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17020E再生电池组测试系统...
最大电流720a（可平行）720a（可平行）720a（可平行）400A（可平行）400A（可平行）200A（可平行）200A（可平行）400A（平行）充电/电流电压范围0V〜60V〜60V〜60VDC 0V 〜60V〜60V〜60V〜60V〜60V〜60V〜60V〜60V〜60V〜60V〜60V〜100V〜100V〜100v〜100V〜100V〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜〜 0V〜200VDC最大电流180A 180A 360A 100A 100A 100A 100A 100A最大功率10kW 10kW 20kW 10kW 10kW 10kW 10kW 10kW 10kW 10kW CC模式精度0.1％STG+0.05％F.S。电流分辨率10mA 10mA 10mA 5mA 5mA 15mA 15mA CV模式精度0.1％STG+0.05％F.S.电压分辨率2MV 2MV 2MV 3MV 3MV 3MV 3MV 3MV CP模式精度0.2％STG。+0.1％F.S.功率分辨率0.3W 0.3W 0.3W 0.5W 0.5W 1.5W 1.5W 1.5W测量电压范围0V〜60VDC 0V 〜60VDC 0V〜60VDC 0V〜60V〜100VDC 0V〜100V〜100V〜100VDC 0V〜200VDC 0VDC 0V 〜200VDC 〜200VDC电压准确性0.02％02％02％rdg。+0.02％RDG。+0.02％RD。电压分辨率2MV 2MV 2MV 3MV 3MV 3MV 3MV电流范围72A/180A 72A/180A/180A 144A/360A 36A/100A 36A/100A 36A/100A 36A/100A 36A/100A 36A/100A电流准确度0.05％RDG。+0.05％RNG。电流分辨率10mA 10mA 10mA 5mA 5mA 3mA 3mA功率范围10kW 10kW 20kW 10kW 10kW 10kW 10kW 10kW功率精度0.07％RDG。+0.07％RNG。Power resolution 0.3W 0.3W 0.3W 0.3W 0.3W 0.3W 0.3W Temperature Coefficient Voltage/Current 50ppm/˚C Other Protection OVP, UVP, OCP, OQP, OTP, ODVP, UDVP, ODCP, UDCP Efficiency (Typical) 85% Interface Ethernet Operating Temperature 0˚C~40˚C & 0~90RH% Humidity -40˚C~85˚C (Storage) AC input 3 Φ 200~220Vac ± 10% VLL/3 Φ 380~400Vac ± 10% VLL/ 47~63Hz for input AC power Safety & EMC N/A Dimension 1826mm x 600mm x 1100mm (H x W x D) Weight (master/slave) 260/250 kg 390/380 kg 260/250 kg 260/250 kg 390/380 kg 260/250 kg 390/380 kg
产品目录
•带有条形图和双重阅读显示显示•自动背光（可以禁用）•50V，100V，100V，250V，500V，1000V，1000V-最高200G-极化指数（PL） - 介电吸收比（DAR） - 定时测试（IJP至40分钟）•连续bondusigrandmame（连续）（连续）（连续）（0.0）， - Automatic bi-directional test (show the higher one) • 600V DC & AC (TRMS) measurement - Low-pass Filter (LPF) • 0.1nF to 10gF Capacitance measurement • COMPARE (Pass/Fail) Function - Available for Insulation Test and Earthbond Resistance - 2 color LED Indicator (Green / Red) & Sounds (Continuous Beep / Beep twice) • Store / Recall Function - 1500 records for each function • Bluetooth与Powerprope®链接应用程序的连接
intersil 空间产品
ISL70040SEH 和 ISL73040SEH 低侧氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 驱动器以及 ISL70023SEH 和 ISL70024SEH GaN FET 可用于运载火箭和卫星以及井下钻探和高可靠性工业应用中的初级和次级 DC/DC 转换器电源。这些设备为铁氧体开关驱动器、电机控制驱动器电路、加热器控制模块、嵌入式命令模块、100V 和 28V 电源调节以及冗余切换系统供电。
Gemini SC系列用户手册
1。最大逆变器输出定义逆变器100％负载输出在VAC = 100V / 200V 2。< / div>由AC输入电流 +逆变器输出电流定义的最大AC输出，不能超过AC输入极限电流。（基于UL法规）。3。最大交流输入电流（通过断路器）是AC旁路电流 +充电电流4。Gemini SC系列是A类产品。在家庭环境中，该产品可能会导致无线电干扰，在这种情况下用户
MOSFET 手册 2023 V1.0a
江苏杰杰微电子（又名 JJM）的汽车级 MOSFET 提供 -100V 至 650V 的击穿电压 V DS_Max。栅极源阈值电压 V GS(th) 为高电平（2.7 ~ 3.5V）或低电平（1.5 ~ 1.9V，-1.0 ~ -3.0V）。源极漏极导通电阻 R DS(ON) 低至 0.56mΩ（@ V GS = 10V）。FOM 低至 55。这些 MOSFET 通常组装在高效功率封装中，要么是小型表面贴装型，要么是传统通孔型。这些包括但不限于以下具有优异热特性的封装：PDFN3x3-8L、PDFN5x6-8L/-D、PowerJE®10x12（兼容TOLL）、PowerJE®7x8（兼容sTOLL）、TO-247-3/7L等。所有器件均按照AEC理事会和JEDEC定义的相关标准进行了长期可靠性和质量测试。
32款车规级40〜150V n-jsfet®
这40〜150V SGT MOSFET非常适合汽车内部的应用。根据AEC-Q101质量标准对其长期可靠性进行了测试。JMSL0406AGQ及其双DIE变体JMSL0406AGDQ在车身控制模块（BCM）中很受欢迎，例如低功率DC电动机驾驶。r ds（on）降至13m，JMSH041AGQ适合中/高功率直流电动机的功率效率要求。典型的应用是：多路电动座椅，电源后挡板，集中式门锁，ESC（电子稳定控制）。在V ds_max = 100V处，并在低调的PDFN5x5-8L软件包中组装，JMSL1018AGQ非常适合在信息娱乐/ADAS单元的平板显示器显示中LED背光。相比之下，JMSL1020AGDQ同时在较大面板中同时驱动两个高亮度LED。
说明手册
Force Range : 20kN to 80kN, set digitally with 1kN resolution Travel Range : 43mm - Retracted distance to RAM end: 22.5mm - Extended Distance to RAM end: 20.5mm Power : Electro-Hydraulic Actuator Voltage : 18V Li-ion Battery Powered Charging Source : AC 100V~240V 50-60Hz (Auto-Switching) Charging Time : Approximately 2 Hours Working Temperature : 14- 140°F（-10〜40°C）铆接时间：3-5秒连续使用：大约250个周期操作噪声水平：60-70db工具重量：7.17kg（15.8磅），带有标准的55mm手臂和电池安装的标准臂包括：标准的C型灯臂（标准C型杆（2）可回收电池，电池和电池，打孔器和Die Sets。每电荷循环E：200个周期（通过使用 /力强度变化）替换电池：Makita零件＃BL1830 < / div>
适用于储能应用的新型软开关双向 DC-DC 转换器
1 印度布巴内斯瓦尔 KIIT 大学电子工程学院 2 捷克共和国皮尔森西波西米亚大学电气工程区域创新中心 3 印度布巴内斯瓦尔 KIIT 大学电气工程学院 venkata.yanna@gmail.com、kumarbvv@rice.zcu.cz、bvvs.kumarfet@kiit.ac.in、drabek@ieee.org、madhuflo@gmail.com 摘要 – 本文提出了一种软开关双向 DC-DC 转换器。为了实现软开关条件 ZVS 开启/ZCS 关断，辅助电路（包括开关、电容器、二极管和小电感器）适用于双向转换器。无论功率传输如何，此转换器均可实现软开关特性。由于辅助电路的存在，开关损耗减少，从而提高了整体效率。开关器件实现ZVS开通和ZCS关断操作，而变换器分别工作在升压和降压模式。描述了其工作原理并通过仿真分析验证了软开关特性。通过仿真分析验证了所提出的100V/340V/650W变换器系统。
用于高效功率转换的 GaN 晶体管...
四十多年来，随着功率金属氧化物硅场效应晶体管 (MOSFET) 结构、技术和电路拓扑的创新与日常生活中对电力日益增长的需求保持同步，电源管理效率和成本稳步提高。然而，在新千年，随着硅功率 MOSFET 渐近其理论界限，改进速度已经放缓。功率 MOSFET 于 1976 年首次出现，作为双极晶体管的替代品。这些多数载流子器件比少数载流子器件速度更快、更坚固，电流增益更高（有关基本半导体物理的讨论，一个很好的参考资料是 [1]）。因此，开关电源转换成为商业现实。功率 MOSFET 最早的大批量消费者是早期台式计算机的 AC-DC 开关电源，其次是变速电机驱动器、荧光灯、DC-DC 转换器以及我们日常生活中成千上万的其他应用。最早的功率 MOSFET 之一是国际整流器公司于 1978 年 11 月推出的 IRF100。它拥有 100V 漏源击穿电压和 0.1 Ω 导通电阻 (R DS(on))，堪称当时的标杆。由于芯片尺寸超过 40mm2，标价为 34 美元，这款产品注定不会立即取代备受推崇的双极晶体管。从那时起，几家制造商开发了许多代功率 MOSFET。40 多年来，每年都会设定基准，随后不断超越。截至撰写本文时，100V 基准可以说是由英飞凌的 BSZ096N10LS5 保持的。与 IRF100 MOSFET 的电阻率品质因数 (4 Ω mm 2 ) 相比，BSZ096N10LS5 的品质因数为 0.060 Ω mm 2 。这几乎达到了硅器件的理论极限 [2]。功率 MOSFET 仍有待改进。例如，超结器件和 IGBT 已实现超越简单垂直多数载流子 MOSFET 理论极限的电导率改进。这些创新可能还会持续相当长一段时间，并且肯定能够利用功率 MOSFET 的低成本结构和一批受过良好教育的设计人员的专业知识，这些设计人员经过多年学习，已经学会了从功率转换电路和系统中榨干每一点性能。
Hi-Rel 解决方案 - KAMAKA Electronic GmbH
抗辐射功率 MOSFET（CoolMOS™ 技术） 100V、150V、250V，SMD-0.5、SMD-2、TO-254AA、TO-257AA TID>100Krads（可根据要求提供 300Krads），SEE >LET 55 / 85 MeV “SAM” 为电气功能样品 “P” 为面包板和 EM 上使用的专业级 “ES” 为 ESA 空间级，用于完全合格的卫星飞行模块 微波晶体管 硅双极晶体管技术 额定电源电压从 4V 到 12V 输出功率从 20mA 到 150mA 转换频率从 6.5GHz 到 42GHz 微波硅二极管 小信号、肖特基和 PIN 二极管 I Fmax= 120mA 至 5A，V BR= 40V 至 150V，R F= 0.9Ω 至 10Ω可提供芯片（裸片） 客户特定筛选 抗辐射功率 MOS、MW 晶体管 ESA 资格 ESCC 合格产品 所有产品均在欧洲生产 - 无需出口许可证