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60V 0.90mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E2 5.5 5.5 E .60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 K 1.23 REF
TMUX582F-SEP 耐辐射 +60V 保护，闩锁...
• VID V62/23607-01XE • 抗辐射 – 单粒子闩锁 (SEL) 在 125°C 时可抵抗 43 MeV- cm2/mg – ELDRS 无影响至 30krad(Si) – 每晶圆批次的总电离剂量 (TID) RLAT 高达 30krad(Si) – TID 特征值高达 30krad(Si) – 单粒子瞬变 (SET) 特征值高达 43 MeV-cm2 /mg • 电源范围：+8V 至 +22V • 集成断电和过压保护 – 过压和断电保护高达 +60V – 冷备用能力高达 +60V – 可调节故障阈值 (V FP ) 从 3V 到电源 – 中断标志反馈指示故障通道 – 非故障通道继续以低漏电流运行 • 闩锁免疫结构 • 精密性能，源极关断漏电流（最大值）为 ±4.5nA，关断电容为 4pF • 航天增强型塑料 – 工作温度范围为 –55°C 至 +125°C – 受控基线 – 金线和 NiPdAu 引线涂层 – 一个装配和测试站点 – 一个制造站点 – 延长产品生命周期 – 产品可追溯性 – 增强型模塑料，具有低释气性 • 小型、行业标准 TSSOP-20 封装
60V 10.0mΩ N 沟道功率 MOSFET
暗淡。毫米 M IN.姓名 。最大限度。 A 0.70 0.75 0.80 b 0.25 0.30 0.35 c 0.10 0.20 0.25 D 3.00 3.15 3.25 D1 2.95 3.05 3.15 D2 2.39 2.49 2.59 E2 2.3 3.3. .05 3.15 E2 1.70 1.80 1.90 e 0.65 BSC H 0.30 0.40 0.50 L 0.25 0.40 0.50 a --- --- 15°
60V 7.2mΩ N 通道功率 MOSFET
尺寸 毫米 最小 标称 最大 A 0.90 1.00 1.10 b 0.31 0.41 0.51 c 0.20 0.25 0.30 D 5.00 5.20 5.40 D1 4.95 5.05 5.15 D2 4.00 4.10 4.20 E 6.05 6.15 6.25 E1 5.50 5.60 5.70 E2 3.42 3.53 3.63 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 K 1.23 REF
60V、294A、1.1mΩ N 沟道功率 SGT MOSFET
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60V、47A、8.2mΩ N 沟道功率沟槽 MOSFET
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60V 10.5mΩ 双 N 通道功率 MOSFET
暗淡。毫米最小值姓名。最大限度。 A 0.90 1.00 1.10 A1 0.00 - 0.10 b 0.31 0.41 0.51 b1 0.15 0.25 0.35 c 0.23 - 0.33 D 4.95 5.05 5.15 D1 4.00 4.00 D4.00 6.0 0 E 6.05 6.15 6.25 E1 5.50 5.60 5.70 E2 3.31 3.41 3.51 e 1.27BSC H 0.60 0.70 0.80 L 0.50 0.70 0.80 L1 - - 0.15 -12° a -12°
