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65nm CMOS技术，CS200 / CS200A < / div>
CS200A技术，尤其是从低裂变（LL）的蜂窝电话到服务器或网络设备的超高速度（UHS）的各种晶体管。客户可以将晶体管混合在芯片中以满足他们的需求。65NM家庭由低功率CS200A和高性能CS200组成，使客户具有选择适当的技术以区分产品的功能。CS200的HVT（高VTH晶体管）可实现更高的性能。
65nm ASIC 中 SABER 的设计空间探索
本文介绍了 SABER 的设计空间探索，SABER 是 NIST 量子抗性公钥加密标准化工作中的最终入围者之一。我们的设计空间探索针对 65nm ASIC 平台，并已对 6 种不同的架构进行了评估。我们的探索从设置从 FPGA 移植的基线架构开始。为了提高时钟频率（我们探索的主要目标），我们采用了几种优化：（i）以“智能合成”方式使用编译内存，（ii）流水线，以及（iii）SABER 构建块之间的逻辑共享。最优化的架构利用了四个寄存器文件，实现了 1 的惊人时钟频率，而仅需要 0.314 平方英寸的面积。此外，还对该架构进行了物理综合，并提出了可用于流片的布局。高频架构的估计动态功耗约为 184mW（密钥生成）和 187mW（封装或解封装操作）。这些结果有力地表明，我们优化的加速器架构非常适合高速加密应用。
在65nm ASIC
本文提出了Saber的设计空间探索，这是NIST抗量子的公钥加密标准化工作中的决赛入围者之一。我们的设计空间探索目标是一个65nm的ASIC平台，并评估了6种不同的体系结构。我们的探索是通过设置从FPGA移植的基线雅的启动的。为了提高时钟频率（我们探索的主要目标），我们采用了几种优化：（i）以“智能合成”方式使用编译的记忆，（ii）管道上的和（iii）在Saber构建块之间共享逻辑。最优化的体系结构利用四个寄存器文件，达到了1次的显着时钟频率，而仅需要0.314𝑚𝑚2的面积。此外，为此体系结构进行了物理综合，并提出了磁带的布局。高频体系结构的估计动态功率消耗约为184MW，对于封装或拆卸操作而言，高频架构的估计动力消耗约为184MW。这些结果强烈表明我们优化的Acererator架构非常适合高速加密应用。
塔半导体释放300mm 65nm 3.3V基于BCD电源管理平台
塔半导体有限公司（NASDAQ/TASE：TSEM）是高价值模拟半导体解决方案的领先铸造厂，为消费者，工业，自动化，移动，移动，基础架构，医疗，医疗和空间和诸如消费者，工业，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，自动化，开发和Proce SS平台。Tower Semiconductor focuses on creating a positive and sustainable impact on the world through long-term partnerships and its advanced and innovative analog technology offering, comprised of a broad range of customizable process platforms such as SiGe, BiCMOS, mixed- signal/CMOS, RF CMOS, CMOS image sensor, non-imaging sensors, displays, integrated power management (BCD and 700V), photonics, and mems。Tower半导体还为IDM和Fabless公司提供了快速准确的设计周期以及包括开发，转移和优化在内的流程转移服务，包括开发，转移和优化，以提供世界一流的设计支持。为了为客户提供多枪的采购和延长的容量，塔半导体在以色列拥有两家设施（150mm和200mm），两家在美国（200mm），在日本（200mm）（200mm和300mm）拥有，它通过其在TPSCO中的51％持有量拥有51％的股份，可及时与Agrate一起使用，以及一定型号，以及一定的ITMM，以及一家人，以及一家300毫米，以及一家300毫米，以及一家300毫米，以及一家人，以及一家人，以及一家300毫米的股票墨西哥工厂。有关更多信息，请访问：www.towersemi.com。
65nm CMOS时序逻辑电路单粒子翻转灵敏度研究
摘要 本研究利用脉冲激光研究了不同电源电压、时钟频率和电路结构下时序逻辑电路对单粒子翻转 (SEU) 的灵敏度。实验的时序逻辑电路是采用 65 nm 体 CMOS 工艺制作的 D 触发器链。结果表明，随着电压的降低，电路的 SEU 灵敏度增加，尤其在低电压范围内，灵敏度增加显著。此外，时钟频率对时序逻辑电路灵敏度的影响主要与组合逻辑电路中产生的单粒子瞬变 (SET) 的传播有关。研究还发现，Set 架构电路在数据“0”测试期间对 SEU 更敏感，而 Reset 架构电路在数据“1”测试期间对 SEU 更敏感。此外，还利用 SPICE 模拟揭示了由 Set 结构和 Reset 结构引起的 SEU 故障机制。关键词：脉冲激光、单粒子翻转 (SEU)、电压、频率、电路结构分类：电子器件、电路和模块（硅、复合半导体、有机和新型材料）
字母A 25GB/S RX前端具有多阶段线性均衡器和65nm CMOS技术的3-TAP投机DFE
摘要这项工作提出了RX前端结构，该结构用于25 GB/S高速链路的通道均衡。此设计包括两个部分，即线性均衡器和决策反馈均衡器。线性均衡器由可变增益放大器，连续时间线性均衡器和输出缓冲液组成，后者在Nyquist频率周围提供19 dB峰值增益。在缓冲区后将带有投机性水龙头的半率决策反馈均衡器被级联，以消除残留的符号间干扰。电路布局在65 nm CMOS中设计的0.005 mm 2面积，其功率消耗为96 MW，低于1.2 V电源。设计用于均衡FR-4背板通道，其中插入损失在12.5 GHz时达到35 dB。结果表明，接收器信号的电压率和时间边距分别达到10 -12的BER。关键词：RX前端，线性均衡器，决策反馈均衡器，背板渠道，插入损失，BER分类：集成电路
描述由组合标准单元和处理器逻辑路径制成的 1.2V 65nm CMOS 振荡器中的 BTI 和 HCD
摘要 — 偏置温度不稳定性 (BTI) 和热载流子退化 (HCD) 是主要的老化机制，经常通过晶体管测量或基于反相器 (INV) 的环形振荡器 (RO) 测量进行研究。然而，大规模数字电路通常用标准单元（如逻辑门）制造。在可靠性模拟流程中（例如，基于 SPICE 的标准单元特性与退化晶体管）必须对标准单元做出许多假设（例如负载电容、信号斜率、老化模型的不确定性等），并且可能导致较高的模拟不确定性。在这项工作中，我们建议用硅中的标准单元振荡器测量来验证这种标准单元特性。为此，我们提出以下新颖的贡献：1）首次基于从处理器中提取的逻辑路径对异构振荡器（一个 RO 中的多种不同单元类型）进行 BTI 和 HCD 测量。 2） 第一项工作探索了 BTI 和 HCD 对包含组合标准单元的振荡器的影响，即包含多个逻辑门的单个单元（例如与-或-反相器 (AOI) 单元和或-与-反相器 (OAI)）和执行复杂操作（例如全加器）的单元。
使用储层计算 CMOS IC 实现实时居家患者健康监测
摘要 — 本研究提出了一种混合信号、储层计算神经网络 (RC-NN)，用于使用智能可穿戴设备进行家庭实时健康监测。所提出的技术在心电图 (ECG) 信号的压力检测和使用融合人口统计和生理信息的融合人工智能 (AI) 模型的心脏病检测中得到了证明。RC-NN 使用具有短期记忆的静态随机储层层将输入数据非线性投影到高维平面，并在输出层使用线性 AI 模型轻松分离。RC-NN 采用 65nm CMOS 工艺设计，检测压力和心脏病的平均准确率分别为 92.8% 和 86.8%，同时分别消耗 10.97nJ/推理和 2.57nJ/推理。
QIAD：二次插值近似分数
摘要计算性能与功耗之间的平衡是计算系统中的关键限制，集成电路技术带有瓶颈。近似计算可以将准确性或误差方案的功率改善进行权衡。分裂具有很高的计算需求和延迟，是计算效率的瓶颈。我们提出了一个基于乘法性能的二次插值近似分隔线（QIAD），该分裂具有较高的统计性能。在TSMC 65NM过程中模拟和合成该设计，并根据图像颜色量化进行了测试，显示了使用诸如PSNR，MSE和SSIM等评估指标的最佳量化效果。关键词：近似计算，分隔线，硬件设计。分类：集成电路（逻辑）
全面深入研究基于三态反相器的DCO
本文对基于三态反相器的数字控制振荡器进行了深入分析。这种振荡器拓扑结构已在众多出版物中报道过，但其特性仍不太为人所知。在本研究中，我们打算重点解决这些不足之处。我们特别讨论了振荡周期和相关的抖动，因为这些量是设计的关键参数。在本文中，我们提出了考虑到设计、技术以及输入代码的解析表达式。这些方程式适合手工计算，并有助于建立快速实施的设计方法。在意法半导体 CMOS 65nm 工艺中设计了两个电路。第一个通过模拟进行了评估。然后，给出了在同一技术节点内制造的第二个电路的测量结果。最后，实验数据支持了所提出的理论。