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GO 53 HE"\_DQl.~ARTERS !__ 太平洋勇士...
:根据第 5 段，~\_ll U3-~,0ii 段，年度“太平洋勇士”步枪比赛在军事科学 ROTC 训练营举行。宣布南卡罗来纳州立大学，奥兰治县，南卡罗来纳州 2011:5 成为 2012 年太平洋奖杯的获得者。:\_H'ra;rt' scon' per man \\·a;0 GG.1:23。2.船旗国：G1..1,.•1·al，第一艘“海军”号将为运送“太平洋奖杯之王”号提供必要的船只，N1· 位于 1 月 Col le 的位置。:c，H1101·er，N.H.，到 1r 内部。
Sibley 采石场 2020 年度检查报告
1) 检查当天没有进行任何处置活动。根据与现场人员的讨论，CCR 通过端倾倒和散布的方式在垃圾填埋场进行处置，这与前几年检查中观察到的活动一致。卡车使用用 CCR 和碎石灰石建造的通道将 CCR 运送到活跃的填充区域。卡车将 CCR 倾倒在靠近山顶的 CCR 斜坡顶部。然后，前端装载机或推土机将 CCR 推到斜坡上。活跃的处置区域有两个主要的 CCR 斜坡，上坡和下坡。它们之间有一个退让线（照片 1）。斜坡高达约 150 英尺，坡度陡峭，水平 1.25 比垂直 1（1.25H:1V）。根据目前的操作，CCR 放置在下坡的顶部（照片 2）。
7400 精密 LCR 仪表 B 型使用说明书
测量电容 (Cs/Cp)、电感 (Ls/Lp)、电阻 (Rs/Rp)、参数：耗散 (DF) 和品质因数 (Q)、阻抗 |Z|、导纳 |Y|、相位角 ( )、等效串联电阻 (ESR)、电导 (Gp)、电抗 (Xs)、电纳 (Bp) 同时测量和显示的任意两个参数注意：s = 串联，p = 并联，ESR 相当于 Rs 测量 |Z|、R、X：000.0001 mohm 至 99.99999 Mohm 范围：|Y|、G、B：00000.01 S 至 9.999999 MS C：00000.01 fF 至 9.999999 F L：0000.001 nH 至 99.99999 H D：.0000001 至 99.99999 Q：.0000000 至 999999.9 相位角：-180.0000 至 +179.9999 度 Delta %：-99.9999 % 至 +99.9999 % 测量基本增强扩展精度：LCR：+/- 0.5%* +/- 0.25%* +/- 0.05%* DF：+/- 0.0050 +/- 0.0025 +/- 0.0005 * 在最佳测试信号电平、最佳 DUT 值且无校准不确定度误差的情况下。使用大约 7000 个附件装置和电缆时，仪器精度可能会低于标称规格。最佳精度要求开路/短路调零期间使用的几何一致性与实际测量过程中装置和电缆上使用的几何一致性。使用非屏蔽开尔文夹和镊子型连接时，这种一致性可能尤其难以实现。实施负载校正并与用户提供的标准进行比较后为 0.25 x（正常精度）。在 3 Z 80k 范围内，100mV 编程 V 1V 或 100mV (编程 I) x (Z) 1V 测试频率：10 Hz 至 500 kHz 分辨率：0.1 Hz 从 10 Hz 至 10 kHz，5 位数字 > 10 kHz 精度：+/-(0.002% +0.02 Hz) 测量速度：基本精度：25 毫秒*/测量增强精度：125 毫秒*/测量扩展精度：1 秒*/测量 * 可能更长，具体取决于测试条件和频率测距：自动或量程保持
0.9 V 差分逆变器的设计和特性-...
摘要 — 运算跨导放大器 (OTA) 是许多电子电路（如模拟滤波器和数据转换器）的重要组成部分。由于功耗低，低于 1V 的模拟电路在物联网 (IoT) 应用中越来越受欢迎。此外，人们还在探索基于数字的 OTA，以实现高能效。本文涉及一种基于反相器的 OTA 的实现，该 OTA 采用自偏置技术，通过实现差分差分放大器在共模频带中工作，以减轻在弱反相下工作的不必要变化。OTA 采用 180 nm CMOS 技术设计，由 0.9 V 电源供电。在 GBW 接近 36.66 MHz 的情况下实现了 52.22 dB 的直流增益。对于 10 pF 的负载电容，功耗为 203.71 µW。索引术语 — OTA 反相器、差分放大器、自极化、低压。
米尼奥大学物理中心研讨会
摘要：深度学习是一种强大的算法，适用于计算机视觉和自然语言处理等机器学习应用。然而，这些神经网络的训练受到我们当前 CPU 和 GPU 的传统冯·诺依曼架构的限制，这会导致大量能耗。在本次演讲中，我将分享我们在离子电化学突触方面的工作，我们可以通过在有源设备层上电化学插入/提取掺杂离子来确定性地控制其电导率。质子的能量消耗非常低，与大脑中的生物突触相当，而镁离子则具有更好的稳定性，无需封装。建模结果表明，为了实现这些设备的快速 (ns)、低能量 (< fJ) 和低电压 (1V) 性能，我们必须实现理想的材料特性，例如离子电导率和界面电荷转移动力学。我们的研究结果为开发具有高产量和一致性的大脑启发式硬件提供了途径，与当前的计算架构相比，该硬件的能耗要低得多。
CAEL-S16B/S16/S16A 系列
(Td) 露点温度、(A) 绝对湿度、(Tf) 霜/露点温度、(R) 混合比、(S) 焓、(Tw) 湿球温度、(E) 水蒸气压力 电源 模拟输出 0…1V 5…28VDC 模拟输出 0…5V / 10V 15…28VDC RS485 输出 12…28VDC 功耗 (25 °C, V+ 24 VDC) 模拟输出典型值 3mA RS485 输出典型值3mA 机械特性 滤波器材料 PC，聚碳酸酯 探头材料 黄铜镀镍 探头压力 10bar 外壳防护等级 IP65 线缆 M12 4 针 2M 母头 工作温度范围 -40 ... 100 °C (-40 ... 212 °F) 电磁兼容性 EN61326-1:2013 发射 CISPR11:2009+A1:2010 第 1 组 B 类 EN61326-1:2013 抗扰度 IEC 61000-4-2:2008 IEC 61000-4-3:2006+A1:2007+A2:2010 IEC 61000-4-8:2009
em Microelectronic
参数符号最小单位工作温度1）T A -40 +125°C正电源电压2）V DD 1 5.5 V表2 1）通过在初始设备资格下进行采样确认最大工作温度。生产中，所有设备均在 +25°C 2）v dd = 1V = 1V（在 +25°C下保证）（见图14有关更多信息）电气特性t a = +25°C，除非另有指定的参数符号测试条件最小。typ。最大Unit Supply current I DD V DD = 5V, output open 38 50 µ A Threshold voltage V TH C, I, O 2.94 3.02 3.10 V V TH D, J, P 3.62 3.72 3.82 V V TH F, L, R 4.27 4.39 4.51 V Threshold hysteresis V HYS 5 mV RES Output Low Level V OL V DD = 1.6V, I OL = 1mA 200 270 mV V OL V DD = 2.5V, I OL = 2mA 195 250 mV V OL V DD = 3.5V, I OL = 3mA 198 250 mV V OL V DD = 5V, I OL = 4mA 185 250 mV RES Output High Level V OH V DD = 1.6V, I OH = -1mA 1.25 1.36 V V OH V DD = 2.5V, I OH = -1.5mA 2.2 2.3 V V OH V DD = 3.5V，i OH = -2.5mA 3.15 3.15 3.27 v oh v dd = 5V，i OH = -3.5mA 4.65 4.65 4.65 V输出泄漏电流1）I泄漏V DD = 5V 0.005 1 µ A仅适用于版本B，H和N参数符号符号测试条件。typ。最大单位电源电流i dd v dd = 5V，输出打开19 31 µ a阈值电压v t b，h，h，n 2.56 2.65 2.74 V阈值滞后v hys v hys 32 mv