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图 11 所示的电路描绘了三相逆变器的一条支路;图 12 和 13 显示了 Q1 和 D2 之间电流换向的简化图示。电源电路中从芯片粘合到 PCB 轨道的寄生电感被集中到每个 IGBT 的 LC 和 LE 中。当高端开关打开时,V S1 低于 DC+ 电压,其电压降与电源开关和电路的寄生元件有关。当高端电源开关关闭时,由于连接到 V S1 的电感负载(这些图中未显示负载),负载电流会瞬间流入低端续流二极管。该电流从 DC 总线(连接到 HVIC 的 COM 引脚)流向负载,并在 V S1 和 DC 总线之间产生负电压(即,HVIC 的 COM 引脚的电位高于 VS 引脚)。
•贸易研究集中在主要配电系统(传输) - 建筑(径向,环,网状) - 功率类型(AC VS vs vs dc) - 电压:(600V - 6 kV) - 数据包含估计的质量转换器的质量转换器 +电缆•结果•结果 - 压望下降质量降低质量 - 较高的质量 - 尤其是在单个电压上•技术限制•技术•1。•技术•技术范围•技术••技术范围:5•技术 - •技术•1.限制•最大AC:无知
描述 IRS21867 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器,具有独立的高侧和低侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术可实现坚固的单片结构。低 VCC 操作允许在电池供电应用中使用。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容,低至 3.3 V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在最大限度地减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高侧配置中的 N 通道功率 MOSFET 或 IGBT,工作电压高达 600V。
摘要 - IGBT在各种电力电子应用中扮演至关重要的角色,要求长时间的可靠性。了解其故障机制对于制造商和工程师至关重要。这项研究通过将IGBT降解(尤其是死亡氧化物污染和栅极氧化物污染)与进行的电磁(EM)扰动相关联,以解决差距。使用功率循环系统在600V,16A IGBT上进行加速衰老,揭示了静态和动态参数的显着变化。切换瞬变显示出归因于经验丰富的降解的转弯速度放缓。实验设置证明了降解,切换瞬变(尤其是收集器电流(I C)关闭)之间的直接联系,并减少了执行的EM扰动。关键字 - IGBT,模具降解,闸门氧化降解,加速衰老,IGBTS的信号光谱分析,进行了EM发射。
•带有条形图和双重阅读显示显示•自动背光(可以禁用)•50V,100V,100V,250V,500V,1000V,1000V-最高200G-极化指数(PL) - 介电吸收比(DAR) - 定时测试(IJP至40分钟)•连续bondusigrandmame(连续)(连续)(连续)(0.0), - Automatic bi-directional test (show the higher one) • 600V DC & AC (TRMS) measurement - Low-pass Filter (LPF) • 0.1nF to 10gF Capacitance measurement • COMPARE (Pass/Fail) Function - Available for Insulation Test and Earthbond Resistance - 2 color LED Indicator (Green / Red) & Sounds (Continuous Beep / Beep twice) • Store / Recall Function - 1500 records for each function • Bluetooth与Powerprope®链接应用程序的连接
进行仿真以验证比较分析。当使用PSIM的热模块将织物的输入电子圆应用于每个电路结构时,计算了功率半导体状态的功率半导体状态。仿真制定的系统参数就像表1。模拟之前,有一些事情要假设。首先,所有电路基本上都是凸起的桥转换器。第二,所有电路都是输入电压移动设备,输出与1.3kW系统相同。系统的输入电压为380V。因此,电压380V应用于初级侧的一个MOSFET,整个类别为3A。确定了dotranspoer的第二侧的转弯,将电压和流动电流施加到dio de上。IXKH70N60C5(600V,70A)MOSFET,FAIRCHILD ISL9R3060G2(600V,30A)二极管被选为。 图2显示了电路结构的输出调节电压。 在四个电路结构中,解码后(b)是由繁殖组成的独立组成的,因此它可以根据L和C的值比(a),(c),(c),(c),(c),(d)降低电压纹波。 (d)容易受到不同电路救援光束的影响,因为它是一个核心选项卡。 的电压输出也证实了它是波纹异常。 图3银色功率半导体提起诉讼和传福音的丧失。 如果连接了第二侧的主要阶段和地面,则色板电流应力增加和损失。 另一方面,共享输入电源的电路结构和共享输入功率的电路结构的中期电路结构具有很小的阶段,并且输入电流价格在流动,因此救援较少降低。。图2显示了电路结构的输出调节电压。在四个电路结构中,解码后(b)是由繁殖组成的独立组成的,因此它可以根据L和C的值比(a),(c),(c),(c),(c),(d)降低电压纹波。(d)容易受到不同电路救援光束的影响,因为它是一个核心选项卡。的电压输出也证实了它是波纹异常。图3银色功率半导体提起诉讼和传福音的丧失。如果连接了第二侧的主要阶段和地面,则色板电流应力增加和损失。另一方面,共享输入电源的电路结构和共享输入功率的电路结构的中期电路结构具有很小的阶段,并且输入电流价格在流动,因此救援较少降低。
Topic Page Summary of Changes 2 Introduction 2 Catalog Number Explanation 3 Product Selection—200…240V PowerFlex 750TS-Series Drives 8 Product Selection—380…400V PowerFlex 755TS-Series Drives 11 Product Selection—480V PowerFlex 755TS-Series Drives 14 Product Selection—575…600V PowerFlex 750TS-Series Drives 17 Product Selection—660…690V PowerFlex 750TS-Series Drives 20 Certifications and Specifications 22 RF Emission Compliance and Installation Requirements 27 Single-Phase Drive Ratings 28 Design Considerations 32 Approximate Watts Loss 33 Cable Considerations 36 Motor Considerations 37 Minimum Mounting Clearances 37 Enclosure Options 37 Pollution Degree Ratings According to EN 61800-5-1 37 Product Enclosure Ratings 38 Approximate Weights 38评分/框架交叉引用39驱动选项42保险丝和断路器等级61最小动态制动阻力73 PowerFlex 750TS系列驱动器驱动器近似尺寸76 derating GuideNing 96附加资源277
近几十年来,对能源的强烈需求增加了光伏 (PV) 能源作为化石燃料替代品的使用。随着电力电子技术的进步,当今的光伏能源对电力的需求巨大。然而,光伏系统的可靠性性能是一个主要问题。任务概况 (太阳辐照度、环境温度)、安装位置等环境条件影响光伏系统的性能。研究人员报告称,光伏逆变器是光伏系统的关键组件。此外,为了可靠运行,需要考虑环境条件对光伏逆变器进行可靠性评估。因此,本文的目的是评估任务概况对光伏可靠性 (寿命) 的影响。为此,将一个带有全桥光伏逆变器的 3 千瓦单相并网光伏系统视为测试用例,并在 PLECS 中建模。领先制造商的 600V/30A IGBT 被视为光伏逆变器中的电力电子开关。确定光伏市场的前十大国家并将其选为安装地点,考虑每个安装地点一年的实时任务概况。利用该任务概况对光伏逆变器的可靠性性能进行了测试用例评估,结果表明,任务概况对光伏逆变器的可靠性性能有相当大的影响。
