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先进 CMOS 的性能和可靠性设计
在过去的几十年中，电子行业的中心主题是通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到了 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度和接触多晶硅间距 (CPP) 进一步缩小。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减，并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电的新结构（例如插氧化物 FinFET (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
先进 CMOS 的性能和可靠性设计...
通过减小晶体管面积来增加晶体管密度，这是摩尔定律的要求。从平面 CMOS 技术到 FinFET 技术的范式转变将这种面积缩小趋势延续到 20nm 以下时代。FinFET 中晶体管静电的增强使栅极长度进一步缩小，从而缩小了接触多晶硅间距 (CPP)。同时，对面积缩小的追求也来自宽度（或鳍片间距）和高度尺寸。通过减小鳍片间距和增加鳍片高度，可以提高 FinFET 的电流密度。因此，电路设计人员可以使用更少的鳍片来满足相同的电流要求并同时节省面积，这种方案通常称为“鳍片减少”。然而，上述方法开始显示出收益递减并面临过多的制造挑战。为了进一步提高电流密度并减小面积，未来预计将使用具有高迁移率的新型通道材料（例如 SiGe）和/或具有更好静电性能的新结构（例如插入氧化物鳍式场效应晶体管 (iFinFET)、Gate-All-Around FET、Nanosheet FET）。
在光电流纳米镜检查中等离子体和极化效应的模型
扫描光电流显微镜传统上是使用聚焦光束进行的。1 - 4在这项技术的现代变体中，事件光的聚焦是通过尖锐的金属尖端实现的，如图1。这样的尖端充当光天线，将局部增强的近场增强到自由空间辐射。在实验中，扫描尖端，并使用位于样品外围的某个位置的电动触点来测量样品中产生的直流光电流。下面，我们将此技术称为扫描近场光电流显微镜或光电流纳米镜检查。也可以利用参与此类测量的仪器进行散射型扫描近场光学显微镜（S-SNOM）。在s-snom中，一个人检测到尖端而不是光电流的光片。实际上，一起执行S-SNOM和光电流纳米镜检查，提供了有关系统的互补信息。这种技术的组合已成功地应用于探针石墨烯和其他二维（2D）材料5 - 9的空间分辨率为≏20nm，这比衍射受限的传统方法好。最近的光电流纳米镜检查实验显示出区别的光谱共振和周期性干扰模式
Megalam Fabsafe
类型EN1822尺寸WXHXD（mm）压降（PA）滤波效率颗粒d = 20nm滤波效率粒子d = 100-200nm滤波器效率粒子d = 300nm fabsafe MD H13 H13 H13 H13 H13 1170x1170x66 11010 fai 1170x570x66110≥99.99999％≥99.95％≥99.97％Fabsafe MD H14 H14 H14 H14 H14 1170x1170x66130≥99.99999999999999999995％ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.997% Fabsafe MX H14 H14 1170x1170x90 90 ≥ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.997% Fabsafe MX H14 H14 1170x570x90 90 ≥ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.997% Fabsafe MG H14 H14 1170x1170x110 60 ≥ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.999% Fabsafe MG H14 H14 1170x570x110 60 ≥ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.999% Fabsafe MD U15 U15 1170x1170x66140≥99.99999999％≥99.99995％≥99.99997％Fabsafe MD U15 U15 U15 U15 1170x570x66666 140 1170x1170x90 110 ≥ 99.9999999% ≥ 99.9995% ≥ 99.9997% Fabsafe MX U15 U15 1170x570x90 110 ≥ 99.9999999% ≥ 99.9995% ≥ 99.9997% Fabsafe MG U15 U15 1170x1170x110 80≥99.9999999999995％≥99.99999％FabSafe MG U15 U15 U15 1170x570x11080≥99.9999999999999％≥99.99995％ 99.999999999％≥99.99995％≥99.99997％fabsafe MX U16 U16 U16 1170x570x90130≥99.9999999999999999％≥99.999995％ 99.999999999％≥99.99995％≥99.999999％Fabsafe MG U16 U16 U16 1170x570x11090≥99.9999999999％≥99.99999995％
Megalam Fabsafe
类型EN1822尺寸WXHXD（mm）压降（PA）滤波效率颗粒d = 20nm滤波效率粒子d = 100-200nm滤波器效率粒子d = 300nm fabsafe MD H13 H13 H13 H13 H13 1170x1170x66 11010 fai 1170x570x66110≥99.99999％≥99.95％≥99.97％Fabsafe MD H14 H14 H14 H14 H14 1170x1170x66130≥99.99999999999999999995％ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.997% Fabsafe MX H14 H14 1170x1170x90 90 ≥ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.997% Fabsafe MX H14 H14 1170x570x90 90 ≥ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.997% Fabsafe MG H14 H14 1170x1170x110 60 ≥ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.999% Fabsafe MG H14 H14 1170x570x110 60 ≥ 99.999999% ≥ 99.995% ≥ 99.999% Fabsafe MD U15 U15 1170x1170x66140≥99.99999999％≥99.99995％≥99.99997％Fabsafe MD U15 U15 U15 U15 1170x570x66666 140 1170x1170x90 110 ≥ 99.9999999% ≥ 99.9995% ≥ 99.9997% Fabsafe MX U15 U15 1170x570x90 110 ≥ 99.9999999% ≥ 99.9995% ≥ 99.9997% Fabsafe MG U15 U15 1170x1170x110 80≥99.9999999999995％≥99.99999％FabSafe MG U15 U15 U15 1170x570x11080≥99.9999999999999％≥99.99995％ 99.999999999％≥99.99995％≥99.99997％fabsafe MX U16 U16 U16 1170x570x90130≥99.9999999999999999％≥99.999995％ 99.999999999％≥99.99995％≥99.999999％Fabsafe MG U16 U16 U16 1170x570x11090≥99.9999999999％≥99.99999995％
首次公开募股 (IPO) 概况 OPPSTAR BERHAD (0275)
Oppstar 主要提供集成电路 (IC) 设计服务，涵盖前端设计、后端设计和根据客户规格提供的完整交钥匙解决方案。该集团主要使用 20nm 至 3nm 的先进工艺节点技术设计专用集成电路 (ASIC)、片上系统 (SoC)、中央处理器 (CPU) 和现场可编程门阵列 (FPGA)，用于电信、汽车、工业和消费电子等各个行业。IC 设计部门在 2022 年贡献了其年收入的 99% 以上。此外，它还提供其他相关服务，例如硅后验证服务、培训和咨询服务，占其总收入的不到 1%。Oppstar 在槟城、吉隆坡和上海租用办公室运营，客户来自多个国家（主要是中国），其客户主要包括集成设备制造商、无晶圆厂公司、轻晶圆厂公司、电子系统提供商和其他 IC 设计公司。它已完成特定于代工厂的 IC 设计项目，因为每个代工厂工艺都有自己的一套设计规则。它设计的一些 IC 由世界领先的代工厂制造，例如台积电、三星半导体、英特尔和 Global Foundries Inc. 2022 年，Oppstar 与 Sophic Automation 签订了战略合作伙伴协议，以利用 Sophic Automation 的工程资源和客户群进一步加强其在硅后验证服务方面的产品。由于其业务性质依赖于熟练的人员，其劳动力成本占总销售成本的 90% 以上，其目前 217 名设计工程师的利用率在 FPE2022 达到 85.17%。作为确保未来设计工程师劳动力的努力的一部分，该集团目前与 5 所高等院校合作，制定了一个结构化的计划，通过研发、行业讲座、现场培训、训练营、实习等活动培养知识型员工并提供就业机会。 Oppstar 的订单价值约为 3429 万令吉，主要包括交钥匙设计服务，预计将在未来 12 个月内确认。