n eupraxia的高级加速器高质量束激光注射器(LPI)[1] IJCLAB [2]:10 Hz 200Mev LPI测试设施的准备技术设计阶段和未来的高梯度加速器R&D R&D
摘要 — 高能电子与物质相互作用产生的辐射簇射包括能量分布峰值为 MeV 级的中子,这些中子是通过光核反应产生的,可以测量电子设备中中子诱导的单粒子效应 (SEE)。在这项工作中,我们研究了一种装置,其中欧洲核子研究中心 [Centre Européen pour la Recherche Nucléaire (CERN)] 的 CLEAR 加速器的 200 MeV 电子束被引导到铝靶上以产生具有大中子分量的辐射场。通过测量特性良好的静态随机存取存储器 (SRAM) 中的单粒子翻转 (SEU) 和闩锁率以及被动式无线电光致发光 (RPL) 剂量计中的总电离剂量 (TID),并将结果与 FLUKA 模拟的预测进行比较,对由此产生的环境进行了分析。我们发现,用铅制成的横向屏蔽可保护 SRAM 免受过高的 TID 率影响,从而为 SEU 测量提供最佳配置,尤其是在对 MeV 级中子高度敏感的 SRAM 中。相对于基于散裂靶或放射源的标准中子设施,此设置提供了一种有趣的补充中子源。
