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AI驱动的网络安全评估汽车
TESI A：开发基于电感，电容或混合概念的无线充电系统，用于为各种系统充电，包括微型驾驶系统，无人驾驶空中系统或水下系统。TESI B：开发用于高速运动驱动器的牵引逆变器。这项工作将着重于使用宽带设备为非常高速驱动器进行优化和构建牵引逆变器。TESI C：高压SIC（10KV）设备表征和栅极驱动程序的开发。这项工作将研究NCSU可用的10kV工程原型的新颖方式。TESI D：中型电压应用的高隔离电压辅助电源设计的设计。这项工作将集中于高隔离的发展
军用/航空航天互连元件的耐压测试
• V7X 系列提供功率、速度、 • 95X 系列提供功率、速度、 • 964i 高压切换，用于自动精度和分辨率测试系统 • 交流和直流输出电压高达 5KV • 交流/直流输出范围广，高达 • 多导体/多点 • 计算精度和速度 30 kV 交流和 15 kV 直流 • 8 通道高压切换卡（8 个超过行业标准 • 每张卡的计算精度和速度，总共 64 个测试点） • 彩色触摸屏和自动测试超过行业标准 • 可配置电压额定值 - 可用软件 - 电流 3kV、7kV、10kV 和 15kV 的分辨率为 100 pA • 彩色触摸屏和自动测试软件可用
已发表版本的引用（APA）：Takahashi, M., Aunsborg, T. S., Uhrenfeldt, C., Munk-Nielsen, S., & Jørgensen, A. B. (2022)。数字设计演示
摘要 — 由于市场上可用的样品数量很少，通过实验确定 10 kV SiC-MOSFET 功率模块的可靠性具有挑战性。基于 3D 热计算的数字设计可提高 10 kV SiC-MOSFET 功率模块的可靠性。模块设计是根据数字孪生建模计算确定的。通过制造 10kV SiC-MOSFET 功率模块样品并将计算温度与测量结果进行比较，证实了数字孪生模型的正确性。该设计侧重于芯片上的铝线，并阐明了改变导线布局对导线温度的影响。结果表明，与传统设计相比，改进的导线布局可将导线温度降低 2.2-5.3%。根据基于 Coffin-Manson 模型的预测，这有望将功率循环能力提高高达 31%。
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MR：运动响应包括两（2）个松下EKMB1203112被动红外（PIR）传感器以检测运动。在5分钟的时间内未检测到运动时，Bollard会在2分钟的时间内逐渐变暗至20％的功率和光线。一旦检测到运动，Bollard便会立即升至全功率和光输出，直到在5分钟内未检测到运动为止。有关运动响应的更多信息，请参见文档的结尾。sp2：根据ANSI/IEEE C62.45测试的整体振金保护器C62.41.2 C62.41.2场景I类别I C高暴露率高20KV/20KA波形，线路，线路中性和中性地面，并与U.S. Doe counsert（U.S. Doe）（Munient）（MUNIC STREED）（MUNIC）MSSS S. MUNIC STREECT（MUN）。对于LED道路灯具，高测试级别10KV / 10KA的电动免疫要求。
智能变压器中性点电流优化控制...
摘要 — 在三相四线低压配电系统中，不平衡负载会导致中性电流 (NC) 形成环路，从而导致功率损耗增加和中性电位变化。与传统电力变压器相比，智能变压器 (ST) 具有严格的电流限制以避免过流。然而，其在下游低压电网电压调节方面的优势可以提供调节过度 NC 的能力。本文提出了一种闭环 NC 优化控制，一方面，在满足标准 EN 50160 要求的正常运行中最小化 NC 电流，另一方面，在极端情况下抑制 NC 电流以避免 ST 过流损坏。根据曼彻斯特地区三相四线配电网，通过硬件在环设置和基于不平衡负载曲线下的 350kVA、10kV/400V、ST 供电配电网的案例研究，通过实验测试验证了所提出的控制策略。结果清楚地证明了所提出的NC优化控制策略对NC抑制和最小化的有效性和灵活性。
ISO6740-Q1，ISO6741-Q1，ISO6742-Q1 ISO7741.pdf 区域体系结构如何铺平通往完全软件的方式... 使用MSPM0 AEC- ... 设计更智能的汽车系统 EMC合规性测试 如何设计一个用于高级电动汽车电池管理系统的智能电池接线盒 TLV9051 / TLV9052 / TLV9054 5MHz，15V / µs高slew- ... < / div> TMCS1127 250KHz Hall-hall效果电流传感器，带有增强隔离工作电压和环境场拒绝数据表
•功能安全性 - 可用于帮助功能安全系统设计的文档设计：ISO6740-Q1，ISO6741-Q1，ISO6742-Q1•AEC-Q1•AEC-Q100具有以下结果： - 设备温度级：1：–40°C至125°C的环境隔离范围•隔离范围•50M隔离率•50m在1500V RMS的工作电压下 - 高达5000V RMS隔离额定值 - 高达10kV的电压 - ±150kV/μs典型的CMTI•供应范围：1.71V至1.89V至1.89V至2.25V至2.25V至5.5V至5.5V•1.71V•1.71V•1.71V至5.5V级至5.5V级别•默认输出•ISO674X-Q1-1674X-Q1-ef（ISO674X-Q1） per channel typical at 1Mbps • Low propagation delay: 11ns typical • Robust electromagnetic compatibility (EMC) – System-level ESD, EFT, and surge immunity – ±8kV IEC 61000-4-2 contact discharge protection across isolation barrier – Low emissions • Wide-SOIC (DW-16) Package • Safety-Related Certifications : – DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17） - UL 1577组件识别程序 - IEC 62368-1，IEC 61010-1，IEC 60601-1 - GB 4943.1
An on-chip TVS design to meet system level ESD protection for RS485 transceiver Zijie Zhou*, Wenjie Zhang* , Huihui Yuan* , Qi Jiang* , Yang Wang*, X
RS485接口广泛应用于工业控制、远程抄表等领域，而这些领域经常受到严重的静电损害。本文提出了一种无需额外工艺改造的片上TVS（OCT）结构和一种用于RS485收发器IC的新型静电放电方法。它由一系列齐纳二极管组成，采用5V/18V/24V 0.5μm CDMOS工艺制作。对提出的OCT进行了100ns脉冲宽度的传输线脉冲（TLP）测试。驱动电路本身也可用作ESD器件。OCT触发电压与RS485标准的信号电平兼容。OCT器件的人体模型（HBM）防护等级高达16.34kV。对集成OCT的RS485收发器也进行了测试，以验证其可靠性。结果表明，它能够通过 IEC61000-4-2 接触 ±10kV 应力和 IEC 61000−4−4 电快速瞬变 (EFT) ±2.2kV，不会出现任何硬损坏和闩锁问题。集成 OCT 的 RS485 收发器可实现高达 500 kbps 的无错误数据传输速率。该芯片占用 2.4 × 1.17mm 2 的硅片面积。关键词：片上 TVS (OCT)；传输线脉冲 (TLP)；RS485 齐纳二极管。
已发表版本的引用（APA）：Takahashi, M., Jørgensen, JK, Jørgensen, AB, Munk-Nielsen, S., & Uhrenfeldt, C. (2023)。热循环失败
摘要 — 如果可以在 3D 模型上评估模块的结构弱点，则无需物理原型即可对电源模块进行可靠性结构优化。在本研究中，研究了 3D 热应力模拟作为中压电源模块热循环测试 (HCT) 故障点的预测工具。该模块具有两种不同陶瓷（Al2O3 和 AlN）的多层结构，以减少寄生电容。在这个结构复杂的模块中，实际测试样品的故障点与 3D 模拟中的热机械应力的弱点相重合。热循环测试（125/-40°C）用于模拟和测试。模块的故障点主要是 HCT 100 次循环后铜从 AlN 基板表面剥离。剥离位置与模拟中的点相匹配，模拟结果具有两个特征，即高剥离应力点和铜图案的高形状变形。这一观察结果适用于仅与陶瓷连接的铜图案，而与其他相邻层连接的铜图案则不遵循这一趋势。索引术语 —10kV SiC-MOSFET 功率模块、热循环、3D 建模、有限元方法、热机械应力
智能次要变电站监控（Winterpeak）
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