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大学计划 - Europractice
除了 EDA 工具和 IP，大学还需要访问库和工艺设计套件来实现完整的 IC 设计流程。Synopsys 开发了 90nm 和 32/28nm 版本的通用库和可互操作工艺设计套件 (iPDK)，以帮助教师教授现代微电子设计技术，并为学生提供真实的设计体验，为他们进入行业做好准备。通用库 Synopsys 90nm 和 32/28nm 通用库专为教学而设计，可帮助学生掌握低功耗等高级设计方法。它们包括示例设计，以及对 OpenSPARC、PowerPC® 405 和 Cortex M0™ 处理器的支持。内容包括：
180nm 的功率、性能和面积评估...
摘要 本研究提出了一种能够有效、全面评估多种技术节点的CMOS工艺的功率-性能-面积（PPA）特性的方法。根据国际半导体技术路线图（ITRS），我们采用从180nm半节距节点到28nm节点的全尺寸缩小方法，设计并实现了一系列基准环形振荡器（RO）电路。同时，我们对基于六种低泄漏（LL）工艺：180nm、130nm、90nm、65nm、40nm和28nm工艺的RO电路进行了仿真、分析和版图设计。通过纵向分析和比较这六种工艺的PPA特性，可以更好地了解工艺质量，并得出一些可靠的结论来指导设计指标。所提出的方法和基准电路可以很好地扩展到未来的先进技术节点。关键词：集成电路（IC）、PPA、RO电路、CMOS工艺、PVT 分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、RF、传感器）
美国监管中国产传统芯片的途径
在针对先进半导体的出口管制修补的同时，政策辩论也在不断升温，即是否以及如何应对中国在传统工艺节点（也通常被称为基础、后缘、成熟、关键或主流芯片）上建设半导体产能带来的潜在威胁。2023 年美国商务部《芯片法案》将传统芯片定义为基于 28 纳米或更大工艺节点制造的半导体，不同于前沿半导体，美国在 2022 年出口管制中将前沿半导体定义为基于 16/14 纳米或以下工艺节点制造的逻辑芯片。从高度专业化的 28 纳米微控制器到现成的 350 纳米功率组件，各种芯片都属于传统芯片类别。尖端服务器、图形、笔记本电脑和智能手机处理器依靠极紫外光刻技术，在高度复杂的制造过程中，在 (5 纳米以下) 工艺节点上每平方毫米封装越来越多的晶体管。相比之下，较为低调的传统芯片可以在老一代的DUV光刻设备上制造，对晶圆生产的要求较低。
NXP 高性能 Layerscape 安全性分析...
1 基于数字网络 28nm 可靠性数据和现场返回的芯片和封装故障率 2 基于 IEC TR 62380 的芯片和封装故障率 3 符合 ISO 26262 2018 版第 10 部分第 8.1.8 条 4 芯片级故障检测/校正；主要是内部 RAM 上的 ECC 5 芯片级故障检测/校正，以及 IO 数据损坏和 IO/加速器内存访问违规检测 6 基于 BlueBox 车辆排队的系统安全概念；安全 MCU 看门狗、外部电源和时钟监控
FAMES 中试线
FD-SOI 技术（在欧洲发明、获得完整专利和开发，非常适合加强欧洲的工业实力）得到了众多欧盟合作项目框架（ENIAC、ECSEL、KDT、CHIPS）的支持，涉及许多学术和工业合作伙伴。这些项目为创建强大而全面的生态系统做出了巨大贡献。大部分 FD-SOI 价值链（晶圆制造、建模、芯片设计和工艺等）由欧洲掌握和托管。Soitec 是 FD-SOI 衬底晶圆制造领域的全球领导者，意法半导体 (ST) 和 GlobalFoundries (GF) 使用 Soitec 的晶圆在欧洲加工 28nm 和 22nm FD-SOI 集成电路。高通、谷歌、三星、索尼、博世、Nordic、NXP 等全球领先公司和
半导体行业前景光明的企业
© 2024. 欲了解详情，请联系 Deloitte Anjin LLC 和 Deloitte Consulting LLC 111. 企业在制定企业数字化愿景时，应考虑哪些方面（设计、生产、销售、报废/回收）？ 2. 生产系统和流程集成需要哪些业务应用程序？ 3. 应标准化哪些通信协议？又应该开发怎样的接口？ 4. 半导体企业应具体考虑哪些方面，以实现更加以人为本的智能制造环境？ 速览 从现有技术节点（28nm制造）过渡到先进技术节点（2nm），需要消耗3.5倍的能源，消耗2.3倍的水，排放2.5倍的温室气体。13)
GSCORE：通过3D高斯脱落的架构支撑效率的有效辐射场渲染
摘要本文介绍了GSCORE，这是一个硬件加速器单元，该单元有效地执行了使用算法优化的3D Gauss-ian剥落的渲染管道。GSCORE基于对基于高斯的辐射场渲染的深入分析的观察，以提高计算效率并将技术带入广泛采用。在此过程中，我们提出了几种优化技术，高斯形状感知的交叉测试，分层排序和下图跳过，所有这些都与GSCORE协同集成。我们实施了GSCORE的硬件设计，使用商业28NM技术进行合成，并评估具有不同图像分辨率的一系列合成和现实世界场景的性能。我们的评估要求表明，GSCORE在移动消费者GPU上实现了15.86倍的速度，其面积较小，能源消耗较低。
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。
引用: 张 HC、马 XY、蒋 CP、尹 JL、吕 S、鲁 SY、商 XT、曼 BW、张 C、李 DD、李 SH、陈 WJ、刘 HX、王 GF、曹 KH、ZH
磁性随机存取存储器 (MRAM) 作为一种新兴的非挥发性存储器，具有读写速度快、耐久性高、存储时间长、功耗低等特点，几年前就引起了台积电、三星、格罗方德等大型半导体代工厂的极大兴趣 [1−5]。一方面，MRAM 的高性能特性使其成为 28nm CMOS 技术节点以下嵌入式闪存 (e-flash) 的重要替代解决方案，而 e-flash 存在严重的经济障碍，阻碍了其进一步微缩 [6]。另一方面，MRAM 的目标是成为静态随机存取存储器 (SRAM) 等工作存储器的替代品，以解决先进 CMOS 节点中可能出现的严重漏电问题 [7,8]。然而，由于速度限制和耐久性问题，很难取代L1或L2缓存SRAM，尤其是对于两端自旋转移矩（STT）MRAM [ 9 − 11 ] 。因此，需要进一步探索下一代MRAM器件。