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World File Search System20nm
内存耦合计算：创新 HPC 和 AI 的未来
Kwon 等人，基于 HBM2 的 20nm 6GB 内存函数 DRAM，配备 1.2TFLOPS 可编程计算单元，采用库级并行，适用于机器学习应用，ISSCC 2021
LPDDR 接口上的 NVM（更新）
• 无 e-flash → e-flash 在 ~20nm 以下不可用 • 高温 (>125 ○ C) → DRAM 存在问题 • e-RAM 在较小几何尺寸下价格昂贵（更昂贵的晶圆上的面积有时会增加） • 多核现已成为常态 • 旧式 NVM（xSPI-NOR）无法满足读取性能要求（启动时间、XiP） • 我们有机会！（高吞吐量/低延迟分立式 NVM 存储设备）
AD 2 - EGDY - 1 - 1 英国军事 AIP YEOVILTON
4. 注意。直升机和空中交通管制员可能在死区启用。5. 来访的固定翼空中交通管制员应在 40 海里（喷气式飞机）、20 海里（活塞式飞机）和近端呼叫进近。6. 飞行员不得飞越 2000 英尺 AGL 以下的 GLASTONBURY、SHEPTON MALLET 或 EVERCREECH。7. 飞行员应自行导航到 10 海里或 2000 英尺以上的航线，并切换到塔台。空中交通管制员通常应在 26 号跑道的 1000 英尺 QFE 处的跑道 THR 处或 04、08 或 22 号跑道的交叉口处“中断”。8. 对于固定翼飞机的恢复，初始点位于 3 海里、1500 QFE 处，并且位于死区。 9. 由于固定翼 / 旋翼飞机混合飞行，死角是通过球形雷达罩北侧并与正在使用的跑道平行绘制的一条线。
空中防撞 (MACA) 计划
低空导航和战术训练在超过 400 节（通常为 450-550 节）的空速下进行。 卢克航空通常以 500-1000 英尺 AGL 飞行，但根据航线结构可以超过 1,500 英尺 AGL。只有具有四位标识符的航线不包含高于 1,500 英尺 AGL 的航段（即IR1206、VR1207） 非参与飞机不禁止飞越 MTR。但是，在穿越或靠近 MTR 飞行时应格外警惕。 大多数 MTR 都是 VR 航线，军用飞机在这些航线上以 VFR 飞行，因此不受 ATC 控制 分区图上仅显示航线中心线。走廊通常宽 5-10 海里，但中心线两侧可达 20 海里 普雷斯科特 FSS 可能能够提供有关实时路线活动的信息
AD 2 - EGDR - 1 - 1 英国军用 AIP CULDROSE
1. 警告。由于靠近围栏，06/24、18/36 和 29 号跑道的 RESA 不符合要求。2. 警告。不允许 FW IFR 进近 18/36 号跑道。3. 警告。由于在 MADS 之前安装，所有进近灯均不符合要求。4. 警告。18/36 和 06/24 号跑道因间隔大且无高强度侧灯，不符合精密进近要求。5. 密集直升机操作，在 AD 20 海里处，紧急呼叫 CULDROSE APPROACH。6. 同时使用 LHC 和 RHC。7. 可能使用多条跑道。8. 电路 - 1000 英尺 QFE。9. 在 AD 2 海里范围内时，直升机不得超过 500 英尺 QFE。 36 号跑道 FPAG 右舷，长 60 米。11. 军事滑翔在周末和公共假日进行 SR-SS。信息可拨打 118·685（Culdrose Gliding）。
1基于MG的液体金属离子源的比较。
我们比较了各种基于镁的液体金属合金离子源（LMAI）的适用性，以便于GAN的可伸缩聚焦离子梁（FIB）植入掺杂。我们考虑GAMG，MGSO 4•7H 2 O，MGZN，ALMG和AUMGSI合金。尽管遇到了氧化问题（GAMG），分解（MGSO 4•7H 2 O）和蒸气压力过大（MGZN和ALMG），但在Wien滤波器滤波器柱中运行的Aumgsi合金LMAIS在一个单独的和二型和二型芯片态度中均具有所有mg isotopes。我们讨论了实现<20nm斑点尺寸Mg Fib植入的工作条件，并通过飞行时间二级离子质谱法（TOF-SIMS）呈现MG深度谱图数据。我们还可以洞悉植入损伤和基于快速热处理前后的阴极发光（CL）光谱的恢复。前景。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。