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垂直通道全方位 igzo fet 可实现低延迟、高...
关键词：Vertica FET、全通道、IGZO、3D Dram。DRAM 设备是大多数数字设备的重要组成部分，在云计算、边缘计算、物联网和人工智能的发展中发挥着至关重要的作用。目前，DRAM 扩展面临的挑战主要是由于存储电容减小和关断电流增加的不匹配。基于 IGZO 的场效应晶体管 (IGZO FET) 以其极低的 I OFF (<10 -22 A/µm) 而闻名，代表了减少 DRAM 单元泄漏的解决方案。基于 IGZO-FET 的 BEOL 兼容长保留 2T0C DRAM 单元的演示展示了一种非常有前途的方法来克服传统 1T1C DRAM 单元的不匹配挑战。我们展示了用于超高密度 DRAM 的垂直全通道 IGZO FET，具有 4F 2 位单元面积和超过 300 秒的长保留时间。并对垂直 CAA IGZO FET 的微缩能力和可靠性进行了研究和评估，工艺关键尺寸 (CD) 低至 50nm。32.8 μA/μm 的高驱动电流、92 mV/decade 的小亚阈值摆幅、良好的热可靠性和稳定性表明垂直 IGZO FET 是未来超高密度 3D DRAM/SoC 应用的有希望的候选者。
镱离子阱 量子计算
经典计算机的历史是从使用真空管的初始概念验证，到最终完善的现代硅基架构而发展起来的。现在，量子计算机正从概念验证转向实用设计，并且正处于扩展到越来越多相干、连接良好的量子比特的阶段。自从 Cirac 和 Zoller 证明了一种将任意幺正运算应用于离子线性阵列的可行方法 [1] 以来，离子量子计算机一直是量子计算发展的有力竞争者。最近，霍尼韦尔 [2] 和 IonQ [3] 推出了两台使用镱的工业量子计算机。这些计算机采用镱同位素离子 171 Yb + 最外层 S 壳层的价电子来编码量子比特的状态。有两种相互竞争的架构：MUSIQC 和 QCCD [4,5]。为什么要使用稀土元素呢？ [Xe] 4f 14 6s 1 电子构型之所以具有吸引力，是因为它通过使用 P 轨道实现了超精细到光学的耦合。此外，它相当容易实现。有几种元素和同位素可能适合这种构型。为什么特别选择 171 Yb +？选择这种同位素的动机是需要核自旋 1/2、观测稳定性和一阶塞曼不敏感时钟状态。可以考虑放射性同位素，但同位素必须足够稳定和普遍，以便与典型的金属源隔离。此外，我们要求电离能合理，电离原子带正电。171 Yb + 是唯一满足这些限制的同位素。
密歇根州斯托克布里奇，1921 年 6 月 9 日，星期四。
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氢化物气相外延生长的 GaN 中铒的能级
掺铒GaN（Er：GaN）由于其优于合成石榴石（如Nd：YAG）的物理特性，是固态高能激光器（HEL）新型增益介质的有希望的候选材料。Er：GaN在1.5μm区域发射，该区域对视网膜是安全的并且在空气中具有高透射率。我们报告了对通过氢化物气相外延（HVPE）技术合成的Er：GaN外延层进行的光致发光（PL）研究。HVPE生长的Er：GaN外延层的室温PL光谱在1.5μm和1.0μm波长区域分别分辨出多达11条和7条发射线，这对应于GaN中Er3+从第一（4I13/2）和第二（4I11/2）激发态到基态（4I15/2）的斯塔克能级之间的4f壳层内跃迁。这些跃迁的观测峰值位置使得我们能够构建 Er:GaN 中的详细能级。结果与基于晶体场分析的计算结果非常吻合。精确确定 4 I 11/2、4 I 13/2 和 4 I 15/5 状态下斯塔克能级的详细能级对于实现基于 Er:GaN 的 HEL 至关重要。© 2020 作者。除非另有说明，否则所有文章内容均根据知识共享署名 (CC BY) 许可证获得许可（http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/）。https://doi.org/10.1063/5.0028470
化学粘合决定了两个看似相同的超导体的急剧临界温度差
尽管YB 6和实验室6具有相同的晶体结构，原子价电子的形象和声子模式，但它们表现出截然不同的声子介导的超导性。yb 6低于8.4 K的超导导，使其成为已知硼化物的第二个最高临界温度，仅次于MGB 2。实验室6直到接近 - 绝对零温度（低于0.45 K）才能超导。尽管以前的研究已经量化了Yb 6的更高费米 - 水平（E F）状态和较高的电子 - Phonon耦合（EPC）的规范超导性描述（EF），但尚未全面评估该差异的根源。通过化学键合，我们确定灯笼中的低谎言，未占用的4F原子轨道是这些超导体之间的关键区别。这些轨道在YB 6中无法访问，与πB– B键杂交，并使能量的能量低于σB-B键，否则在E f时。这种频段的反转至关重要：我们显示的光学声子模式负责超导性，导致Yb 6的σ-轨道在重叠中发生巨大变化，但彼此弱于实验室6的π轨道。yb 6中的这些声子甚至访问电子状态的交叉，表明EPC强。在实验室6中未观察到这种交叉。最后，显示了一个超级电池（m k-点）会发生PEIERL-喜欢YB 6中的效果，从柔软的声音子和相同的电子 - 耦合的光学模式中引入了其他EPC。总体而言，我们发现实验室6和YB 6具有从根本上不同的超导性机制，尽管它们差不多 - 身份差。
立式碳钢再结晶通道的研究...
近年来，逻辑器件的量产技术已经发展到 3nm 技术节点[1]。未来，英特尔、三星、台积电将继续利用 2nm 技术节点的新技术，如环栅场效应晶体管 (GAAFET) [2,3]、埋入式电源线 (BPR) [4–8]，来优化逻辑器件的功耗、性能、面积和成本 (PPAC)。然而，横向器件的微缩越来越困难，流片成本已令各大设计公司难以承受。同时，垂直器件将成为未来 DRAM 器件中 4F2 单元晶体管的有竞争力的候选者 [9–13]。关于垂直器件的研究报道很多，大致可分为两条路线。“自下而上”路线利用金属纳米粒子诱导催化，实现垂直纳米线沟道的生长 [14,15]。然而该路线存在金属元素问题，如金污染，与标准CMOS工艺不兼容。另外，通过光刻和刻蚀工艺“自上而下”制作垂直晶体管器件的方法已被三星和IBM报道[16，17]。然而该路线也存在一些问题，例如器件栅极长度和沟道厚度难以精确控制，并且该路线中栅极无法与垂直器件的源/漏对齐。为了解决上述问题，提出了基于SiGe沟道的垂直夹层环绕栅极(GAA)场效应晶体管(VSAFET)，其在栅极和源/漏之间具有自对准结构[18–21]。最近，垂直C形沟道纳米片
HEB：部署和管理混合能源缓冲器……
如今，越来越多的应用和服务由大型数据中心托管。大量不规则的负载激增对数据中心的电力基础设施提出了挑战。因此，电力供应与需求之间的不匹配已成为现代数据中心的一个关键问题，这些数据中心要么供应不足，要么由间歇性电源供电。最近的提案采用了储能设备，如不间断电源 (UPS) 系统来解决这一问题，然而，目前的方法缺乏有效处理不规则和不可预测的电力不匹配的能力。在本文中，我们提出了混合能量缓冲 (HEB)，这是第一个将超级电容器 (SC) 整合到现有数据中心以动态处理电力不匹配的异构自适应策略。我们的技术利用不同的能量吸收特性和智能负载分配策略来提供高效和场景感知的电力不匹配管理。更具吸引力的是，我们的管理方案使昂贵的储能设备更实惠、更经济，适合数据中心规模的使用。我们用一个真实的系统原型来评估 HEB 设计。与同质电池能量缓冲系统相比，HEB 可将能源效率提高 39.7%，将 UPS 使用寿命延长 4.7 倍，将系统停机时间减少 4f%，并将可再生能源利用率提高 8f.2%' 我们的 TCO 分析表明，HEB 具有较高的投资回报率，并且在 8 年内能够获得超过 J.9X 的峰值削减效益。它允许数据中心适应各种电源异常，从而提高运营效率、弹性和经济性。
双牛素增强微管以促进软环境中的生长锥
摘要。在半个多世纪的时间里，科学家开发了数学模型来了解人心的行为。今天，我们有数十种心脏组织模型可供选择，但是选择最佳模型仅限于专家专业人士，容易偏向用户偏见，并且容易受到人为错误的影响。在这里，我们将人类从循环中取出并自动化模型发现过程。朝向这个目标，我们建立了一种新型不可压缩的正性构型神经网络，以同时发现模型和参数，可以最好地解释人类心脏组织。值得注意的是，我们的网络具有32个内部术语，8个各向同性和24各向异性，并且完全自主选择了最佳模型，其中包括超过40亿可能的术语组合。我们证明我们可以通过三轴剪切和双轴扩展测试成功训练网络，并系统地将参数向量稀疏为L 1-正则化。引人注目的是，我们坚强地发现了一个四个期模型，该模型在第二个不变I 2中具有二次术语，而在第四和第八个不变的I 4F，I 4N和I 8F中，指数二次术语。重要的是，我们发现的模型是可以通过设计来解释的，并且具有具有良好固定的物理单位的参数。我们表明，它的表现优于流行的现有心肌模型，并且可以很好地概括，从均质实验室测试到异质的整个心脏模拟。这是通过直接将发现的网络权重作为输入的新的通用材料子例程来实现的。自动化模型发现的过程有可能使心脏建模，扩大科学发现的参与以及加速心血管疾病创新治疗的发展。
衰老中的血脑屏障功能障碍是由脑内皮衰老
fi g u r e 1在BEC中的衰老程序表征。（a）研究设计的示意图。（b – d）衰老标记物的代表性图像p21 +（b），p16 +（c）和hmgb1-（d）在BBB的Hippocampus在老年小鼠的海马中，有无治疗。。glut1（绿色）对染色BEC和HMGB1。比例尺：（ b，d）50和20μm（农作物），（c）50和25μm（农作物）。对年轻小鼠和老年小鼠的p21（b.1），p16（c.1）阳性的GLUT1 +细胞百分比和HMGB1（d.1）阳性的量化百分比。对P21（B.2），P16（C.2）阳性的GLUT1 +细胞百分比的定量和HMGB1（d.2）的阳性量化量，在有或没有鼻溶剂治疗的老年小鼠中。每个点代表了分析的所有动物分析的所有场（3，4）的平均值[：3 m =男性，3f =雌性，年龄未治疗（8 m，6f），AP（8 m，2f），DQ（7 m），dq（7 m），闭合符号，闭合符号=男性和开放式符号=女小鼠=女小鼠]。结果是平均值±SEM。（f）在老年墨水 - 塔克小鼠海马的白蛋白（绿色）和Glut1（红色）免疫染色的代表性图像（分别为AP处理和车辆）。比例尺：50μm。 （F.1，F.2）定量年轻人与车辆与AP处理的动物中白蛋白荧光强度的定量。每个点代表了分析的所有动物[Young（3 m，1f），未治疗（4 m，3f），AP（3 m，4f），闭合符号=男性和开放符号=雌性小鼠]的所有场（4-6）的平均值（4-6）。结果是平均值±SEM。使用未配对的学生的t检验进行统计分析（ * p <0.05， * p <0.05; ** p <0.01）。（e）P21 + ECS Young的TSNE图与来自三个数据集的Old：GSE129788，GSE146395和GSE14763。颜色梯度代码：灰色至红色表示低至高表达值。
在...
光刺激（来自数字微型摩尔设备的2-D灯罩用固态CW激光照明）和两个光子成像仅限于不同的光学Z-Planes，可以通过分别翻译扩散器和主要目标来灵活，独立地调整这些光学Z-plan。 （底部）在光刺激和成像期之间交替（滚动）。每个红色条代表一个多光子成像的单一框架。光刺激和成像期交错。（b）显微镜示意图。dm，二分色镜。dmd，数字微型摩尔设备。i，虹膜膜片。L1-L12，镜头。o，主要目标。PMT，光电倍增管。PS，潜望镜。s，快门。SM，扫描镜子。（c）（顶部）使用可移动扩散器将图案化的光刺激和多光子成像平面解）的例证。以4F镜头配置将扩散器成像成样品中；沿光路的扩散器转换会导致相应的投影平面轴向移动。OFP，客观焦平面。 PSP，光刺激平面。 （d）DMD芯片到CCD摄像头到2P显微镜注册。 我们注册了DMD刺激场（DMD像素尺寸= 2.4 µm，样品 1d）至148OFP，客观焦平面。PSP，光刺激平面。（d）DMD芯片到CCD摄像头到2P显微镜注册。我们注册了DMD刺激场（DMD像素尺寸= 2.4 µm，样品1d）至148（i）两个光子显微照片，分别为10 µm荧光微粒；箭头标记了两个微粒，这是较大的DMD调节投影靶模式（8 microbeads）的一部分，它们被视为受托点； （ii）更大的视野（包括目标微头）的广阔场荧光图像（全场照明）； （iii）从2p图像中选择的ROI用于生成DMD-Chip灯罩；这些进一步投影在主要的客观焦平面上，并使用主CCD摄像头（CCD 1）成像； （iv）DMD生成的照片刺激口罩和（II）中10 µm微粒的宽场荧光图像的覆盖层；请注意，荧光仅限于由DMD光刺激掩模靶向的微粒，并具有最小的溢出到相邻（靶）的微粒（请参阅信托标记）。