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新型抗体药物偶联物的临床前评估（...
IL-13R α 2阴性细胞G361（左）稳定表达萤火虫荧光素酶作为发光报告基因，命名为G361-Luc。将内源性IL-13R α 2表达的A375黑色素瘤癌细胞和G361-Luc细胞混合物（比例=2:1）接种到96孔板中，每孔4000个细胞，用0/0.1/1/10nM抗体处理6天。用Cell-Titer-Glo®活力测定试剂盒评估细胞活力。与人IgG1对照抗体（右）相比，当细胞混合物与0.1/1/10nM的LM-306孵育时观察到明显的旁观者效应。
加快基于证据的新生儿筛查的克拉布疾病最终报告：2024年2月1日
关键问题1、2和3通过以前的Krabbe病新生儿筛查基于证据的审查的程序进行更新的系统证据审查。此外，对包括Psychosine二线测试在内的新生儿筛查计划进行了调查，目前的阈值范围为1至2 nm，以提供有关预期筛查结果的信息，如果使用了干血精神病的阈值≥10nm≥10nm来提示进一步评估。关键问题4使用以前的Krabbe疾病新生儿筛查基于证据的审查的决策分析进行了解决，以反映所提出的两层筛查算法。这项加快的基于证据的审查无法评估婴儿Krabbe病的新生儿筛查的准备和可行性。然而，先前的报告评估了对克拉布疾病的新生儿筛查的准备和可行性，预计出生后36个月发作。
mllt1/3 的首创靶向蛋白质降解剂，用于
通过 HTRF 测定法测量 MLLT1/3 YEATS 域抑制。除非另有说明，实验均在 MV4:11 细胞中进行。在 4 小时时确定人类 MLLT1 的降解。在 NIH-3T3 细胞中，在 5 小时时确定小鼠 MLLT1 和 3 的降解。使用 100nM MLLT-TPD 进行降解动力学分析。使用 JESS Protein Simple 确定 DC 50 和动力学。DIA 质谱全局蛋白质组学用于评估 10nM (4 小时) MLLT-TPD 的选择性。硼替佐米用作蛋白酶体抑制剂，来那度胺用作 CRBN 粘合剂。MLLT-I 是一种内部专有的 MLLT1/3 抑制剂，与 MLLT-TPD 密切相关。通过 Cell-TiterGlo 读数 (5d) 在 Elplasia 板中测量 AML/ALL 细胞活力。 MLLT-TPD 用于除染色质 MLLT1 降解（接近 MLLT-TPD 类似物，DC 50 1.4nM）和 AML/ALL 细胞活力（第二个接近 MLLT-TPD 类似物，DC 50 10nM）之外的所有实验。
加快基于证据的新生儿筛查的克拉布疾病最终报告：2024年2月1日
关键问题1、2和3通过以前的Krabbe病新生儿筛查基于证据的审查的程序进行更新的系统证据审查。此外，对包括Psychosine二线测试在内的新生儿筛查计划进行了调查，目前的阈值范围为1至2 nm，以提供有关预期筛查结果的信息，如果使用了干血精神病的阈值≥10nm≥10nm来提示进一步评估。关键问题4使用以前的Krabbe疾病新生儿筛查基于证据的审查的决策分析进行了解决，以反映所提出的两层筛查算法。这项加快的基于证据的审查无法评估婴儿Krabbe病的新生儿筛查的准备和可行性。然而，先前的报告评估了对克拉布疾病的新生儿筛查的准备和可行性，预计出生后36个月发作。
《芯片法案》中的试点线路
– FDSOI 轨道 à 10nm – 研究 PDK 投射逻辑节点 2nm（2024 年）到 7Å 节点（~2030 年）：实现现有 IP 前瞻性基准测试 / 了解未来变化（如 Forksheets、背面电源分布、CFET 和 2D 材料通道）对产品路线图的影响 – 3D 异构集成 Chiplet 实现 – 加速早期试验线量子、神经形态探索、模拟和混合信号 / 电源 / 硅光子学 – 安全芯片 – 可持续性
AD 2 - EGDY - 1 - 1 英国军事 AIP YEOVILTON
4. 注意。直升机和空中交通管制员可能在死区启用。5. 来访的固定翼空中交通管制员应在 40 海里（喷气式飞机）、20 海里（活塞式飞机）和近端呼叫进近。6. 飞行员不得飞越 2000 英尺 AGL 以下的 GLASTONBURY、SHEPTON MALLET 或 EVERCREECH。7. 飞行员应自行导航到 10 海里或 2000 英尺以上的航线，并切换到塔台。空中交通管制员通常应在 26 号跑道的 1000 英尺 QFE 处的跑道 THR 处或 04、08 或 22 号跑道的交叉口处“中断”。8. 对于固定翼飞机的恢复，初始点位于 3 海里、1500 QFE 处，并且位于死区。 9. 由于固定翼 / 旋翼飞机混合飞行，死角是通过球形雷达罩北侧并与正在使用的跑道平行绘制的一条线。
Metrology-Dektak-XT-Brochure.pdf - PTA
DektakXT 设计中的几项进步使其具有 4 埃重复性的性能。DektakXT 平台采用单拱结构，比悬臂式设计更坚固、更耐用，从而降低了对声学和地震噪声等不利环境条件的敏感度。作为对这种拱形结构的补充，布鲁克显著提高了电子设备的稳定性，减少了温度变化并采用了现代处理器。这些“智能电子设备”采用了先进的电路设计来最大限度地减少导致误差的噪声，使 DektakXT 成为一种更强大的系统，用于测量 <10nm 台阶高度。独特的单拱设计和智能电子设备的结合使本底噪声大大降低，并使 DektakXT 在竞争性触针轮廓仪产品中脱颖而出。
高体积膨胀锂离子电池机械完整性的原位研究
第四族元素及其氧化物，如硅、锗、锡和二氧化硅，具有比商用石墨阳极高得多的理论容量。然而，这些材料在循环过程中体积变化很大，导致严重的结构退化和容量衰减。Al 2 O 3 涂层被认为是提高高容量阳极材料机械稳定性的一种方法。为了直接了解 Al 2 O 3 涂层的效果，我们使用原位聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM) 监测了循环过程中涂层/未涂层 Sn 颗粒的形貌变化。结果表明，Al 2 O 3 涂层提供局部保护并减少体积膨胀早期裂纹的形成。3nm Al 2 O 3 涂层比 10nm 和 30nm 涂层提供更好的保护。尽管如此，由于体积膨胀较大，Al 2 O 3 涂层无法防止循环后期的粉碎。
掺杂通道 SOI pMOS TCAD 描述包括浮体效应
几十年来，人们对 SOI 器件进行了广泛的研究，并将其应用于多种应用：具有厚硅膜（>60nm）的部分耗尽 SOI 器件用于 RF-SOI 应用 [1]，而具有薄 SOI 膜（<10nm）的全耗尽 SOI 器件用于 RF、数字和更多 Moore 应用 [2-4]。已知 PD-SOI 器件中会发生浮体 (FB) 效应 [5-6]，可以通过体接触消除 [7-8]，而 FD-SOI 器件由于具有薄 SOI 膜，因此不受 FB 效应的影响。最近，已经提出了在薄 BOX 上具有相对较薄的薄膜（22nm）的 SOI 器件，以满足 3D 顺序积分的成像器应用要求 [9]，其中 SOI 膜掺杂可用于 Vt 居中。本文的目的是确定这种 SOI 器件的操作，并提出相应的 TCAD 描述，考虑 SOI 膜掺杂。