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加上制造的Ti – 6al ...
1工程，应用材料，宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州宾夕法尼亚州大学广场15801。2机械与核工程，宾夕法尼亚州立大学，宾夕法尼亚州大学公园，16802，美国3应用研究实验室，宾夕法尼亚州大学公园，宾夕法尼亚州16802美国摘要：结构性 - 托管加工关系已在添加性生产的TI-6AL-4V合金中进行了研究。使用原位电子显微镜（EM）以中等电流密度为5x10 5 A/cm 2进行5分钟进行处理，并通过抑制大量散热器的焦油加热，以使温度升高<180°C，并且机械性能不及时化。结果表明，虽然晶粒尺寸增加了约15％，但纳米性质增加了16％。这归因于明显的脱位产生，再生和聚类以及缺陷愈合。最终，残余应变降低，内在强度显着增加，这是由电流加工样品的高泰勒因子所证明的。这种新颖的加工技术代表了可能对高温处理或常规方法敏感的零件进行主动控制微观结构和内部缺陷的替代途径。关键字：电流处理；纳米纳斯；电子反向散射衍射（EBSD）；透射电子显微镜（TEM）; Schmid因子；泰勒因子。1。简介
差异化-IPSCS功能 - 互联 - 悬崖 - casser ...
stemscale TM PSC悬浮培养基，设计用于CGT制造，可实现PSC的大规模培养。天然杀伤（NK）细胞是先天的，细胞毒性的淋巴免疫细胞，可以杀死恶性细胞而无需HLA匹配，并且是同种异体治疗发展的主要重点。nk细胞疗法临床试验表明，有效治疗可能需要〜5x10 6-1x10 8 nk细胞。但诸如捐助者采购和成功扩展之类的要求妨碍了有效产生大量功能性NK细胞的能力。在这里，我们描述了一种产生PSC衍生的NK（墨水）细胞的方法，该方法从CTS-STAMScale悬浮培养物中，使能够以可扩展的培养格式产生高度富集的功能性油墨。PSC在悬浮液中生长，因为使用生长因子鸡尾酒诱导球体，以区分CD34+造血祖细胞，然后在不使用进料细胞的情况下转化为CD56+墨水细胞。CTS TM NK-Xpander TM中墨水细胞的进一步培养导致CD56+CD3-和CD56+CD16+表型的显着富集。这些墨水的细胞溶性通过它们杀死K562癌细胞以及患者来源的3D结肠肿瘤的能力进一步证明了这些墨水。总而言之，CTS茎扫描的使用突出了馈线 - 游离PSC悬浮培养物的潜力，以分为大规模的细胞溶解油墨。
AXV-101，一种新的密码子优化的BBS1 AAV9向量，停止...
Bardet-Biedl综合征（BBS）是一种与原发性纤毛功能障碍相关的常染色体隐性疾病，表现出视网膜营养不良和进行性视觉丧失，以及其他临床特征。bbs1是在BBS中发现的最常见的突变基因，而错义BBS1 M390R突变是最常见的等位基因。我们先前已经证明，在调节的Remodopsin激酶（AAV8-RK-BBS1）和巨细胞病毒（AAV8-CMV-BBS1）下表达野生型BBS1 cDNA的不同AAV8载体是安全且能够停止BBS1 Missense Youse BBBS Mode bbs1鼠标BBS1 MISSONSE BBS1 MORTENS MISSENSE MOLTENS MISTENS MORTANE DENINALION的促进剂（AAV8-CMV-BBS1）的启动子（M390R）（Freitas等人）。我们还介绍了BBS1的密码子优化版本的开发如何增加蛋白BBS1表达（De Castro等人）。在这项研究中，我们通过AXV-101（在CAG启动子（AAV9-CAG-HCOBB1）调节下表达人类密码子优化的BBS1 cDNA序列（HCOBBS1）（AAV9-CAGBB1），我们提高了AXV-101的视网膜下递送的功效和安全概况。在这里，我们单方面用单一的泡沫给了新生儿P7-9 M390R和野生型（WT）动物的5种不同的队列（n = 5-12）；用AXV-101配方缓冲液和磷酸盐缓冲盐水（PBS）和3个队列的两个对照组，以及增加剂量的AXV-101（1x10 9，5x10 9和1x10 10 10总病毒基因组（VG））。对侧眼被用作内部对照。我们使用光学相干断层扫描（OCT）和用电子图（ERG）的功能救援测量了6个月内的安全性和功效。
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。
带 CoSi2 栅极的 MOS 隧道发射极
带有 CoSi 2 栅极电极的高性能 MOS 隧道阴极 T. Sadoh、Y. Zhang、H. Yasunaga、A. Kenjo、T. Tsurushima 和 M. Miyao 九州大学电子系 6-10-1 Hakozaki，福冈 812-8581，日本 电话：+81-92-642-3952 传真：+81-92-642-3974 电子邮件：sadoh@ed.kyushu-u.ac.jp 1. 简介 高稳定性低电压工作的微阴极是真空微电子学和先进平板显示技术中不可或缺的一部分。到目前为止，已经对具有金属-绝缘体-金属 (MIM) 结构 [1] 和金属氧化物半导体 (MOS) 结构 [2-4] 的隧道阴极进行了研究。Yokoo 等人。报道了具有 Al 或 n + 非晶硅 (a-Si) 栅极的 MOS 隧道阴极的工作特性 [2, 3]。具有 Al 栅极的阴极的发射效率高，但 Al/SiO 2 界面不稳定。另一方面，具有 a-Si 栅极的阴极的 a-Si/SiO 2 界面稳定。然而，a-Si 栅极的电阻相对较高，发射效率较低。因此，迫切需要提高阴极的发射效率和寿命。为了提高它们，需要具有低电阻和稳定电极/氧化物界面的高质量薄栅极电极。CoSi 2 是电阻最低的硅化物之一，具有化学和热稳定性。因此，预计采用 CoSi 2 作为栅极材料将提高阴极的性能。在这项研究中，研究了具有 CoSi 2 栅极的隧道阴极的工作特性，并证明了薄 CoSi 2 膜可以提高发射效率和寿命。这是关于具有 CoSi 2 栅电极的 MOS 隧道阴极的首次报道。2. 实验步骤所用衬底是电阻率为 10 Ωcm 的 n 型 Si。通过湿法氧化生长 160nm 厚的场氧化物。去除具有 0.3mm 2 的圆形栅极图案的氧化物后，通过干氧化在 900 ℃持续 22 分钟生长 10nm 厚的栅极氧化物。为了改善栅极氧化物，将样品在 Ar 中以 1100℃退火 90 分钟。栅极氧化后，使用固体源 MBE 系统在基底温度为 400℃下通过共沉积 Co 和 Si 形成 5-10nm 的 CoSi 2 栅电极，基底压力为 5x10 -11 Torr。最后，通过沉积 Al 形成接触。样品的示意图和能带图分别如图 1 和图 2 所示。测量了二极管电流 Id 和发射电流 Ie 与栅极偏压的关系。3. 结果与讨论图 3 显示了二极管和发射电流密度与电场的典型依赖关系。在 7 MV cm -1 以上的电场下，可以观察到电子的发射。图 4 显示了图 3 中数据的 Fowler-Nordheim 图。发现二极管和发射