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MoS2堆叠纳米片场效应晶体管的模拟
根据2021年国际器件与系统路线图（IRDS），环栅晶体管（GAA）将从3nm技术节点开始取代FinFET，并应用于1nm技术节点。下一步，尺寸缩小的目标不仅是降低漏电，更重要的是降低功率，而包括三维异质集成在内的三维垂直架构将成为降低功耗的主流技术。要延续摩尔定律，不仅需要通过器件尺寸缩小来提高电路集成度，还需要降低功率和提高开关速度。堆叠式NSFET具有更好的静电完整性、短沟道免疫力，因此具有更好的功率缩放性能，是未来亚3nm技术节点的有希望的候选者[1−3]。
采用基于 3nm 的 800Gb/s 可插拔器件和 1.6Tb/s 性能光学器件的新型相干技术实现方法以及由此产生的网络影响
§ 最先进的 3nm CMOS、70 GHz 电光 § OSFP Type 2A 和 QSFP-DD800 外形尺寸 § 符合标准的 800ZR / 800LR / 800G ZR+（互操作 PCS）模式 § 最高性能 400 / 600 / 800G PCS 传输模式，高达 141GBd § SOA-on-SiP 异构集成，可在 C 波段和 L 波段实现高 Tx 输出功率和可扩展性（OIF 800ZR Tx 输出 A 类）
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4. 注意。直升机和空中交通管制员可能在死区启用。5. 来访的固定翼空中交通管制员应在 40 海里（喷气式飞机）、20 海里（活塞式飞机）和近端呼叫进近。6. 飞行员不得飞越 2000 英尺 AGL 以下的 GLASTONBURY、SHEPTON MALLET 或 EVERCREECH。7. 飞行员应自行导航到 10 海里或 2000 英尺以上的航线，并切换到塔台。空中交通管制员通常应在 26 号跑道的 1000 英尺 QFE 处的跑道 THR 处或 04、08 或 22 号跑道的交叉口处“中断”。8. 对于固定翼飞机的恢复，初始点位于 3 海里、1500 QFE 处，并且位于死区。 9. 由于固定翼 / 旋翼飞机混合飞行，死角是通过球形雷达罩北侧并与正在使用的跑道平行绘制的一条线。
微芯片设计与制造的基本原理
业务中最好的教练教授本课程。与其他没有经验的业余爱好者教授的介绍性课程不同，杰里·希利（Jerry Healey）是该领域的世界一流专家，拥有数十年的行业经验。但是，他不仅是为了深厚的技术专长，而且还因为他在清晰而引人入胜的人中提供复杂的技术信息的能力而闻名。Healey先生是一位才华横溢的公众演讲者，本研讨会的课程注释通过高质量的3D颜色图形以及相关的SEMS和TEMS进行了丰富的说明。我们希望您清楚地了解使5NM节点微芯片技术成为现实的关键启用技术，并了解3NM节点及以后面临的核心技术挑战。您完成了本课程后，您将永远不会离开会议，想知道人们在说什么。
高体积膨胀锂离子电池机械完整性的原位研究
第四族元素及其氧化物，如硅、锗、锡和二氧化硅，具有比商用石墨阳极高得多的理论容量。然而，这些材料在循环过程中体积变化很大，导致严重的结构退化和容量衰减。Al 2 O 3 涂层被认为是提高高容量阳极材料机械稳定性的一种方法。为了直接了解 Al 2 O 3 涂层的效果，我们使用原位聚焦离子束扫描电子显微镜 (FIB-SEM) 监测了循环过程中涂层/未涂层 Sn 颗粒的形貌变化。结果表明，Al 2 O 3 涂层提供局部保护并减少体积膨胀早期裂纹的形成。3nm Al 2 O 3 涂层比 10nm 和 30nm 涂层提供更好的保护。尽管如此，由于体积膨胀较大，Al 2 O 3 涂层无法防止循环后期的粉碎。
alphawave semi
Alphawave半决赛通过完整的子系统互连性IP和自定义计算解决方案加速了连接的世界，alphawave半设计行业领先，高速连接解决方案，用于高增长最终市场的客户，包括数据中心，AI，AI，5G无线基础设施，数据网络，数据网络，自动固有的车辆和固体稳定性。我们的领先技术进步推动了有线连接功能的界限，使数据能够更快，更可靠地传播，并使用较低的功率。Zeuscore™MSS IP支持线性可插入光学元件Alphawave Semi Zeuscore™是Xtra-Long-Reach（XLR，LR，MR，VSR），基于DSP的，基于DSP的，多标准Serdes（MSS）IP。这是一个高度可配置的SERDES IP，它支持从1GBPS到112Gbps的所有前沿NRZ和PAM4数据中心标准，最多可用于43 dB颠簸颠簸损失频道。该IP在硅中被证明在前沿过程节点（7nm，6nm，5nm，4nm，3nm）中，并准备好可用于客户磁带。关键功能：
Yonsense International Summer School待定重新提交
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立式碳钢再结晶通道的研究...
近年来，逻辑器件的量产技术已经发展到 3nm 技术节点[1]。未来，英特尔、三星、台积电将继续利用 2nm 技术节点的新技术，如环栅场效应晶体管 (GAAFET) [2,3]、埋入式电源线 (BPR) [4–8]，来优化逻辑器件的功耗、性能、面积和成本 (PPAC)。然而，横向器件的微缩越来越困难，流片成本已令各大设计公司难以承受。同时，垂直器件将成为未来 DRAM 器件中 4F2 单元晶体管的有竞争力的候选者 [9–13]。关于垂直器件的研究报道很多，大致可分为两条路线。“自下而上”路线利用金属纳米粒子诱导催化，实现垂直纳米线沟道的生长 [14,15]。然而该路线存在金属元素问题，如金污染，与标准CMOS工艺不兼容。另外，通过光刻和刻蚀工艺“自上而下”制作垂直晶体管器件的方法已被三星和IBM报道[16，17]。然而该路线也存在一些问题，例如器件栅极长度和沟道厚度难以精确控制，并且该路线中栅极无法与垂直器件的源/漏对齐。为了解决上述问题，提出了基于SiGe沟道的垂直夹层环绕栅极(GAA)场效应晶体管(VSAFET)，其在栅极和源/漏之间具有自对准结构[18–21]。最近，垂直C形沟道纳米片
纳米管中栅极静电可控性的增强
近年来，随着半导体技术进入10nm以下技术节点，短沟道效应（SCE）和功耗耗散问题成为场效应晶体管进一步小型化面临的巨大挑战，需要采取强制性措施予以解决。从3nm技术节点开始，环绕栅极结构提高的SCE抑制能力使环绕栅极场效应晶体管登上了历史舞台。本文展示了双栅极纳米管环绕栅极场效应晶体管（DG NT GAAFET）的超强静电控制能力，并与具有相同器件参数设计的纳米管（NT GAAFET）和纳米线环绕栅极场效应晶体管（NW GAAFET）进行了比较。与NT GAAFET和NW GAAFET相比，DG NT GAAFET的I on 分别提升了62％和57％。此外，由于静电控制的增强，DG NT GAAFET 中的 SCE 得到了明显抑制，这可以通过改善 I off 、SS 和 I on /I off 比来证明。另一方面，NT GAAFET 的 I on 与 NW GAA-FET 相当，而与 NW GAA-FET 相比，它的 I off 小 1 个数量级，SS 小近 2 倍，体现了纳米管通道结构的优越性。最后，通过 TCAD 模拟研究验证了纳米管通道结构，特别是双栅极纳米管结构对 L g 缩放的稳健性。关键词：双栅极，纳米管，纳米线，短沟道效应，功耗耗散。