OZ93506是一种高度集成的高性能电池管理IC,可以串联监视和保护3到6个单元。它还集成了各种系列通信接口,例如SPI,I2C和UART,以及用于功能扩展的多个通用iOS。OZ93506将32位ARM Cortex M0 MCU与16KBYTES嵌入式Eflash(4K x 32bits)和可选的额外的64K或128KBYTES扩展程序集成,用于高级电池组管理数据和/或代码存储和其他非挥之不去的内存需求。它具有高压(40V)前端,可通过14位ADC测量差分电池电压。它还具有准确的包装电流测量和库仑计数,具有16位的ADC启用SOC和SOH功能。实时比较器提供了当前/短路保护措施的额外快速保护。
硬件详细描述 MAX20048 评估板为 MAX20048 降压-升压控制器 IC 提供经过验证的布局。该 IC 接受高达 36V 的输入电压,可提供高负载电流,在升压模式下输入电流为 20A (最大值)。评估板可处理高达 40V 的输入电源瞬态电压。包含各种测试点以供评估。评估板在输入端 (R1) 上安装了一个 3mΩ 电流检测电阻,在输出端 (R2) 上安装了一个 4mΩ 检测电阻。这将输入电流限制设置为 16.67A,将失控电流限制设置为 18.75A。可以通过更改检测电阻来设置更高的电流限制。提供可选滤波器输入 (IN_FILTER) 以测试具有附加输入滤波器的设计。默认评估板未安装滤波器,因此必须使用输入端 IN。
抗辐射功率 MOSFET(CoolMOS™ 技术) 100V、150V、250V,SMD-0.5、SMD-2、TO-254AA、TO-257AA TID>100Krads(可根据要求提供 300Krads),SEE >LET 55 / 85 MeV “SAM” 为电气功能样品 “P” 为面包板和 EM 上使用的专业级 “ES” 为 ESA 空间级,用于完全合格的卫星飞行模块 微波晶体管 硅双极晶体管技术 额定电源电压从 4V 到 12V 输出功率从 20mA 到 150mA 转换频率从 6.5GHz 到 42GHz 微波硅二极管 小信号、肖特基和 PIN 二极管 I Fmax= 120mA 至 5A,V BR= 40V 至 150V,R F= 0.9Ω 至 10Ω可提供芯片(裸片) 客户特定筛选 抗辐射功率 MOS、MW 晶体管 ESA 资格 ESCC 合格产品 所有产品均在欧洲生产 - 无需出口许可证
模拟输入 通道数 24 个全差分输入加 1 个单端专用 CJC 通道 输入配置 多路复用 ADC 分辨率 18 位 采样率 最大每通道 250 次采样/秒(总计 6 kS/s) 输入范围 -2 V 至 + 31 V(G=1) 增益 1、10、100 或 1000 最小分辨率 0.25 μV(增益 = 1000) 输入偏置电流 ±5 nA 最大,±0.5 nA 典型 输入阻抗 10MΩ 共模抑制 100 dB 典型 电源抑制 > 120 dB 精度(25 °C) 增益 = 1 ± 1.47 mV 增益 = 10 ± 0.293 mV 增益 = 100 68 μV 热电偶(类型/精度) K / ±1.25 °C、J / ±1.9 °C、T / ±1.9 °C(使用DNA-STP-AI-U 用于 CJC 测量) 隔离 350 Vrms 过压保护 -40V 至 +55V 通用规格vv 测试工作温度 -40 °C 至 +85 °C 振动 IEC 60068-2-6 IEC 60068-2-64
•AEC-Q100有资格用于汽车应用的资格: - 温度1级:–40°C至 +125°C,T A•功能安全性能 - 可用于辅助功能安全系统设计的文档•H-Bridge Smart Gate驱动程序 - 4.9V至37V至37V(40V ABS。max) operating range – Doubler charge pump for 100% PWM – Half-bridge and H-bridge control modes • Pin to pin gate driver variants – DRV8106-Q1: Half-bridge with inline amplifier – DRV8706-Q1: H-bridge with inline amplifier • Smart gate drive architecture – Adjustable slew rate control – 0.5mA to 62mA peak source current output – 0.5mA to 62mA peak sink current output – Integrated dead-time handshaking • Low-side current shunt amplifier – Adjustable gain settings (10, 20, 40, 80V/V) – Integrated feedback resistors – Adjustable PWM blanking scheme • Multiple interface options available – SPI: Detailed configuration and diagnostics – H/W: Simplified control and less MCU pins • Spread spectrum clocking for EMI reduction • Compact VQFN package with wettable flanks •综合保护功能 - 专用驱动器禁用引脚(DRVOFF) - 供应和调节器电压监视器 - MOSFET V DS过电流监视器 - MOSFET V GS GATE故障监视器 - 电荷泵逆极性MOSFET - 离线打开负载和短路负载和短路诊断 - 设备热警告和关闭警告和关闭状态 - 故障警告 - 故障销钉(nforts Intrump PIN)
• 符合 AEC-Q100 汽车应用标准 – 温度等级 1:–40°C 至 +125°C,TA • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 文档可帮助 ISO26262 系统设计达到 ASIL C • 高度集成的引爆管驱动器设计,针对汽车 EV 火药保险丝应用 – 电源、电流调节、诊断和安全功能的集成 – SPI 或基于硬件引脚的触发,提供灵活的接口选项和快速的触发反应 – 诊断功能,用于系统能量储存器电容器和引爆管健康监测 – 内置自检和诊断功能,用于电源、接口、驱动器和监视器 – 通过冗余电源、低侧和高侧驱动器以及二次监视逻辑实现可靠运行的架构 • 高达 28V(绝对最大值 40V)的工作电压 • 紧凑型 HVSSOP-28(DGQ)引线封装 • 两线负载接口,带有受保护的电流控制高端和受保护的二次低端开关 • 集成电荷泵,可将 MOSFET 压降降至最低• 4 线、可寻址、24 位 SPI,带 CRC 保护 – 允许多个设备在同一个 SPI 上运行 – 允许向多个设备广播命令。 • 可配置部署电流(1.2A,2ms;1.75A,0.5ms;最高 3.4A,0.5ms) • 可配置部署接口选项 – 带 PWM 或电平信号的 2 针 HW 触发器 – 带 CRC 的受保护 SPI 命令 • 全面的关断状态诊断 – 设备内置自检 – 驱动器输出和开关测试 – 接口测试 – 储能电容器测试 – 爆管电阻测试 • 可配置故障指示器 (nFAULT)
