure 21.雏菊2.0工作流程。给出了雏菊1.0标记为“无缺陷”的图像被赋予谷物面膜以计算平均晶粒尺寸。标记为“缺陷”的图像被赋予缺陷面罩,以计算缺陷覆盖范围百分比和谷物面罩。在XRD模式A)CS 3 Bi 2 Br 3 I 6 B)CS 3 Bisbbr 3 I 6和C)CS 3 SB 2 BR 3 I 6,使用PAWLEY方法拟合。The residuals and agreement indices are shown ........................................................................................................ 76 Figure 23.XRD模式。显示了残差和协议指数。............................... 77 Figure 24.XRD拟合A)CS 3 BI 2 I 9 B)CS 3 BI 2 BR 9 C)CS 3 SB 2 I 9和D)CS 3 SB 2 BR 9反对2D。0D, 2D and 0D reference patterns respectively add goodness of fit ............................................................................................................ 78 Figure 25.a)cs 3 bi 2 i 9沿投影载体[006],b)cs 3 bi 2 br 9沿投影矢量[201],c)cs 3 sb 2 i 9沿投影矢量[004]和d)cs 3 sb 2 cs 3 sb 2 br 9沿投影矢量[003]a)cs 3 bi 2 I 9,b)cs 3 bi 2 br 9,c)cs 3 sb 2 i 9和d)cs 3 sb 2 br 9 ...................................................................................... 80图27。(a)CS 3 B 2 x 9系列的吸光度光谱从UV VIS和PS数据编辑,以及(b)Tauc图....... 82图28。pl衰变光谱在a)5.5k,b)40k,c)150k和d)300K pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。 在 agbii 4的XRD拟合,用于a)r3̅MH参考和b)fd3̅m参考。pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔从0-40NS开始。在agbii 4的XRD拟合,用于a)r3̅MH参考和b)fd3̅m参考。pl衰变光谱在a)5.5k,b)40k,c)150k和d)300k pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。 在 pl衰变动力学在不同温度的a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c)合并为比较。 ..................................................................................................................................... 86 Figure 31. CS 3 Bi 2 I 9(顶部)和CS 3 SB 2 I 9(底部)的PL的依赖性依赖 PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33. TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34. ta动力学比较a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 bi 2 i 9,c)cs 3 sb 2 i 9,d)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。 ....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。pl衰变光谱,从0-40ns以5NS间隔为0-40NS。在pl衰变动力学在不同温度的a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 sb 2 i 9和cs 3 bi 2 i 9和cs 3 sb 2 i 9的cs 3 sb 2 i 9和c)合并为比较。..................................................................................................................................... 86 Figure 31.CS 3 Bi 2 I 9(顶部)和CS 3 SB 2 I 9(底部)的PL的依赖性依赖PL peak wavelength vs temperature of a) Cs 3 Bi 2 I 9 and b) Cs 3 Sb 2 I 9 and the FWHM vs temperature plot of c) Cs 3 Bi 2 I 9 and d) Cs 3 Sb 2 I 9 .................................................................................................................................. 87 Figure 33.TA Spectra of a)b) Cs 3 Bi 2 I 9 , c)d) Cs 3 Sb 2 I 9 and e)f) Cs 3 Bi 2 Br 9 taken with 350 nm pump wavelength and 100 μW fluence .................................................................................................................................................... 88 Figure 34.ta动力学比较a)cs 3 bi 2 i 9,b)cs 3 bi 2 i 9,c)cs 3 sb 2 i 9,d)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 sb 2 i 9和e)cs 3 bi 2 br 9 bi 2 br 9 ........................................... 35。....................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 94图36。sem agbii 4 a)在合成的当天未涂层,b)合成后23天未涂层,c)在合成当天与螺旋罗涂有螺旋罗,而d)d)在合成后23天与spiro涂层。.................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................XRD of a) uncoated AgBiI 4 left in ambient air b) AgBiI 4 coated with spiro-OMeTAD left in ambient air .............................................................................................................................................................................. 95 Figure 38.. SEM images of AgBiI 4 synthesized with hot-casting method at a) 100 ᵒC b)110ᵒC,c)120ᵒC,d)130ᵒC,e)140ᵒC和f)150ᵒC。The temperatures specified are the set temperature of the hotpate for both the substrate and precursor solution prior to spin coating ........................................................................................ 97 Figure 39.用热铸造方法合成的Agbii 4的SEM图像,标记的温度是旋转涂层之前的底物和前体溶液的热板的温度。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。agbii 4的SEM图像在110°C时以22s的抗可溶性滴注在110°C时合成。a)未使用反溶剂,b)氯苯,c)IPA,d)甲苯........................................................................................................................................................................................................................................................................................................................................... 99图41.sem的Agbii 4的图像,在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A)1:1 B)1:1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1:1 22S C)3:1 d)3:1 D)3:1 D)3:1 D)在22s e)5:1 f)5:1 f)5:1 f)10:1 f)10:1 f)at 22:1 f)at 22:1 g) chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100sem的Agbii 4的图像,在110°C下合成了DMSO与DMF的比例为A)1:1 B)1:1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1 B)1:1 22S C)3:1 d)3:1 D)3:1 D)3:1 D)在22s e)5:1 f)5:1 f)5:1 f)10:1 f)10:1 f)at 22:1 f)at 22:1 g) chlorobenzene dripping at 22s i) pure DMSO and j) pure DMSO with chlorobenzene dripping at 22s ........................................................................................................ 100
30 82 01 36 02 01 00版本= 0 02 40模块= n 0a 66 79 1d C6 98 81 68 de 7a b7 b7 b7 74 19 bb 7f b0 c0 01 c6 27 10 27 10 27 00 75 17 00 75 14 29 42 E1 9A 8D 8D 81 D0 53 B3 B3 B3 B3 e3 e3 78 2 e3 78 78 2 e 3 48 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 7 4 8 1d e5 fc 5a4 f e5 fc 5a f e5 e5 f e5 e f e e f e eb a1 df e6 7c dc 9a 9a f5 5D 65 56 20 bb ab 0 0 01 00 01 publicxponent = E 02 40 privateexponent = D 01 23 c5 b6 1B a3 6E db 1d 36 79 90 41 99 A8 9E A8 0C 09 B9 12E 14 00 00 C0A 9A DC F7 78 46 46 76 D0 1D 23 35 6A 7d 44 D6 BD 8B D5 0E 94 BF C7 23 FA 87 D8 86 2B 75 17 76 91 C1 C1 1D 75 76 92 DF 88 81 02 20 PRIME1 = P 33 D4 84 84 45 C8 59 E5 C8 59 E5 C8 59 E5 C8 59 E5 23 40 DE 70 DE 70 4B CD DA 06 5F BB 40 5F BB 40 58 D7 58 D7 58 D7 58 D7 BB 4 40 c 9 6 7 6 7 6 7 6 7 67 c. 61 02 20 Prime2 = Q 33 5E 84 08 86 6B 0f D3 8D C7 00D 3F 97 2C 67 38 9A 65 D5 D8 30 65 66 D5 C4 F2 AA 52 62 8B 02 20 Exponent1 = D Mod P − 1 04 5E C9 00 71 52 53 25 D3 D4 D4 6D B7 96 95 E9 AF AC C4 52 39 64 36 0E 02 B1 19 BA A3 66 31 62 41 02 20 20 exponent2 = d mod Q - 1 15 EB 32 73 60 C7 B6 0d 12 E2 D1 6B DC D9 79 81 D1 D9 79 81 D1 D1 D1 7F BA 6B 6B 70 DB 70 DB 70 DB 13 B2 0B 43 6E 24 EA DA DA 59 DA 59 02 20 20 20 Q 2 2 Q 2 2 Q 2 Q Q. 2 Q 2 Q 2 Q. 2 A MOD量1D FA 24 D3 4A 24 CB C2 AE 92 7A 99 58 AF 42 65 63 FF 63 FB 63 FB 11 65 8A 46 1D div div div div div div
I.引言m绘制的喷嘴推进器是正在开发的几种技术之一,旨在满足对低功率,高特定冲动的空间推进的需求。这些推进器通过通过扩展的直流磁场加热和加速等离子体来运行[1]。主要存储在血浆电子中的热能随着血浆通过磁场扩展而转换为离子动能。通常,这些设备使用射频或微波功率来加热等离子体,从而实现无电极操作。此推进器体系结构具有多种属性,使其非常适合小型卫星推进。例如,缺乏电极可以进行反应性推进剂和潜在的低侵蚀操作。同样,该设计仅需要一个电源。与以前的设计相比,使用电子回旋共振(ECR)作为磁性喷嘴推进器中的加热源的最新发展已产生有希望的结果。推力支架测量结果显示,在30瓦的1000秒内,特定的冲动在10%以上的推力官方官方[2]。这是低功率直升机的发布数据和电感耦合等离子体设计的几倍[3]。话虽如此,尽管ECR推进器的性能是有希望的,但对于任务申请,水平仍然没有竞争力。为了充分证明这项技术的潜力,迫切需要确定技术途径以更快地提高其成熟度。此启用等离子属性,即高电子温度。为此,以前的参数实验表明,对于推进器几何形状的小变化可能对整体性能具有很大的影响,这表明可能进行进一步的性能优化[4]。改善ECR性能的另一种方法是操纵微波输入到推进器的功率调节。例如,将具有不同频率的多个波在注入推进器之前混合在一起,或以脉冲方式调节振幅。波浪混合方法的基础假设是改变功率条件可能会改变ECR共振区的位置和大小。另一方面,使用脉冲功率使推进器可以摆脱源于0D功率平衡的正常限制。两种类型的功率调节已经成功地在用于重离子生产的ECR离子来源上实施[5]。但是,尚未对推进器进行探索。采用这种优化方法的主要挑战之一是问题的维度。没有完整的基础物理模型,优化需要无梯度的方法。只有两个免费参数,探索设计空间可能需要数十个或数百个样本点。因此,对于可以更有效地测试每个设计点的工具来说,需求显而易见。这项工作的目标是探索通过传统的单频率操作,两频加热和脉冲操作来优化低功率ECR推进器的策略。本文以以下方式组织。sec。sec。我们使用基于替代物的优化算法来指导每种情况下参数空间的探索。我们首先激励我们的研究。ii通过引入推进器的全局模型,我们用来确定密钥优化参数。iii我们描述了实验设置,包括推进器,真空设施和所使用的诊断。第四节详细详细介绍了优化过程和
2 深圳大学微尺度光电子研究所二维光电子科学与技术教育部国际合作实验室,深圳 518060 3 扬州大学化工学院,扬州 225002 4 九州工业大学工学部应用化学系,北九州 804-8550,日本 抑制光生电荷复合对于高效光催化产氢至关重要。同质结因其优异的晶体结合和能带结构匹配而比异质结受到更多关注。然而,大多数同质结受到连续氧化相和还原相引起的氧化还原反应干扰,阻碍了光催化活性的提高。制备电荷相和氧化还原相完全空间分离的同质结光催化剂仍然具有挑战性。这里,我们通过背靠背几何结构制备了一种氧化相和还原相完全分离的二维同质结 CeO2。所制备的 CeO2 表现出两种不同的表面:一种光滑,另一种粗糙。实验和理论结果表明,与光滑表面相比,粗糙表面上有更多的 CeO2{220} 具有更高的还原能力,而 CeO2{200} 具有更高的可见光吸收能力。二维同质结 CeO2 产生的氢气量是普通 CeO2 纳米片的三倍,甚至超过了负载金纳米粒子的 CeO2 纳米片的氢气量。这项工作提出了一种新的同质结光催化剂模型,其电荷相和氧化还原相都完全空间分离,这将启发对同质结光催化剂的进一步研究。光催化制氢代表了一种很有前途的太阳能燃料生产方法。 1-5 光生电荷的分离 6-8 是增强光催化活性的关键因素,因为它决定了实际转移到催化剂表面的电荷量。促进电荷分离的策略包括形貌控制、9,10 掺入掺杂剂、11-14 用贵金属 15 纳米粒子改性表面以捕获光生电荷并延长其寿命,或构建异质结 16-18 或同质结 19-21 以促进电荷载体的空间分离。异质结或同质结界面处的能带偏移可产生电势梯度,使电荷载体彼此远离,从而抑制它们的复合。与异质结光催化剂相比,同质结光催化剂是同一材料两个区域之间的界面,有利于晶相键合和能带结构匹配。 22,23 同质结光催化剂可分为几种类型,如 pn 结、21,22,24 nn 结、20、25 非晶-晶体结 26 以及结合了不同形貌特征(如 0D、1D 和 2D 材料)的复合材料。23,27 例如,Zou 等人 21 将 n 型氧缺陷的 TiO 2 QD 与 p 型钛缺陷的 TiO 2 结合,制成 TiO 2 pn 同质结,结果表明 pn 同质结 TiO 2 的光催化制氢性能是纯 p-TiO 2 的 1.7 倍。尽管同质结光催化剂具有多功能性和坚固性,但在大多数同质结中,氧化相和还原相是连续的且位于同一侧,导致氧化还原反应相互干扰,阻碍了光催化活性的提高。制备表现出电荷和氧化还原相完全空间分离的同质结光催化剂仍然是一个挑战。在此,我们设计了一种空间电荷分离的二维同质结 CeO2 用于光催化产氢,其氧化相和还原相通过背靠背几何结构完全分离。所制备的 CeO2 呈现二维形貌,并表现出两种不同的表面:一种是光滑的,另一种是粗糙的。实验和理论结果表明,与光滑表面相比,粗糙表面上 CeO2 {220} 含量更高,具有更强的还原能力;CeO2 {200} 含量更高,具有更强的可见光吸收能力。二维同质结 CeO2 的产氢量是普通 CeO2 纳米片的 3 倍,甚至超过了负载金纳米粒子的 CeO2 纳米片。二维同质结 CeO2 产生的氢量是普通 CeO2 纳米片的 3 倍,甚至超过了负载金纳米颗粒的 CeO2 纳米片。二维同质结 CeO2 产生的氢量是普通 CeO2 纳米片的 3 倍,甚至超过了负载金纳米颗粒的 CeO2 纳米片。
