¡低电池警告:“”显示屏上显示了:“ OL”“显示在显示时间:响应时间:2秒€样本率:大约2.5次每秒的2•温度和湿度的guranteed准确性:23±5°,相对湿度高达85%,无凝结。工作温度和湿度:0 ~40℃,相对湿度高达85%,高达85%,无凝结温度和湿度€60¡,相对湿度:-20°i sofity:-20 r usistion:-20°sofity:-20 r usistion:85%℃iver hum humitive:85%℃降低85%,即85%,即85%,即85%,即85%,即85%,降低了85%。 ((DC1.5V)电池â当前消耗:大约。最大2.5mA。¡睡眠功能:在上次开关操作后约10分钟内自动关闭电源(在睡眠模式下的功耗约为20μ。)。标准:IEC61010-1 CAT.III 300V,污染学位2 Cat.II 600V,2 IEC6101010-2-031 IEC610101010-2-032至10秒即可承受电压:3700VAC rms,50/60Hz(50/60Hz)在电路和外壳案例之间持续1分钟。绝缘电阻在选举电路和外壳案例之间的1000V时,绝缘电阻为10m或更高,导体大小:大约。直径30毫米最大的尺寸:184 l)x 44 w)x 27 d)毫米重量:重量:大约。190g((包括电池)〜配件:测试导线两次R03电池指令手册
市场研究公司 Omdia 在其《SiC 和 GaN 功率半导体报告——2020 年》(见第 74-75 页)中指出,受混合动力和电动汽车 (HEVs/EVs)、电源和光伏 (PV) 逆变器需求的推动,碳化硅 (SiC) 和氮化镓 (GaN) 功率半导体市场预计将在 2021 年超过 10 亿美元,因为它正迅速从初创公司主导的行业发展为由大型知名功率半导体制造商主导的行业。例如,三菱电机现已推出其第二代全 SiC 功率模块,采用新开发的低功耗工业用 SiC 芯片(第 15 页)。此外,在美国空军研究实验室 (AFRL) 的一项第一阶段小型企业技术转移研究 (STTR) 项目的资助下,结构材料工业公司 (SMI) 开发了一种用于 4H-SiC 的低温化学气相沉积 (CVD) 工艺,可实现用于高压功率器件的厚外延层的更高速率生长(同时缩短工艺周期和设备磨损)(第 14 页)。与此同时,SMI 还与纽约州立大学 (SUNY) 奥尔巴尼理工学院合作,获得了美国能源部授予的第一阶段 STTR 合同,以开发普遍的制造基础设施 - 包括改善大晶圆金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 均匀性 - 用于在高电流和高电压 (>20A/>600V) 下运行的 GaN,用于电动汽车电力电子设备(第 16 页)。正在推进 GaN 器件功能的制造商包括 EPC,该公司已推出其最新的 100V eGaN FET 系列,面向自动驾驶汽车的 LiDAR 等应用(第 18 页)。GaN 器件在电源应用(例如消费电子产品的快速充电器)中的应用持续激增(尤其是随着性能的提高)。例如,在 Apple iPhone 12 预计于今年晚些时候发布之前,移动配件品牌 Spigen PowerArc 已在新款 20W ArcStation Pro 中使用了 Navitas 的 GaNFast 电源 IC。与此同时,中国的 OPPO 已采用 GaNFast 电源 IC,用于据称是最小、最薄、最轻的 110W 智能手机、平板电脑和笔记本电脑快速充电器(第 19 页)。除了通过向制造合作伙伴 Nexperia 授予许可来增加收入外,Transphorm 还扩展了其高压 GaN 电源转换设备产品组合,旨在推动快速充电电源适配器的普及(第 20 页)。GaN Systems 宣布推出一款新的参考设计,用于包括手机和笔记本电脑在内的消费电子产品中的高功率密度 65W 充电器(第 21 页)。Mark Telford,编辑 mark@semiconductor-today.com该公司还发布了一份白皮书,展示了其 GaN 器件的可靠性,超过了 JEDEC 和 AEC-Q101 测试规范的标准。在新加坡,IGSS GaN (IGaN) 正在建立一个 Epi 中心,作为 4-8 英寸晶圆 GaN MOCVD 的商业和全球联合实验室,将于 2021 年中期投入运营(第 22 页)。最近,就在 9 月 29 日,总部位于荷兰的 NXP Semiconductors 在其位于亚利桑那州钱德勒的工厂开设了新的 8 英寸晶圆 GaN 晶圆厂,专门用于蜂窝基础设施的 5G RF 功率放大器。新晶圆厂已经通过认证,初始产品正在市场上迅速推广,预计将在 2020 年底达到满负荷生产(下一期新闻页面将全面报道)。
