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微电子电路第8版 - 牛津学习链接
******** Analysis begins here**************** .OP .TRAN 0.01mS 2mS *.AC DEC 20 1 100K .PROBE .END ******** Analysis ends here**************** For part (f), copy the netlist given below and paste it into a text file and save it with *.cir extension.********Problem: P11_37(f) *************** ******* Main circuit begins here************* V_DD VDD 0 1Vdc I3 VO VSS DC 100uAdc I2 VD4 VSS DC 300uAdc I1 VS12 VSS DC 200uAdc V_SS 0 VSS 1Vdc M1 VD1 VSIG VS12 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + M = 1 M2 VDD VG2 VS12 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + W = 8U + M = 1 M3 VD1 VD1 VDD VDD VDD VDD VDD VDD PMOS0P18 + L = 0.36U + L = 0.36U + W = 32u + M = 1 M = 1 M = 1 M4 PMOS0P18 + L = 0.36U + W = 96U + M = 1 M5 VDD VD4 VO 0 NMOS0P18 + L = 0.36U + W = 8U + W = 8U + M = 1 V1 VSIG 0 AC 0 AC 0 + SIN 0 + SIN 0 10M 1K 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 I4 VO 0 DC 0AC 0AC 0AAC 0AAC 0AAC 0AAC + SIN 0AAC + SIN 0AAC 0AAC + SIN 0 0A 0 0A 0 0 1K 0 0 1K 0 0 0 0 0 0 0 M1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 r1 c = 2 5.39meg TC = 0,0 *******主电路在这里结束*****************************************************************************************
Sean Paling STFC Boulby Underground Science设施
Boulby Underground Lab设施2020：> 4000M 3类1K和10K Clean Room Space 100MB Internet AC，空气过滤，5T和10T升降机，LN Generation，Fume Hood＆Fume Hood＆Clean Prep 3000m 3外部Expt。区域。Power＆Internet
布尔比地下实验室的深度科学
Boulby 地下实验室设施 2020：>4000m 3 级 1k 和 10k 洁净室实验室空间 100Mb 互联网空调、空气过滤、5T 和 10T 起重、液氮生成、通风柜和清洁准备 3000m 3 室外扩展区。电源和互联网
生物塑料和基于碳的可持续材料，组件和设备：朝向绿色电子
摘要：短期电子设备的不断增长固有地导致大量有问题的废物，这构成了环境污染的风险，危害人类健康并引起社会经济问题。因此，为了减轻这些负面影响，我们的普遍兴趣是将传统材料（聚合物和金属）替换为电子设备中的传统材料（聚合物和金属），并在可能的情况下，同时考虑了功能，制造性和成本的各个方面。在这项研究中，我们探索了可生物降解的生物塑料的使用，例如聚乳酸（PLA），与多羟基丁酸（PHB）（PHB）（PHB）以及与Pyrolyzed的木质素（PL）以及多壁处理的碳nan型（My naneS）（梅尔氏含量）相结合。电子组件，包括等离子体处理，浸入涂料，喷墨和丝网印刷，以及热混合，挤出和成型。我们表明，经过短暂的氩等离子处理，对热泡PLA-PHB混合纤维的表面进行了短暂的表面处理后，单壁碳纳米管（SWCNTS）的渗透网络（SWCNT）可以通过浸水层沉积至1kΩ /□的薄板电阻，以制造能涂层的电极，以制造能力触摸触摸传感器的电极。我们还证明，作为浮光电介质底物的生物塑料膜适用于通过喷墨和屏幕印刷的手段来沉积SWCNT和AG（分别为1kΩ /□和1Ω /□）的导电微图案（分别为1kΩ /□和1Ω /□），并具有潜在电路板的应用。关键字：生物塑料，复合材料，混合物，热解木质素，电气设备，电极，触摸屏，EMI屏蔽■简介此外，我们以PL和MWCNT为PLA的复合和成型的复合材料是电磁干扰屏蔽材料的优秀候选物，其k频段无线电频率（18.0 - 26.5 GHz）分别屏蔽了高达40和46 db的效果。
增强了玄武岩岩石的风化作为大气二氧化碳去除的方法
在扩散1k吨基线之前，进行了彻底的土壤测量和采样，以建立土壤化学和物理特性（例如，pH，土壤类型等）。通过采取额外的土壤样品来确定测量与土壤化学和物理特性相关，这导致生成的尺度图（例如，图2中所示的土壤pH值），这突出了该序列序列序列的高度差异。分析
比较列表.xlsm
1702A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V 1302A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器，U = -9V 1602A Intel 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器，U = -9V Am1702A AMD 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V MM1702A National 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V 1702A Signetics 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V U501 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 ROM 需要适配器，U = -9V U551 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 PROM 需要适配器，U = -9V U552 (DDR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V К505РР1 (UdSSR) 1702 适配器 256 x 8 2048 24 EPROM 需要适配器，U = -9V，未经测试 2704 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 2704 Intel 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12/22=Vss, 未经测试 CDP1832 RCA 2704 X 512 x 8 4096 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V, 未经测试 MM4204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置适配器 MM5204 National 2704 适配器 512 x 8 4096 TS 24 EPROM U = -12V, 5V, 使用 2704 设置适配器 2708 Intel 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss F2708 Fairchild 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM2708 Motorola 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MCM68708 Motorola 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MM2708 National 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss NTE2708 NTE 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss MSM2708 Oki 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss TMS2708 Texas Instruments 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss CDP1834 RCA 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=nc, 19=nc, 12=Vss, 仅 5V，未经测试 U505 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 ROM 仅 5V U555 (DDR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd, 12=Vss K573RF1 (UdSSR) 2708 X 1k x 8 8192 24 EPROM 24=Vcc, 21=Vbb, 19=Vdd,12=Vss 2716 英特尔 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am2716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM Am4716 AMD 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NMC27C16 仙童 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MBM2716 富士通 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM HN462716 日立 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MMN2716 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M5L2716 三菱2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MCM2716 摩托罗拉 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 27C16 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MM2716 国家 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM uPD2716 NEC 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM NTE2716 NTE 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM MSM2716 Oki 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM M2716 ST 微电子 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMM323 东芝 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2516 德州仪器 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM ET2716 汤姆逊 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM U556 (DDR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM K573RF2 (UdSSR) 2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM TMS2716 摩托罗拉 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss、19=Vdd、21=Vbb、24=Vcc TMS2716 德州仪器 TMS2716 X 2k x 8 16384 24 EPROM 12=Vss, 19=Vdd, 21=Vbb, 24=Vcc 2732 Intel 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM Am2732 AMD 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM F2732 Fairchild 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 Fairchild 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM MBM2732 Fujitsu 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM CDM5332 GE 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732 Ro9333 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 Ro9433 GI 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读取 HN462732 Hitachi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2732A Intel 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M5L2732 Mitsubishi 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM NMC27C32 National 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM uPD2732 NEC 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM M2732 ST 微电子 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMM2732 东芝 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM TMS2732 德州仪器 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM WS57C43 WSI 2732 X 4k x 8 32768 24 PROM 兼容 2732，当 18=HIGH、20=LOW 时可读取 U2732 (DDR) 2732 X 4k x 8 32768 24 EPROM 2333 2732 X 4k x 8 32768 24 ROM 兼容 2732，当 18/20=LOW 时可读 2764 Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM Am2764A AMD 2764 X 8k x 8 65536 28 PROM MBM2764 Fujitsu 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM HN482764 Hitachi 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 2764A Intel 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM MK37000 Mostek 2764 X 8k x 8 65536 28 ROM 1/26/27=nc M2764A ST Microelectronics 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM U2764 (DDR) 2764 X 8k x 8 65536 28 EPROM TMS2564 德州仪器 TMS2564 X 8k x 8 65536 28 EPROM 27128 英特尔 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM Am27128A AMD 27128 X 16k x 8 131072 28 PROM M27128A ST 微电子 27128 X 16k x 8 131072 28 EPROM 27256 英特尔 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 6212424 AMD 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM Am27256 AMD 27256 X 32k x 8 262144 28 PROM NM27C256 National 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM NMC27C256 National 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 27256 GI 27256 X 32k x 8 262144 28 EPROM 27512 Intel 27512 X 64k x 8 524288 28 EPROM A276308 Amic 27512 X 64k x 8 524288 28 EPROM M27512 ST Microelectronics 27512 X 64k x 8 524288 28 EPROM 27010 271001 X 128k x 8 1 MBit 32 EPROM AT27C010 Atmel 271001 X 128k x 8 1 MBit 32 EPROM
能源部向安娜堡颁发一百万美元奖金——...
密歇根州兰辛市——密歇根州基础设施办公室 (MIO) 今天宣布，拜登政府已通过美国能源部高级研究计划署 (ARPA-E) 向安阿伯公司 Propel Aero 及其高能氧化还原发动机技术拨款 1,117,000 美元。该资金由“铁路、海洋和飞机电气化先锋项目”（PROPEL-1K）资助，将推动高能存储解决方案的开发，使国内飞机电气化，并帮助密歇根州实现到 2040 年实现碳中和的目标。
量子超级计算机网络将会是什么样子？
Photonic 的可扩展量子技术架构。量子芯片在 1K 低温恒温器中冷却。该芯片在光学腔、光子开关和单光子探测器内集成硅 T 中心。光输入输出 (IO) 端口通过电信光纤连接到室温光子开关网络和控制电子设备。这自然允许高度连接的架构具有非本地连接，即使系统规模扩大。电信光纤还通过其光学 IO 将多个低温恒温器连接在一起，从而实现水平系统扩展。这既可以扩展计算能力，也可以扩展长距离量子网络。
符合环保法规要求的无氧化剂和低 VOC 船舶表面顶部涂料
该项目团队将根据 MIL-PRF-24635、V/VI 型性能要求测试 1K 和 2K 聚硅氧烷涂层。项目的第一阶段（6-12 个月）包括选择一种或多种配方。假设确定了可接受的配方，该过程将转移到现役海军水面舰艇上。涂层将在 6 个月后接受检查。NRL 将为满足所有要求的每种不含 Oxsol 的聚硅氧烷面漆编写实验室性能和船上演示报告。这些将作为涂料制造商提交的资格包的一部分提供给 NAVSEA 05P 的涂料技术授权持有人 (TWH) 进行审查和批准。