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2025 年 5 月/6 月考试时间表
8464/B/1F 试卷 1：生物学 1 小时 15 分钟 2025 年 5 月 13 日下午 8464/B/1H 试卷 1：生物学 1 小时 15 分钟 2025 年 5 月 13 日下午 8464/B/2F 试卷 2：生物学 1 小时 15 分钟 2025 年 6 月 9 日上午 8464/B/2H 试卷 2：生物学 1 小时 15 分钟 2025 年 6 月 9 日上午 8464/C/1F 试卷 1：化学 1 小时 15 分钟 2025 年 5 月 19 日上午 8464/C/1H 试卷 1：化学 1 小时 15 分钟 2025 年 5 月 19 日上午 8464/C/2F 试卷 2：化学 1 小时 15 分钟 2025 年 6 月 13 日上午 8464/C/2H 试卷 2：化学 1 小时15m 2025 年 6 月 13 日上午 8464/P/1F 试卷 1：物理 1h 15m 2025 年 5 月 22 日上午 8464/P/1H 试卷 1：物理 1h 15m 2025 年 5 月 22 日上午 8464/P/2F 试卷 2：物理 1h 15m 2025 年 6 月 16 日上午 8464/P/2H 试卷 2：物理 1h 15m 2025 年 6 月 16 日上午
GE2 MP – H28 微处理器和微控制器 - 斯法克斯
程序设计第一部分：第1章 RISC、CISC体系结构、流水线 (2h) 回顾X86体系结构、RISC概念、流水线原理及其危害。第 2 章 PIC 16F84 系列架构和指令集 (5h) 微控制器简介、需求和主要特性、制造商 PIC16F84 主要汇编指令摘要 第 3 章 MiKroC 中 PIC 16F84 的中断 (4h) PIC 16F84 的 4 个中断的详细信息、中断编程、练习 第 4 章 PIC 16f877 系列 (2h) 与 PIC 16F84 的区别、A/D 转换器的编程、端口管理第 2 部分 第 5 章 微处理器的演变 第 6 章 最小微处理器系统和数据交换 第 7 章 微处理器信号：类别、功能和应用 第 8 章 中断 参考书目 [1] J. Hajjej 微处理器和微控制器简介 ELLIPSES，2018
强化学习的数学
区域： / modulnr。：部门数学 / CIT413036课程结构：讲座：2H练习：2H内容：课程概述了增强学习的数学基础，包括对马克夫决策过程的介绍和表图形的增强性增强学习方法（Monte Carlo，Monte Carlo，时间差异，SARSA，SARSA，SARSA，Q-LEAL，Q-LEARNINGNING，...）。这些主题是通过对随机近似理论的影响来补充的，以对算法进行收敛分析。Prerequisite: MA0001 Analysis 1, MA0002 Analysis 2, MA0004 Linear Algebra 1, MA0009 Introduction to Probability Theory and Statistics, MA2409 Probability Theory Literature : Sutton, Barto (2018): Reinforcement Learning: An Introduction, MIT Press Puterman (1994): Markov Decision Processes: Discrete Stochastic Dynamic Programming, Wiley Kushner, Yin (2010): Stochastic近似和递归算法和应用，施普林格证书：请参阅Tumonline位置/讲座/练习：请参阅Tumonline
由静电掺杂驱动的单层MOTE2中的结构相变
过渡金属二盐元化（TMDS）的单层表现出许多具有不同结构，对称性和物理特性1-3的晶体相。在二维4中探索这些不同的结构阶段之间的过渡物理学可能会提供一种切换材料特性的方法，这对潜在的应用有影响。由热或化学方法5,6诱导；最近提出，通过静电掺杂对晶体相纯粹的静电控制是一种理论上的可能性，但尚未实现7,8。在这里，我们报告了单层钼二硫代硫醇的六边形和单斜阶段之间静电掺杂驱动的相变的实验证明（Mote 2）。我们发现相变显示了拉曼光谱中的滞后环，并且可以通过增加或降低栅极电压来逆转。我们还将第二谐波生成光谱与极化分辨的拉曼光谱结合在一起，以表明诱导的单斜相保持原始六边形相的晶体取向。此外，这种结构相变于整个样品同时发生。这种结构相变的静电掺杂控制为基于原子薄膜开发相变设备的新可能性开辟了新的可能性。分层TMD中通常研究的晶体形式是最稳定的六边形（2H）相。在这种情况下，如图有趣的是，实验研究报道了另一种分层晶体结构，即单斜（1T'）相。1a，每个单层由一层六角形的过渡金属原子组成，并将其夹在两个层的chalcogen原子1之间。与散装形式不同，单层2H TMD成为直接带隙半导体和断裂反转对称性，在布里远区域9,10的角落形成了不等的山谷。这种山谷的自由度，以及在低维度中的强烈激子效应，使该阶段成为二维谷LeTronics和Optoelectronics 11-13的独特平台。在这里，在每个层中，丘脑原子在过渡金属原子周围形成一个八面体配位，沿y轴14的晶格失真（图1b）。与半导体2H相不同，半金属或金属1T'单层TMDS保留反转对称性，预计将表现出非平凡的拓扑状态2,3。2H和1T'相之间过渡的动态控制可以揭示不同晶体结构的竞争，共存和合作，以及不同的物理特性之间的相互作用15。这种控制还导致广泛的设备应用，例如记忆设备，可重新配置的电路和拓扑晶体管在原子上较薄的限制为2,16,17。到目前为止，通过在500°C下的热合成进行了实验报告TMD中的2H到1T'相变（参考5），通过元素取代18和激光照射19。但是，这些相变仅在几层或
可控3R诱导症及其...
分层的过渡金属二分法（TMDS），不仅由多种化合物的组合，而且还具有丰富的晶体结构而爆发了许多可能性。探索新材料，确定其结构和特性一直是材料科学中的原始动机。在这里，我们报告了具有三层堆叠序列（3R）的稀有Tase 2的合成和附魔超导性。环境压力化学蒸气沉积（CVD）策略已用于实现纯3R-Tase 2。低温传输数据显示，在3R-Tase 2中，高超导过渡温度（T C）为1.6 K，这显着高于两层堆叠序列（2H，H：HEXAGONAL）相。结果表明，T C对层堆叠顺序相当敏感，并确认3R在Tase 2中的2H上强烈优选超导性。这项工作证明了一个独特的3R相平台研究超导性能的综合，并提供了有关操纵晶体结构的新见解，以访问超高t c。
通过直接电气化实现工业部门脱碳的储能技术
• 阶段 A：低电量状态下 3h C/10 充电和 3h C/10 放电循环 50 次。 • 阶段 B：高电量状态下 6h 充电和 2h C/8 放电循环 100 次。 • 如果完成这两个阶段后，保留了 80% 的初始容量，则认为电池已成功在太阳能微电网中运行一年。