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针对 SATCOM 应用的具有低于 1dB NF 的低成本 X 波段 LNA 的设计
在本文中，我们展示了一种用于卫星通信应用的低成本 7.25-7.75 GHz 两级低噪声放大器，其噪声系数低于 1 dB。采用 Rogers RT5880 基板上的微带技术（介电常数为 2.2，厚度为 0.508 mm）开发低噪声放大器。印刷电路板技术具有多种优势，例如成本低、重量轻以及制造过程后的可重新配置性，这些优势使该技术在商业和军事应用的卫星通信系统中具有吸引力。由于单片微波集成电路技术可提供更小尺寸的电路和高电气性能（尤其是在毫米波频率下），因此印刷微带技术可以成为集成电路技术的有力竞争对手，因为它具有经过验证的可靠性、更简单、更便宜和更快速的制造工艺以及 X 波段应用中可压缩的电气性能。此外，所提出的放大器是利用加州东部实验室的 Rogers-RT5880 上的 CE3512K2 晶体管开发的，并在匹配网络中使用了表面贴装器件以减小尺寸。此外，还实施了源生成和级间匹配拓扑，以简化匹配复杂性，从而增强噪声和增益。原型是利用 LPKF 原型机制造的。开发的 LNA 在工作频率带宽内表现出 23.5±0.5 dB 的测量增益，噪声系数小于 0.9 dB，输入/输出回波损耗优于 11.5 dB。此外，开发的放大器在中心频率处测量的载波干扰比为 -59 dBc，P1dB 为 13 dBm，同时消耗的总直流功率为 50 mW。
RF应力对100 nm x- ...
gan lna B. Pinault A，B，J.G。Tartarin a,b , D. Saugnon a , , R. Leblanc c a Laboratoire d'analyse et d'architecture des systèmes (LAAS-CNRS), Toulouse, France b Paul Sabatier University, University of Toulouse, Toulouse, France c OMMIC, Limeil-Brévannes, France Abstract In this article, we study the robustness of 3 versions of a single stage LNA configured根据对电磁干扰信号的探测率或鲁棒性的不同模式。将10 GHz处的RF步长的连续序列应用于研究的3个LNA中的每个序列。这些强大的MMIC LNA是使用OMMIC技术的D01GH GAN工艺设计的，从名义低噪声模式转换为高线性模式。此DC偏置开关允许将功率输入1DB压缩点增加8 dB。本研究的重点是这些LNA（敏捷的LNA #A）在标称低噪声模式（具有较低IP 1DB）或标称高性线模式（以退化的噪声图NF 50的价格）下进行操作时的鲁棒性。使用较大尺寸的设备（可鲁棒的LNA #R）将此原始的LNA #A与强大的常规设计进行了比较。踩压在10 GHz的过程中，这是这些LNA的中心频带。所有操作模式均显示出表现出相当可重现的阶跃应力图，尽管可以在低噪声和高线性操作条件之间区分热或非线性效应，并且与强大的设计LNA #R相比。引言由于其内在特性，GAN LNA提供了有趣的解决方案，用于需要高探测性和鲁棒性来攻击的应用。我们证明了用于实现自然电子保护的常规LNA电路设计策略的替代方法的相关性，而没有放置LNA #A或LNA #R之前放置的限制器，或者无需关闭DC偏见：此保护选项受益于将LNA保持在操作中的lna，即在事件输入信号增加的情况下，即使在Electial defraded Inflad decrademention中，在运行率发现的情况下，n. RF步长应力。它允许对接收器进行新的定义，因为它们还可以集成RF滤波器，并且可以承受比GAAS对应物更高的温度。因此，它们是雷达和电信应用的出色候选人。系统能够承受高水平RF功率的能力通过其在最终攻击中保持运行的能力来评估，也可以在压力周期后返回名义操作模式。为了充分利用氮化岩的特性，我们设计了一个能够在两个不同静止点上自我配置的LNA，从而可以将低噪声图（NF 50）和高1DB压缩点组合在设备输入（IP 1DB）。然后，图1所示的相同LNA #A能够在标称低噪声模式下运行（NF 50 = 0.95 db / ip 1db = 4 dbm），并在强烈的线性模式下< / div>
采用混合相移方案的 56 至 66 GHz CMOS 低功耗相控阵接收机前端
摘要 — 本文介绍了一种体积小、功耗低的毫米波相控阵接收机前端。本振 (LO) 和射频 (RF) 相移方案相结合，用于降低功耗和 RF 路径损耗。此外，在有源电路的实现中，采用了体隔离技术，以最少的级数实现更高的功率增益。该技术还用于 RF 路径移相器开关以减轻损耗。为了验证所提出的架构，采用 65 nm 体 CMOS 工艺制造了一个单元件 56 至 66 GHz 相控阵接收机前端。根据测量结果，接收机实现了 ∼ 14.85 dB 的功率增益和 5.7 dB 的最小噪声系数 (NF)。测得的平均 RMS 相位和增益误差分别为 ∼ 3.5 ◦ 和 ∼ 0.45 dB。接收器链的输入 1dB 压缩点 (P − 1dB ) 约为 − 19 dBm。完整的接收器（包括有源平衡-不平衡转换器和所需缓冲器（不包括 LO））在 1 V 电源下消耗约 50 mW 功率，不包括焊盘，占用硅片面积为 0.93 mm 2 。
开发下一代光子集成电路
开发下一代光子集成电路 在过去二十年里，硅光子学 1,2 已经从学术研究转向广泛的工业应用。然而，尽管硅光子学 3 取得了商业上的成功，被用于数据中心的收发器，但硅并不是光子学和光学的理想材料。硅的带隙为 1 eV，因此不能用于可见光的生成和处理 4,5 ；另外，硅不能承受高光功率。同样，即使在最先进的全球代工厂的硅光子商业生产线中，使用数十亿美元的制造设备，损耗水平也只有每厘米 1dB。事实上，在芯片中获得超低损耗是极具挑战性的。对如此低损耗的追求不仅仅是一项学术努力：从历史上看，高锟的工作还为损耗仅为 1dB/km 的光纤奠定了基础，这导致了 2008 年诺贝尔物理学奖并彻底改变了通信领域 6 。然而，直到最近，低损耗集成光子电路的进展几十年来一直停滞不前——在 dB/cm 的水平。然而，芯片上的超低传播损耗对于众多未来应用至关重要。
YC1089-M - FCC 编号
BR/蓝牙 5.2/长距离 +10 dBm TX 功率，1dB/步进 -99 dBm RX 灵敏度 @ BLE 1 Mbps -96 dBm RX 灵敏度 @ BLE 2 Mbps 集成平衡-不平衡转换器，单端输出，直接连接到天线 6.3 mA RX 系统电流 @ BLE 1 Mbps -99 dBm 灵敏度（3V 理想 DC-DC 转换器） 5.9 mA RX 系统电流 @ BLE 1 Mbps -97 dBm 灵敏度（3V 理想 DC-DC 转换器） 9.5 mA TX 系统电流（3V 理想 DC-DC 转换器，0 dBm） 电源管理
36DL PLUS - 先进测试设备租赁
• 易于读取的厚度显示屏，带有与测量相关的状态标志 • 带有可选背光的 LCD，可在所有照明条件下清晰显示信息 • 自动探头识别 • 轻松校准未知材料速度和/或传感器零点 • 快速补偿传感器温度变化 • 回波到回波测量，适用于穿透油漆应用 • 高低厚度报警功能 • 快速扫描模式，每秒 20 次读数。• 以 1db 为步长手动增益调整 • 在信号丢失 (LOS) 条件下保持或空白厚度显示 • 使用 MinFinder 的“保持最小或最大”读数模式 • 以绝对值或百分比显示相对于设定点的差分厚度 • 即时英制/公制转换 • 校准锁定功能可防止意外更改校准 • 可选分辨率 .001" (.01mm) 或 .01" (.1mm) • 自动关机
IM72D128V01 - 英飞凌科技
IM72D128V01 是一款超高性能数字 PDM MEMS 麦克风，专为需要极高 SNR（低自噪声）和低失真（高 AOP）的应用而设计，并且还具有 IP57 防尘防水等级。一流的 72dB(A) 信噪比 (SNR) 可实现远场和低音量音频拾取。平坦的频率响应（20Hz 低频滚降）和严格的制造公差提高了多麦克风（阵列）应用的性能。数字麦克风 ASIC 包含一个极低噪声的前置放大器和一个高性能 sigma-delta ADC。可以选择不同的电源模式以适应特定的时钟频率和电流消耗要求。每个 IM72D128V01 麦克风都采用先进的英飞凌校准算法进行校准，从而实现低灵敏度公差（± 1dB）。
自重构低噪声系数和高射频输入功率过驱动 LNA 的原始设计程序：应用于 X 波段 GaN MMIC
摘要 — 本文提出了一种基于宽带隙 RF 技术设计低噪声放大器的原创方法。这些 LNA 能够承受高电磁信号（如电子战中使用的信号），同时提供高探测率。该研究介绍了基于相同策略的单级 LNA 和两级 LNA 的原始设计程序。这些自重构 LNA 可以从高探测率模式（低 NF）切换到高线性模式（高输入压缩模式 IP 1dB ）。该设计策略与稳健的 LNA 设计进行了比较，后者使用更大的晶体管尺寸来提高线性度，但代价是 NF 略有下降。在放大器输入端，RF 步进应力结果已达到 30 dBm，没有任何破坏，并提供稳定的 S 参数和噪声系数。
SPK11R1LM4H-1低功率多模数数字底部port sisonic™麦克风
Parameter Symbol Conditions Min Typ Max Units Supply VoltageVdd1.621.81.98VLow Frequency RolloffLFRO-3dB relative to 1 kHz-20-HzHigh Frequency Flatness+3dB relative to 1 kHz-15-kHzResonant Frequency PeakFresFree Field response-29-kHzLatency@ 4kHz, Fclock = 2.4 MHz-3-μsDC OffsetSEL = 0 / SEL = 1: Fullscale = ±100%-0.0 / -0.39-%DirectivityOmnidirectionalPolarityIncreasing sound pressureIncreasing density of 1'sData Format½ Cycle PDMSensitivity DropVdd(min) ≤ Vdd ≤ Vdd(max)--±0.25dBClock Input CapacitanceCin-8-pFData Output CapacitanceCout-60-pFData Output LoadCload--110pFSELECT (high)Vdd-0.2-VddVSELECT (low)-0.3-0.2VShort Circuit CurrentIscGrounded DATA pin1-20mAFall-asleep Time3,4Fclock < 1kHz--10msWake-up Time3,5Fclock ≥ 380kHz--20msStartup Time3Powered Down →活动，最终值的1dB不超出20mstime到第一个数据位，从有效的VDD和CLK到第一个逻辑位在数据线上驱动到第一个逻辑位。输出为直到第一个数据位为止。初始输出位代表静音音频。音频数据将遵循启动时间。23MMSMODE-CHANGE TIME3，6LOW POWER MODE模式⇔快速模式 - 20ms