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（8）其他 A. 您必须在投标文件等中明确载明或提交书面承诺，表明您已做出《投标和签约指南》中附录2“有关排除有组织犯罪集团的承诺”中规定的承诺。 （未记载或未提交则视为无效。） * 誓词撰写方法 “本公司（本人（若为个人）、本公司（若为团体））谨此誓词《关于排除黑社会组织誓词》中所列事项。” * 誓词《招标及承包指南》附录2中的“关于排除黑社会组织誓词” 不接受通过电话或电报进行的投标。 （c）投标前，必须向主管官员提交资格审查结果通知副本。邮政投标亦同。 （e）对于投标文件的明细，尽量在公告中使用，以方便确定中标人。 若委托代理竞买，须在竞买前提交委托书，证明代理权已得到授权。 如果在投标日期前通过邮寄或亲自提交，投标文件应放在信封中并密封。将装有投标表及资格审查结果通知书复印件的信封放入邮寄信封，在信封正面用红色写上您的姓名（公司名称或商号）和“2024年11月20日上午11点开标（公告第46号 螺栓滑块100V及其他1项，随附投标表）”后提交并寄出。请注意，通过邮寄提交时，只有在投标开始日期前一天中午12点前到达我们办公室的文件才被视为有效（如果投标开始日期的前一天是行政机构指定的假日，则为前一天中午12点），因此请务必致电下方的负责人确认文件是否已经到达。 如果投标人不需要在投标文件上加盖印章，则应当在投标文件上写明负责及承办人员的姓名及联系方式。 Q) 如果需要重新投标，请准备一份备用投标。此外，如果有通过邮寄或其他方式投标的人，则会在政府指定的日期和时间进行重新招标。 如果您通过邮寄或其他方式竞标且不打算再次竞标，则必须附上一份竞标表格，注明“我拒绝再次竞标”。 （无需密封被拒绝的投标）有关规格的询问，请联系下列人员。
R160 - SUNKKO T-685 电池和电池组测试仪说明...
R160 - SUNKKO T-685 电池和电池组测试仪使用说明亲爱的客户，感谢您的信任并购买本产品。本使用说明书为产品的一部分。它包含有关将产品投入运行和操作的重要说明。如果您将产品传递给其他人，请确保也向他们提供这些说明。请保留本手册，以便随时再次阅读！本产品是顺应电池行业的发展而开发的针对低阻大容量锂电池的检测及高速分选。内阻的单位一般为mΩ。内阻较大的电池在充放电过程中，内部功耗会很大，而且发热严重，会造成锂离子电池老化衰减加速，同时也限制了高倍率充放电的使用。内阻越低，锂离子电池的寿命越长，倍率性能越好。通过测量内阻可以检查出好电池、坏电池以及相同的电池。在组装电池组时，需要对电芯容量、内阻、电压进行检查和匹配。电池组的性能取决于最差的电池单元。概述：1、本仪器采用意法半导体公司进口高性能单晶微电脑芯片，结合美国“Microchip”高分辨率A/D转换芯片作为测量控制核心，以锁相环合成的精密1000Hz交流正电流作为测量信号源，施加于被测元件。产生的微弱压降信号经高精度运算放大器处理，再由智能数字滤波器分析出相应的内阻值。最后显示在一个大的点阵LCD显示屏上。 2、该仪器优点：准确度高、自动选档、自动极性识别、测量速度快、测量范围广。 3.该装置可同时测量电池（蓄电池）的电压和内阻。采用四线开尔文型测试探头，可以更好地避免测量接触电阻和导体电阻的干扰，具有良好的抗外界干扰性能，从而得到更准确的测量结果。 4.仪器具有与PC机串行通讯功能，可利用PC机对多个测量结果进行数值分析。 5.本仪器适用于各类电池交流内阻（0—100V）的精确测量，特别适合大容量动力电池的低内阻测量。 6、该设备适用于工程中的电池研发、生产及质量检测。产品特点：采用18位高分辨率AD转换芯片，确保测量准确；双5位显示，最高测量解析度值为0.1μΩ/0.1mv，精细度高；自动多单位切换，覆盖广泛的测量需求 自动极性判断及显示，无需区分电池极性 平衡开尔文四线测量探头输入，高抗干扰结构 1KHZ交流电流测量方式，精度高
晶圆级光学制造
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》（见第 74-75 页）中指出，受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动，碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元，因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如，三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块，采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片（第 15 页）。此外，在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下，结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺，可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长（同时缩短工艺周期和设备磨损）（第 14 页）。与此同时，SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作，获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同，以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN，用于电动汽车电力电子设备（第 16 页）。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC，该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列，面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用（第 18 页）。GaN 器件在电源应用（例如消费电子产品的快速充电器）中的应用持续激增（尤其是随着性能的提高）。例如，在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前，移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时，中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC，用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器（第 19 页）。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外，Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合，旨在推动快速充电电源适配器的普及（第 20 页）。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计，用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器（第 21 页）。Mark Telford，编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书，展示了其 GaN 器件的可靠性，超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡，IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心，作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室，将于 2021 年中期投入运营（第 22 页）。最近，就在 9 月 29 日，总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂，专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证，初始产品正在市场上迅速推广，预计将在 2020 年底达到满负荷生产（下一期新闻页面将全面报道）。