XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System10nm
DNA和核小体的联想记忆模型
引入了DNA和核小体的模型，目的是研究从单个碱基水平一直到高阶染色质结构的染色体。该模型被称为广泛可编辑的染色质模型（Wechrom），重现了双螺旋的复杂力学，包括其弯曲持久性长度和扭曲持久长度以及前者的温度依赖性。Wechrom Hamiltonian由链连接性，空间相互作用和相关记忆项组成，这些记忆项代表了所有剩余的相互作用，从而导致B-DNA的结构，动力学和机械性特征。讨论了该模型的几种应用，以证明其适用性。Wechrom用于研究圆形DNA在正和阴性超串联的主体中的行为。我们表明，它概括了底膜的形成和放松机械应力的结构缺陷。模型自发地表现出相对于正或负超串联的不对称行为，类似于实验中先前观察到的不对称行为。此外，我们表明，辅助记忆哈密顿量也能够再现核小体脱离部分DNA的自由能。Wechrom旨在模拟10nm纤维的连续可变机械性能，并且凭借其简单性，可以将其扩展到足以研究基因结构组合的分子系统。Wechrom在OpenMM仿真工具包中实现，可以免费使用。
布鲁克 ScanAsyst 和 PeakForce Tapping 原子力显微镜技术简介
接触模式 接触模式是 AFM 中最容易理解的模式，也是扫描电容模式 (SCM)、扫描扩展电阻模式 (SSRM) 等附加模式的基础。图 3 显示了一个典型的 AFM 悬臂。悬臂和尖端通常作为一个单元用硅制造而成。常见尺寸为悬臂长度约为 100µm，尖端半径 <10nm，弹簧常数从 10mN/m 到 100N/m。1 尖端本身可以具有各种涂层，以便能够测量其对某种相互作用的灵敏度 - 从用于导电性的金属到用于生物特异性的配体。通过监测所连接悬臂的自由端的位移来测量尖端和样品表面之间的任何相互作用。有几种方案可以完成该任务，包括光束反弹、电容传感器、干涉法。光束反射方案，即激光束从悬臂反射到分段光电探测器，可以说是最常见的方案，并且由于各种原因而建立。2 悬臂的固定端可以静态安装，也可以安装在小型致动器上，以实现动态成像模式。在操作过程中，悬臂/探针是经过改进的经典闭环反馈系统的一部分（见图 2）。
AIRPROX 报告编号 2017192 日期：2017 年 8 月 8 日 时间
SAAB SF340 飞行员报告称，在前方约 4 海里处，TCAS 上出现了“弹出式”交通，指示高于或低于 100 英尺。可能不是飞机导致了 TCAS RA，但他随后收到了 TCAS RA“下降，下降”。机组人员在 TCAS RA 时正在进行进近简报。自动驾驶仪已断开连接，并按照公司 SOP 进行了机动。在 14,500 英尺处，出现了“平飞”指令，随后是“冲突解除”。飞机飞回了获准的飞行高度。ATC 和相关 NOTAM（撒克逊勇士演习）警告他们有潜在的军事交通，但始终未发现军用飞机。前方 10 海里处有多个 TCAS 接触，所有接触均至少低于 5000 英尺。在他们开始 TCAS RA 后，苏格兰管制部门立即开始向他们通报冲突交通情况。管制员表示，之前在雷达上“突然出现”的这种交通并不构成威胁。他将碰撞风险评估为“高”。F/A-18 飞行员是参加撒克逊勇士演习的外国军用航母航空大队的一员，但由于通知和调查之间的延迟，无法追踪到特定飞行员。事实背景 柯克沃尔的天气记录如下：EGPA 081320Z 03005KT 9999 FEW026 16/09 Q1017
纳米管中栅极静电可控性的增强
近年来，随着半导体技术进入10nm以下技术节点，短沟道效应（SCE）和功耗耗散问题成为场效应晶体管进一步小型化面临的巨大挑战，需要采取强制性措施予以解决。从3nm技术节点开始，环绕栅极结构提高的SCE抑制能力使环绕栅极场效应晶体管登上了历史舞台。本文展示了双栅极纳米管环绕栅极场效应晶体管（DG NT GAAFET）的超强静电控制能力，并与具有相同器件参数设计的纳米管（NT GAAFET）和纳米线环绕栅极场效应晶体管（NW GAAFET）进行了比较。与NT GAAFET和NW GAAFET相比，DG NT GAAFET的I on 分别提升了62％和57％。此外，由于静电控制的增强，DG NT GAAFET 中的 SCE 得到了明显抑制，这可以通过改善 I off 、SS 和 I on /I off 比来证明。另一方面，NT GAAFET 的 I on 与 NW GAA-FET 相当，而与 NW GAA-FET 相比，它的 I off 小 1 个数量级，SS 小近 2 倍，体现了纳米管通道结构的优越性。最后，通过 TCAD 模拟研究验证了纳米管通道结构，特别是双栅极纳米管结构对 L g 缩放的稳健性。关键词：双栅极，纳米管，纳米线，短沟道效应，功耗耗散。
AD 2 - EGOV - 1 - 1 英国军事 AIP VALLEY
a. 周一至周五进行高强度固定翼飞行训练，直升机在 10 海里半径范围内定期移动，并可能同时进行两条跑道操作。300 英尺以下机场上的直升机移动不会通知环路交通。b. 飞机静止时使用再加热可能会损坏跑道表面。ci 跑道 13 - 房屋，距门槛 810 英尺，海拔 63 英尺，中心线左侧 370 英尺；地面，距门槛 1,810 英尺，海拔 77 英尺。ii. 跑道 01 - 围栏，距门槛 400 英尺，海拔 28 英尺，中心线右侧 60 英尺。iii. 跑道 19 - 铁路，距门槛 600 英尺，海拔 43 英尺。d.由于 SRE 性能不佳，在 100R 和 210R 之间 12 海里 VYL TACAN 之外，交通信息可能会有限。e. 固定翼飞机和直升机适用特殊程序。请参阅 TAP。f. 由于高强度的 4FTS 飞行，所有来访飞机必须携带 15 分钟的等待燃料。g. 所有来访飞机的最小刹车高度为 1,000 英尺。h. 仅限周六、周日和公共假日。模型飞机飞行将在以废弃的 26 号跑道中心、高度 1500 英尺 AGL 为中心 0.5 海里半径范围内进行。i. 根据 MAA/EXEMPTION/2014/20，皇家空军谷不受 RA 3500 要求的约束。因此，未满足最低跑道末端安全区 (RESA) 要求。游客请注意，跑道护栏会对飞机造成冲出跑道的风险。
AD 2 - EGOV - 1 - 1 英国军事 AIP VALLEY
a. 周一至周五进行高强度固定翼飞行训练，直升机在 10 海里半径范围内定期移动，并可能同时进行两条跑道操作。300 英尺以下机场上的直升机移动不会通知环路交通。b. 飞机静止时使用再加热可能会损坏跑道表面。ci 跑道 13 - 房屋，距门槛 810 英尺，海拔 63 英尺，中心线左侧 370 英尺；地面，距门槛 1,810 英尺，海拔 77 英尺。ii. 跑道 01 - 围栏，距门槛 400 英尺，海拔 28 英尺，中心线右侧 60 英尺。iii. 跑道 19 - 铁路，距门槛 600 英尺，海拔 43 英尺。d.由于 SRE 性能不佳，在 100R 和 210R 之间 12 海里 VYL TACAN 之外，交通信息可能会有限。e. 固定翼飞机和直升机适用特殊程序。请参阅 TAP。f. 由于高强度的 4FTS 飞行，所有来访飞机必须携带 15 分钟的等待燃料。g. 所有来访飞机的最小刹车高度为 1,000 英尺。h. 仅限周六、周日和公共假日。模型飞机飞行将在以废弃的 26 号跑道中心、高度 1500 英尺 AGL 为中心 0.5 海里半径范围内进行。i. 根据 MAA/EXEMPTION/2014/20，皇家空军谷不受 RA 3500 要求的约束。因此，未满足最低跑道末端安全区 (RESA) 要求。游客请注意，跑道护栏会对飞机造成冲出跑道的风险。
低成本高级包装和粘合晶片应用
抽象的高级包装技术继续使半导体行业能够满足移动设备和其他高性能应用所需的较薄，更小，更快的组件的需求。但是，由摩尔定律驱动的芯片I/O计数的增加以及低于10nm的FinFET的能力对现有的高级包装过程提出了许多其他挑战。与摩尔定律不同，该法律预测密集综合电路中的晶体管数量大约每两年两倍，高级包装正在经历另一种“法律”；在晶体管的数量增加的情况下，它的功能数量增加，在最终产品的最终量限制下驱动技术路线图的数量不断减少。不可避免地，随着功能的增加，过程的复杂性和成本也随之增加。在这个非常敏感的高级包装舞台上，外包半导体组件和测试供应商（OSAT）需要通过降低其制造成本来补偿。这要求OSAT降低材料成本，增加吞吐量，产量并寻找减少过程步骤数量的新方法。OSAT降低材料成本的方式之一是从后端处理中除去硅晶片。使用环氧霉菌化合物（EMC）创建重构的晶片，或使用玻璃载体。在玻璃载体的情况下，通常情况下，骰子面朝下固定在载体上，然后进行处理，即使使用红外（IR）成像，也可以防止从复合堆栈的顶部看到前侧图案。在这种特殊情况下，在对齐标记上的光孔器中定义了一个其他光刻的“清除”窗口，因此可以将不透明的膜从对齐标记处蚀刻出来，距离剥去的距离，并重新设计了光刻层。这种额外的处理显然是昂贵且耗时的。本文特别关注基于步进的光刻解决方案的概念，方法和性能，该解决方案利用光孔潜在图像为光刻过程提供了临时的对齐标记，从而消除了对附加图案和蚀刻步骤的需求。这个革命性系统采用了背面摄像头，可以对齐在载体中死亡。一个单独的曝光单元，校准了对齐摄像头中心，曝光了临时潜在图像目标，然后在正常的步进光刻操作过程中由系统的常规比对系统检测到该目标。详细讨论了对齐，覆盖和潜在图像深度控制的性能数据。最终分析证明，<2µm的覆盖层很容易实现，对系统吞吐量没有影响。关键词：高级包装，3D IC，TSV，背面对齐，步进，面板，粘合晶片对齐，通过硅Via，UBM对齐，潜在图像。
带 CoSi2 栅极的 MOS 隧道发射极
带有 CoSi 2 栅极电极的高性能 MOS 隧道阴极 T. Sadoh、Y. Zhang、H. Yasunaga、A. Kenjo、T. Tsurushima 和 M. Miyao 九州大学电子系 6-10-1 Hakozaki，福冈 812-8581，日本 电话：+81-92-642-3952 传真：+81-92-642-3974 电子邮件：sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp 1. 简介 高稳定性低电压工作的微阴极是真空微电子学和先进平板显示技术中不可或缺的一部分。到目前为止，已经对具有金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构 [1] 和金属氧化物半导体 (MOS) 结构 [2-4] 的隧道阴极进行了研究。Yokoo 等人。报道了具有 Al 或 n + 非晶硅 (a-Si) 栅极的 MOS 隧道阴极的工作特性 [2, 3]。具有 Al 栅极的阴极的发射效率高，但 Al/SiO 2 界面不稳定。另一方面，具有 a-Si 栅极的阴极的 a-Si/SiO 2 界面稳定。然而，a-Si 栅极的电阻相对较高，发射效率较低。因此，迫切需要提高阴极的发射效率和寿命。为了提高它们，需要具有低电阻和稳定电极/氧化物界面的高质量薄栅极电极。CoSi 2 是电阻最低的硅化物之一，具有化学和热稳定性。因此，预计采用 CoSi 2 作为栅极材料将提高阴极的性能。在这项研究中，研究了具有 CoSi 2 栅极的隧道阴极的工作特性，并证明了薄 CoSi 2 膜可以提高发射效率和寿命。这是关于具有 CoSi 2 栅电极的 MOS 隧道阴极的首次报道。2. 实验步骤所用衬底是电阻率为 10 Ωcm 的 n 型 Si。通过湿法氧化生长 160nm 厚的场氧化物。去除具有 0.3mm 2 的圆形栅极图案的氧化物后，通过干氧化在 900 ℃持续 22 分钟生长 10nm 厚的栅极氧化物。为了改善栅极氧化物，将样品在 Ar 中以 1100℃退火 90 分钟。栅极氧化后，使用固体源 MBE 系统在基底温度为 400℃下通过共沉积 Co 和 Si 形成 5-10nm 的 CoSi 2 栅电极，基底压力为 5x10 -11 Torr。最后，通过沉积 Al 形成接触。样品的示意图和能带图分别如图 1 和图 2 所示。测量了二极管电流 Id 和发射电流 Ie 与栅极偏压的关系。3. 结果与讨论图 3 显示了二极管和发射电流密度与电场的典型依赖关系。在 7 MV cm -1 以上的电场下，可以观察到电子的发射。图 4 显示了图 3 中数据的 Fowler-Nordheim 图。发现二极管和发射
NFOTS (1542.163D) ONAV Stan Notes
规划： • 为所有航线（ONAV 1-5、MAX）携带带状图和未风向的喷气日志参加每次飞行活动。将它们放在飞机上随时可用，以防天气需要在飞行中更改航线。我们鼓励您为计划的航线携带风向修正的喷气日志。• 如果您计划执行备选航线（西行 1/2、东行 1/2），请查看 SDO 的航线带状图并在 JMPS 实验室中制作喷气日志。• 计划 VFR 和 IFR 出发，但除非天气需要 IFR，否则请预期使用 VFR 程序到达您的航线。• 确保您的强制性 ICP 在您的 IP 喷气日志和您的喷气日志上。• 对照 ONAV 规划指南验证喷气日志和 ONAV 带状图上的所有航线高度。• 对于路线简报，使用钢笔或铅笔作为“指针”。这是标准的军事简报专业精神，并允许您的 IP 在简报时查看带状图，而无需用手挡路。遵循简报中“行为”页面上的路线描述格式，并强调危险和高度变化。要简要介绍转弯点描述，请使用 VT-10 培训资源页面或 iPad 上的 Box 应用程序中的“ONAV”选项卡下的“转弯点图像”文件。但是，请从带状图上简要介绍您的路线，而不是您的 IPAD（iPad 上的 VFR 分区和 TPC 没有时间戳、信息框或 CHUM/VOD 更新）！• 不要计划穿过禁区或塔楼空域的路线条目。如果您正在执行 ONAV 2 或 MAX，请规划您的航线入口/出口，以避免与 Pelican 和 Area 2F 工作区域发生冲突。• 对于 Joker 燃料，您在每个点的 MCF 将在整个活动期间充当您的 Joker 燃料。这些旨在考虑您的路线以及您计划完成的任何其他计划的训练目标（特技飞行、PEL、进近）。您不会像在 FAM 阶段那样拥有单一的 Joker 燃料。地面操作： • 使用预设的 ONAV 航线飞行计划为您的计划航线设置 GPS。请务必选择 DIRECT TO 您的第一个所需航点，因为 GPS 很可能会循环到 KNPA，因为那是您当前所在的位置。将显示设置为“Super Nav 5”并调用“Programmed and Set”。根据具体出发机场的情况设置 RMU。飞行中： • 如果以目视飞行规则起飞，塔台不会将您切换至出发模式，直到您起飞并确定您已远离交通，因此请勿出于习惯自动切换至出发模式并滑行至跑道。• HATT 简报 - 开始目视导航至 PT A。• 取消建议 - 一旦清除 C 级（高于 4,200 英尺或超出 10 海里）并能够继续 VMC。如果您的路线或高度附近有云，请向您的 IP 提出建议，以帮助避免这些意外障碍。• 如果起飞 IFR 并遇到实际 IMC 条件，请注意云底。了解云底将让您了解在取消 IFR 进近之前需要下降多少，这通常在 TRADR 之前完成。
ESSCC 2025致电论文
创新和原始论文在主题领域中被征求来，包括（但不限于）：模拟：具有模拟主导创新的电路；放大器，比较器，振荡器，滤纸，参考；非线性模拟电路；数字辅助模拟电路；传感器接口电路； MEMS传感器/执行器接口，低于10nm缩放技术中的模拟电路。数据转换器：nyquist速率和过采样A/D和D/A转换器；嵌入式和应用特异性A/D和D/A转换器；时间数字转换器；创新和新兴转换器体系结构。数字电路，体系结构和系统*：微处理器，微控制器，应用程序处理器，图形处理器，图形处理器，自动化处理器，机器学习（ML）和ARTIIFICIL（MORIFIFIFICERCENCES（SOCIC）和ARIFIFIFIFIFICENCESS（MOR）和ARIFIFIFIFIFIFICENCESS（MIC）和ARSIECENCES（MONIFICENCESS（a），数字电路，体系结构和系统*：数字电路，架构，构件，构件和完整系统（单片，chiplets，2.5D和3D）用于通信，视频和多媒体，退火，优化问题解决，重新选择系统的数字系统和加速器，接近和子阈值系统以及新兴应用程序。用于芯片内通信，时钟分布，软校园和耐变性设计的数字电路，电源管理（例如电压调节器，适应性数字电路，数字传感器）和数字时钟电路（例如，PLL，PLL，DLL，DLL）用于处理器。数字ML/AI系统和电路，包括新的ML模型，例如变形金刚，图形和尖峰神经网络以及超维计算的新型ML模型，包括近存储器和内存计算以及硬件优化。成像仪，医疗和显示：图像传感器；视觉传感器和基于事件的视觉传感器；汽车，LIDAR；超声和医学成像；可穿戴，可植入的，可耐用的设备；生物医学传感器和SOC，神经界面和闭环系统；医疗设备；微阵列；身体区域网络和身体耦合沟通；用于医疗和成像应用的机器学习和边缘计算；显示驱动程序，触摸感应；触觉显示； AR/VR的交互式显示和传感技术。内存：独立和嵌入式应用程序的静态，动态和非易失性记忆；内存/SSD控制器；高带宽I/O界面的回忆；基于相变，磁性，自旋转移扭矩，铁电和电阻材料的记忆；阵列体系结构和电路，以改善低压操作，降低功率，可靠性，提高性能和容错性；存储子系统中的应用特异性电路增强，用于AI或其他应用程序的内存计数或接近内存计算宏。电源管理：电源管理，电力传递和控制电路；使用电感，电容和混合技术进行切换模式转换器IC； LDO/线性调节器；门司机；宽带gap（gan/sic）;隔离和无线电源转换器；信封供应调节器；能源收集电路和系统；适用于汽车和其他恶劣环境的强大电源管理电路； LED驱动程序。RF电路和无线系统**：RF，MM-WAVE和THZ频率的完整解决方案和构件，用于接收器，发射机，频率合成器，RF滤波器，收发器，SOCS和无线sips，并结合了多个chiplets。创新电路，系统，设计技术，异质包装解决方案等。用于已建立的无线标准以及未来的系统或新颖的应用，例如传感，雷达和成像，以及那些提高光谱和能量效率的应用程序。安全性：芯片展示加密加速器（例如，加密，轻度加密，Quantum Crypto，Quantum Crypto，隐私保护计算，区块链），智能卡安全性，可信赖/确定计算，确定性计算，安全循环（例如，安全循环，pufs，pufs，trngs，trngs，trngs，trngs offirention offertion offertion攻击），越来越多的攻击性攻击），该攻击性攻击性攻击性，并构成了攻击），该攻击性攻击性，越来越多的攻击），互联网和指示，攻击性，并构成了攻击），该攻击性攻击性，互联网和指标，互联网和指示，攻击性，互联网和指示。对于资源受限的系统，安全的微处理器，安全的记忆，模拟/混合信号电路安全性（例如，安全的ADC/DAC，RF，传感器），安全供应链（例如，硬件Trojan对策，可信赖的微电子电源），具有/核心技术的安全性和核心电路技术的安全性，以供型号/核心循环技术。技术方向：在各个领域的新兴和新颖的IC，系统和设备解决方案，例如集成光子学，硅电子 - 光子学集成；计量，传感，计算等量子设备。;灵活，可拉伸，可折叠，可打印和3D电子系统；细胞和分子靶标的生物医学传感器；无线功率传递距离（例如，RF和MM波，光学，超声波）；用于空间应用和其他恶劣环境的IC；非电视计算和机器学习的新颖平台；集成的元物质，替代设备平台中的电路（例如碳，有机，超导体，自旋等）。有线：电线系统的接收器/发射机/收发器，包括背板收发器，铜钟链接，芯片到芯片通信，2.5/3D互连，芯片/包装链接，包装链接，高速接口，用于内存；光学链路和硅光子学；探索性I/O电路，用于提高数据速率，带宽密度，功率效率，均衡，稳健性，适应能力和设计方法；有线收发器的构建块（包括但不限于AGC，模拟前端，ADC/DAC/DSP，TIAS，TIAS，均衡器，时钟生成和分配电路，包括PLL/DLLS，时钟恢复，线驱动程序，驱动器和混合动力车）。