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A. 510(K) 摘要 - accessdata.fda.gov
CIDEX® OPA 浓缩液是一种高水平消毒剂 (HLD)，按照使用说明使用时，最低使用浓度为 0.055%，在 50 0 C 下接触时间为 5 分钟，可用于再处理热敏感 (<600C) 半临界内窥镜。
定制航空电子面板 - SkyShop 澳大利亚
GPS 型号卡 P/N 价目表 P/N 价格 GPSMAP 195 13-06355.13-06291.GPSMAP 196 13-06356.13-06292.GPSMAP 295 13-06357.13-06293.GPSMAP 296 13-06360.13-06294.GPSMAP 396 13-06362.13-06295.GPSMAP 495 13-06362.13-06313.GPSMAP 496 13-06362.13-06315.GPSMAP 696-695 13-06363.13-06316. GMX200 13-06353。--- --- GNS 430 --- --- 13-06288。GNS 480/CNX80 13-06418。13-06289。GNS 530/430 13-06354。13-06290。G1000 卡 13-06417。--- --- G1000 非 WAAS --- --- 13-06423。G1000 WAAS --- --- 13-06424。GARMIN Cirrus --- --- 13-06425。AIRMAP 2000C 13-06365。13-06317。AIRMAP 600C 13-06364。 13-06318. AV8OR 13-06348. 13-06287. GEOPILOT II 13-06347. 13-06286. EKP-II 13-06285. ETREX Advanced 13-06349. 13-06319. ETREX Basic 13-06350. 13-06320. ETREX Mapping 13-06352. 13-06321. EKP 13-06322. --- --- KLN 89B 13-06368. --- --- KLN 90B 13-06367. --- --- KLN 94 13-06366. 13-06422。 KLN GX 系列 13-06369。 --- --- Avidyne Entegra 3-5 --- --- 13-06358。阿维丁恩特格拉 6-7 --- --- 13-06359。
讨论 - ASTM 国际
位移速率为 ~2 x 10"^ dpa s"'，而 ANL 数据为 525 和 600 C (997 和 1112 F) 下 4-MeV 辐射，位移速率为 5 x 10"^ dpa/s^'。在近似值上，相应数据之间的 25 C (45 F) 温差由通量差补偿，因此我们得出结论，这两项研究的膨胀数据之间具有极好的一致性。结果表明，所用的离子模拟技术与离子能量无关。特别是，这两组数据都没有表现出饱和效应，如 Hudson 等人 [13] 先前报道的 316 型不锈钢在 525 C (997 F) 下用 22-MeV C** 离子辐照的饱和效应。他们的数据如图 1 中的实线所示。在 ~600C (1112F) 的结果中， GE 数据中膨胀的绝对量级大于 ANL 数据中的膨胀量级，但剂量依赖性相似。高温下膨胀的明显差异源于对箔体积的 AF 校正，即 = AF/(F-AI^，仅用于报告 GE 数据。
Cr2O3:Mg/β-Ga2O3 p–n 的可靠运行...
基于β-氧化镓（b-Ga2O3）的半导体异质结最近已展示出在高压和高温下的改进性能，因此有望应用于电力电子设备和恶劣环境传感器。然而，这些超宽带隙（UWBG）半导体器件的长期可靠性问题仍未得到解决，并且可能受到 p – n 异质结界面化学反应的强烈影响。在这里，我们通过实验演示了操作并评估了 Cr2O3:Mg/b-Ga2O3 p – n 异质结二极管在 600C 下长期运行期间以及在 25 至 550C 之间重复 30 次循环后的可靠性。计算出的 Ga-Cr-O 材料系统的 pO2 -温度相稳定性图预测 Ga2O3 和 Cr2O3 在很宽的氧气压力和工作温度范围内在相互接触时应该保持热力学稳定。制备的 Cr 2 O 3 :Mg/b-Ga 2 O 3 p-n 异质结二极管在 6 5 V 时显示室温开/关比 > 10 4 ，击穿电压 (V Br ) 为 390 V 。漏电流随温度升高而增大，直至 600 C，这归因于 Poole-Frenkel 发射，其陷阱势垒高度为 0.19 eV。在 600 C 下进行 140 小时的热浸泡后，器件的开启电压和导通电阻分别从 1.08 V 和 5.34 m X cm 2 增加到 1.59 V 和 7.1 m X cm 2 。从飞行时间二次离子质谱分析观察到，这种增加归因于 Mg 和 MgO 在 Cr 2 O 3 /Ga 2 O 3 界面处的积累。这些发现为未来适用于恶劣环境的 UWBG 半导体器件的设计策略提供了指导，并强调了对 b -Ga 2 O 3 基器件进行进一步可靠性评估的必要性。