概述:本文件是 RIIO-1 电力传输许可证特殊条件 3H(网络创新补贴)、电力分配许可证收费限制条件 2H(网络创新补贴)、RIIO-2 电力传输许可证特殊条件 5.3(结转网络创新补贴)和 RIIO-2 电力系统运营商电力传输许可证特殊条件 4.7(结转网络创新补贴)中提及的网络创新补贴治理文件 43.0 版。对 RIIO-1 的每次引用均指 2021 年 3 月 31 日生效的相关许可条件,称为“NIA 许可条件”。对 RIIO-2 的每次引用均指 2021 年 4 月 1 日生效的相关许可条件,称为“CNIA 许可条件”。 RIIO(收入 = 激励 + 创新 + 产出)价格控制模型的主要创新提案之一是引入针对天然气和电力的网络创新补贴 (NIA)。NIA 的目的是鼓励网络许可证持有者创新,以解决与其网络发展相关的问题。本治理文件规定了电力 NIA 的监管、治理和管理。NIA 许可条件要求网络许可证持有者遵守本文件,就像它是其许可证的一部分一样。我们试图让网络许可证持有者以外的各方都能访问和了解本文件,尤其是那些可能希望与网络许可证持有者合作使用 NIA 来尝试新技术或商业安排的人。
ag,Cu和SN的电催化剂有望在气体扩散电极上还原性动力学和效率。ag,Cu,SN硫化物催化剂尤其可能会提供改变的电子适用岩和产品选择性,同时仍然易于在可缩放的合成路线中制造。比较Cu 3 SNS 4,Ag 3 SNS 4,Cu 2 S,SNS和AG 8 SNS 6的CO 2降低(CO 2 RR)在100 mA cm -2时的Cu 3 SNS 4,Cu 2 S,SNS和AG 8 SNS 6,甲酸甲酸甲酸盐被认为是Cu 3 SNS 4和AG 3 SNS的FARADAIC 57%的主要CO 2 RR。通过X射线光电子光谱(XPS)和X射线衍射的表征揭示了CO 2 RR期间相应硫化物物种的Ag 3 Sn和Cu 3 Sn合金的形成。但是,在-100 mA cm -2时2小时分解为CuO和SNO的Cu 3基电极表面,XPS可以通过XPS删除表面层后检测到相应的电极表面上的金属AG 3 SN位点。使用密度函数理论,计算 *H, *CO和 *OCHO的结合能在Cu 3 Sn和Ag 3 SN上计算以鉴定可能的催化位点。因此,发现SN会呈现Cu和Ag高含氧化性,从而导致羧基功能的吸附,从而使甲酸盐产生能够甲酸盐产生,其部分电流密度高达162 mA CM -2。
多粘菌素 B 是治疗多重耐药革兰氏阴性细菌感染的最后一种治疗选择。本研究旨在开发一种群体药代动力学模型和有限抽样策略,即使用有限数量的样本来估计浓度曲线下面积 (AUC) 的方法,以协助中国患者对多粘菌素 B 的治疗药物监测。使用 Phoenix ® NLME 对 46 名成年患者在稳定状态下获得的数据进行群体药代动力学分析。研究了各种人口统计学变量作为群体药代动力学建模的潜在协变量。使用组内相关系数和 Bland-Altman 分析验证了基于贝叶斯方法和多元线性回归的有限抽样策略。结果,数据用二室群体药代动力学模型描述。通过建模发现,肌酐清除率是影响多粘菌素 B 清除率的具有统计学意义的协变量。有限取样策略显示,两点模型(C 0h 和 C 2h )可以预测多粘菌素 B 暴露量,具有良好的线性相关性(r 2 > 0.98),四点模型(C 1h 、C1 .5h 、C 4h 和 C 8h )在预测多粘菌素 B AUC 方面表现最佳(r 2 > 0.99)。总之,本研究成功建立了可用于临床实践的群体药代动力学模型和有限取样策略,以协助中国患者多粘菌素 B 治疗药物监测。
非热血浆辅助甲烷热解已成为轻度条件下氢生产的一种有希望的方法,同时产生了有价值的碳材料。在此,我们开发了一个等离子化学动力学模型,以阐明与氢气解析涉及氢和固体碳(GA)反应器内的甲烷热解的潜在反应机制。开发了一个零维(0D)化学动力学模型,以模拟基于GA的甲烷热解过程中的血浆化学,并结合了涉及电子,激发物种,离子和重物的反应。该模型准确地预测了与实验数据一致的甲烷转化和产品选择性。观察到氢与甲烷转化率之间存在很强的相关性,主要是由反应CH 4 + H→CH 3 + H 2驱动,对氢的形成贡献44.2%,而甲烷耗竭的37.7%。电子与碳氢化合物的影响碰撞起着次要作用,占H 2形成的31.1%。这项工作提供了对GA辅助甲烷热解中固体碳形成机制的详细研究。大多数固体碳源于通过反应E + C 2 H 2→E + C 2 + H 2 /2H的电子撞击C 2 H 2的分离以及随后的C 2缩合。c 2自由基被突出显示为固体碳形成的主要因素,占总碳产量的95.0%,这可能是由于C 2 H 2中相对较低的C - H解离能。这项动力学研究提供了对H 2背后的机制和在GA辅助甲烷热解过程中的固体形成机制的全面理解。
钛取代的灯笼型锰锰矿LSMTO(LA 0.5 sr 0.5 sr 0.5 mn 1-x ti x o 3,x = 0,0.1)纳米脂源是使用有机酸前体使用甘氨酸硝酸盐作为燃料来制备的。在不同的钙化温度为800至1200oC的不同钙化温度下,结构,微结构,磁性,抗微生物活性以及LA 0.5 sr 0.5 sr 0.9 ti 0.1 o 3的抗癌活性被仔细检查。在不同的合成条件下证明了带有空间群PBNM的理想原骨钙钛矿LSMTO。但是,在不同温度下退火的LSMO中的Ti 4+离子代替Mn 4+离子导致结晶石大小从13.57到16.10 nm的增加。FT-IR光谱阐明了与Mn-O相关的600 cm -1频段将宽泛归因于Ti-O拉伸模式。产生的样品的形态似乎是球形分组。磁化的温度依赖性证实,由于FM MN 3+ –O-MN 4+相互作用中断,Ti +4离子是铁磁(FM) - paramagnetic(PM)双交换过渡的弱。摩尔磁敏感性随温度的增加。随后,随着温度的增加,发现居里温度值从373 K增加到383 K。最终,LSMTO粉末对在800、1000和1200°C下退火的LSMTO分别对IC 50值(105、135和152μg/ml)具有细胞毒性作用。
摘要:设计纳米级异质结构材料是增强气体传感性能的一种众所周知的方法。在本研究中,溶解在乙醇溶剂中的氯化锌和二水合氯化锡的混合溶液被用作初始前体,使用超声喷雾热解 (USP) 法在氧化铝基底上沉积传感层。通过在初始前体中应用不同的比例来生长几种 ZnO/SnO 2 异质结构。这些异质结构被用作传感 H 2 S 气体分子的活性材料。结果表明,USP 前体中氯化锌的增加会改变传感器的 H 2 S 灵敏度。发现最佳工作温度为 450°C。传感器的 USP 前体中含有 5:1(ZnCl 2:SnCl 2·2H 2 O)的比例,比纯 SnO 2(约 95 倍)样品和其他异质结构具有更高的响应。随后,还研究了 ZnO/SnO 2 异质结构对 5 ppm NO 2 、200 ppm 甲醇、100 ppm CH 4 、丙酮和乙醇的选择性。分析了 ZnO/SnO 2 的气敏机理,认为气敏性能的显著提高主要归因于 ZnO 和 SnO 2 之间异质结构的形成。还利用 X 射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散 X 射线、透射电子显微镜和 X 射线光电子能谱分析了合成的材料,以研究 ZnO/SnO 2 异质结构的材料分布、晶粒尺寸和材料质量。关键词:气体传感器、ZnO/SnO 2 、异质结构、超声喷雾热解、H 2 S ■ 介绍
植食性昆虫已经进化出复杂的解毒系统来克服许多植物产生的抗食草动物化学防御。然而,这些生物转化系统在通才和专才昆虫物种中有何不同,以及它们在确定昆虫宿主植物范围方面的作用仍是一个悬而未决的问题。在这里,我们表明 UDP - 葡萄糖基转移酶 (UGT) 在确定 Spodoptera 属内昆虫物种的宿主范围方面起着关键作用。对宿主植物宽度不同的 Spodoptera 物种进行比较基因组分析,发现在通才物种中 UGT 基因数量相对保守,但在专才 Spodoptera picta 中 UGT 基因假基因化水平较高。CRISPR - Cas9 敲除 Spodoptera frugiperda 的三个主要 UGT 基因簇表明,UGT33 基因在使该物种利用禾本科植物玉米、小麦和水稻方面发挥重要作用,而 UGT40 基因促进棉花的利用。进一步的体内和体外功能分析表明,UGT SfUGT33F32 是使广谱 S. frugiperda 能够解毒苯并恶嗪类化合物 DIMBOA(2,4-二羟基-7-甲氧基-2H-1,4-苯并恶嗪-3(4H)-酮)的关键机制,DIMBOA 是由禾本科植物产生的强效杀虫毒素。然而,虽然这种解毒能力在几种广谱 Spodoptera 物种中得到了保留,但专食文殊兰植物的 Spodoptera picta 因 SpUGT33F34 的非功能性突变而无法解毒 DIMBOA。总之,这些发现为了解昆虫 UGT 在宿主植物适应中的作用、广谱和专谱之间进化转变的机制基础提供了见解,并为控制一组臭名昭著的害虫提供了分子目标。
二硫族化合物 MX 2 (过渡金属 M 和硫族元素 X) 是范德华耦合的层状准二维材料,具有可定制的电子特性,因此在器件、气体传感器和化学过程方面具有重要意义。[1] 其基础是多相和堆叠顺序的存在,以及作为主体材料进行掺杂和插层的能力。[2] 二硫族化合物辉钼矿 (MoS 2 ) 是一种热力学稳定的块体晶体,间接带隙为 1.2 至 1.3 eV。[3–5] 其晶体结构由堆叠的 S–Mo–S 片组成,具有 A–B–A 堆叠的三角棱柱对称性,其中顶部和底部 S 平面中的硫原子占据等效的垂直位置。[3] S–Mo–S 片之间的距离为 6.5 Å。 [6] 从间接带隙块体 2H-MoS 2 到单层,带隙逐渐加宽,单层 MoS 2 的直接带隙达到 1.9 eV。[5] 半导体 2H-MoS 2 相支持通过化学和物理方法诱导的 n 型和 p 型掺杂。[7–11] 据报道,插层、电子、光学和热激发以及机械应变和层取向。[3,12–16] 将 S-Mo-S 层中一个 S 平面的硫原子滑动 1.82 Å 会导致单层内的 ABC 堆积,其中硫原子占据 2H 相六边形的中心,从而产生金属 1T-MoS 2 相。 [3,17] 金属 1T-MoS 2 相可以通过电子注入来稳定,例如用电子显微镜直接注入电子或通过吸附的锂原子提供电子。[12,17–21]
有电网时亮起 ON ON 控制板编程LED OK OFF 点火第一分钟后闪烁(控制板处于安全锁定状态) OK OFF 降低护柱时亮起 AP OFF 升起护柱时亮起 CH OFF 电机M1开启时亮起 Mot。1 OFF 电机M2开启时亮起 Mot。2 OFF 电机M3开启时亮起 Mot。3 OFF 电机M4开启时亮起 Mot。4 OFF 闪光灯输出为LAMP时亮起。OFF 电动阀输出为ELET.V时亮起 OFF 交通灯为绿色SEMAF时亮起。ON 亮起(第 2h 点所述) 前照灯 LED EXT。OFF 按下按钮/时钟时亮起。CH OFF 按下按钮/访问控制时亮起。AP OFF 按下停止按钮时自动关闭(带自保持功能的停止按钮)Ing。ST ON 系柱 M1 完全放下时亮起 FC1 ON 系柱 M1 完全升起时亮起 FA1 OFF 系柱 M2 完全放下时亮起 FC2 ON 系柱 M2 完全升起时亮起 FA2 OFF 系柱 M3 完全放下时亮起 FC3 ON 系柱 M3 完全升起时亮起 FA3 OFF 系柱 M4 完全放下时亮起 FC4 ON 系柱 M4 完全升起时亮起 FA4 OFF 检测到线圈/敏感头检测时自动关闭(见 2.c) S1 ON 推敏感头时自动关闭(见 2.c) S2 ON
我们最近开发出了第一种非侵入性技术,它可以通过等离子体增强暗场 (DF) 纳米光谱在纳米尺度和环境条件下原位追踪材料形貌。[28–30] 在这里,我们利用纳米拉曼和纳米光致发光提供的附加功能对其进行扩展,以研究 MoS 2 中的切换机制。该方法的原理如图 1a 所示。将一个 80 nm 的金纳米粒子 (AuNP) 放置在金基底附近,用白光 (λ ≈ 400–900 nm) 照射,以在 AuNP 内产生等离子体共振 (单模),并在 AuNP 和基底之间的间隔物中产生等离子体共振 (间隙模式)。[31,32] 使用 DF 散射显微镜配置检测共振,间隙模式的波长和强度取决于间隔物的折射率、厚度和几何形状。 [31,32] 使用 AuNP 作为电开关的纳米尺寸(≈ 700 nm 2 )顶部触点 [29,33] 会导致纳米级开关通道内局部出现强场增强。这大大增强了拉曼和光致发光 (PL) 信号,[34] 方便地突出了原本无法检测到的纳米级开关动力学。文献中提出了许多针对 MoS 2 的开关机制,如表 1 所示。这些机制包括硫空位(VS)的迁移[3,9,10]、氧化 MoS 2 中氧的运动[6,12]、电荷捕获和脱捕获[2]、从半导体(2H)到金属(1T')的相变[4,7]、以及金属离子从电极中嵌入[5,13,17,18,20]。我们注意到,所有上述机制都会引起光信号(拉曼,PL)的变化,这些变化可以通过我们的实验能力检测到。特别是,通过透射电子显微镜(TEM)研究的所有 MoS 2 纳米片中都观察到的 VS 密度[36–38]与 ≈ 750 nm 处的 PL 峰[39,40]、MoS 2 的 A/B 激子的强度比[39,41]相关
