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6T 1位全加器的实现与分析
VI. 参考文献 [1] DanWang, Maofeng & Wucheng，“180nm CMOS 技术中的新型低功耗全加器单元”，DOI:10.1109/ICIEA.2009.5138242，工业电子与应用，2009 年。ICIEA 2000。第四届 IEEE 会议，2009 年 6 月。 [2] Kamlesh Kukreti、Prashant Kumar 等人，“基于多米诺逻辑技术的全加器性能分析”，DOI:10.1109/ICICT50816.2021.9358544，印度哥印拜陀，2021 年。 [3] Umapathi.N、Murali Krishna、G. Lingala Srinivas。 (2021)“对进位选择加法器独特实现的综合调查”，IEEE 和 IAS 第四届两年一度的新兴工程技术国际会议，于 1 月 15 日至 16 日在印度新孟买举行。[4] Subodh Wairya、Rajendra Kumar 等人，“用于低压 VLSI 设计的高速混合 CMOS 全加器电路性能分析”，DOI：10.1155/2012/173079，2012 年 4 月。[5] N. Umapathi、G.Lavanya (2020)。使用 Dadda 算法和优化全加器设计和实现低功耗 16X16 乘法器。国际先进科学技术杂志，29(3)，918-926。[6] Pankaj Kumar、Poonam Yadav 等人，“基于 GDI 的低功耗应用全加器电路设计和分析”，国际工程研究与应用杂志，ISSN：2248-9622，第 4 卷，第 3 期（第 1 版），2014 年 3 月。[7] NM Chore 和 RNMandavgane，“低功耗高速一位全加器调查”，2010 年 1 月。[8] Gangadhar Reddy Ramireddy 和 Yashpal Singh，“亚微米技术下拟议的全加器性能分析”，国际现代科学技术趋势杂志第 03 卷，第 03 期，2017 年 3 月 ISSN：2455-3778。 [9] Chandran Venkatesan、Sulthana M.Thabsera 等人，“使用 Cadence 45nm 技术的不同技术分析 1 位全加器”，DOI：10.1109/ICACCS.2019.8728449，2019 年 3 月，印度哥印拜陀。[10] K.Dhanunjaya、Dr.MN.Giri Prasad 和 Dr.K.Padmaraju，“使用 45nm Cmos 技术的低功耗全加器单元性能分析”，国际微电子工程杂志（IJME），第 3 卷。 1，No.1，2015 年。[11] Karthik Reddy.G，“Cadence Virtuoso 平台中 1 位全加器的低功耗面积设计”，国际 VLSI 设计与通信系统杂志 (VLSICS) 第 4 卷，第 4 期，2013 年 8 月，DOI：10.5121/vlsic.2013.4406 55。[12] Kavita Khare 和 Krishna Dayal Shukla，“使用 Cadence 工具设计 1 位低功耗全加器”，引用为：AIP 会议论文集 1324，373 (2010)，2010 年 12 月 3 日。[13] Murali Krishna G. Karthick、Umapathi N.（2021）“低功耗高速应用的动态比较器设计”。引自：Kumar A.、Mozar S. (eds) ICCCE 2020。电气工程讲义，第 698 卷。Springer，新加坡。[14] Murali Anumothu、BRChaitanya Raju 等人“使用基于多路复用器的 GDI 逻辑设计和分析 45nm 技术中的 1 位全加器的性能”，第 3 卷(2016)，第 3 期，2016 年 3 月。[15] Partha Bhattacharyya、Bijoy Kundu 等人。al“低功耗高速混合 1 位全加器电路的性能分析”，第 23 卷，第 10 期，DOI：10.1109/TVLSI.2014.2357057，2015 年 10 月。
NBTI 对 6T 读写操作影响的分析...
负偏压温度不稳定性 (NBTI) 是 CMOS 器件中的一个重要可靠性问题，它会影响基于 CMOS 的电路的性能。因此，了解不同缺陷机制和关于应力和恢复时间的广泛操作条件对电路性能的影响对于产生可靠且可接受的设计裕度至关重要。在这项工作中，分析了使用 16 nm FinFET 技术设计的 6T SRAM 单元电路上的 NBTI 效应。研究了 NBTI 可靠性问题对传输延迟和功耗在读写操作中的影响。研究了基于不同缺陷机制、应力时间和工作温度条件的 6T SRAM 性能。使用由 N it 和 N it 与 N ot 结合引起的缺陷计算出的阈值电压偏移之间约有 74 mV 的差异。发现读取延迟不受应力时间的影响，而写入延迟在 10 年的应力时间内略有改善。使用 N it 模拟的 6T SRAM 单元的写入延迟在运行 10 年后比使用 N it 与 N ot 组合进行模拟时提高了 0.4%。在 125°C 下，运行 10 年后读取操作的功耗高于写入操作，分别为 4.09 µW 和 0.443 µW`。观察到 6T SRAM 单元的性能取决于缺陷机制的类别、静态和动态模拟条件以及工作温度。
根据辐射效应表征各种基于 FinFET 的 6T SRAM 单元配置
摘要：航空航天应用中使用的微电子电路在辐射极其强烈的环境中工作，极有可能发生单粒子翻转 (SEU)。静态随机存取存储器 (SRAM) 是这些电路中最容易受到影响的，因为它占据了最近的片上系统 (SoC) 的很大一部分区域，并且还经常存储重要数据。因此，保持与 SEU 相关的数据完整性已成为 SRAM 位单元设计的主要要求。与 CMOS 器件相比，在 SRAM 单元中使用 FinFET 器件可以提供更高的抗辐射能力。在这项工作中，我们使用 TCAD 模拟分析了 SEU 对三种不同的基于 FinFET 的 6T 位单元配置的影响，其中访问和下拉晶体管中的鳍片数量不同。我们分析了 90 度和 60 度角下 SEU 的影响。
低功耗、高稳定性的单端 6T SRAM 单元
摘要：本文提出了一种具有单端特性的 6T 单元，以提高稳定性、降低能耗、降低漏电功率。该单元与规格优良的 10 和 12 晶体管结构进行了比较。然而，上述结构设计为具有最佳参数，尺寸小，晶体管数量最少，从而减小了单元尺寸。在某些参数方面，例如写入噪声容限，该结构与其他结构相比具有最佳优点，甚至高于 12 和 10 晶体管的结构。通过切断要写入为“1”的存储节点的下拉路径来增强写入操作；读取操作无需切断下拉路径即可执行。在 VDD=0.4V 时，与传统的 6T 相比，所提出的结构的静态功率、读取容限、写入容限、读取能量和写入能量分别优越 33%、50%、215%、9% 和 5%。与标准 6T 结构相比，电气质量指标 (EQM) 参数提高了约十倍，表明新结构的价值已经得到体现。对 32nm 技术中 5,000 次读写产量的蒙特卡洛模拟表明，我们的单元产量比典型的 6T 单元高出 2 倍和 3.4 倍。因此，对于需要低能耗和高稳健性的应用，建议的 6T 单元是一个合适的选择。
美国陆军战斗车辆储能
•li-ion 6t电池演示在阿拉斯加堡韦恩特堡，2020年2月2日至14日。- 在严重的寒冷环境中评估了锂离子6T电池：进行发动机冷启动，发动机冷启动，没有PECCH（滥用，10次尝试）和移动性（〜5英里）。在评估期间报告的-35至-2度F的环境温度。- 能够在没有安全问题的情况下启动发动机的电池。- 演示了能够在寒冷的环境中安全地为Li-ion 6T电池充电的新型智能交流发电机电压调节器和算法。- 观察并收集有关在单位级别遇到的寒冷天气性能和维护挑战的信息，并使用6T AGM和6T无维护的铅酸电池遇到。
重要的研究生研究
在过去十年中，在全球范围内，许多杀菌剂耐药性的实例导致了几种重要的杀菌剂的丧失。因此，新型化合物的合成在解决植物疾病方面具有至关重要的意义。在追求新的有效杀菌剂时，我们合成了一系列的二十二唑-1-基因 - 基因 - 4-衍生物（6A-6T），收益率范围为76.35-93.86％。使用包括IR，1 H NMR和13 C NMR在内的各种光谱技术来表征合成的化合物。在文献中首次报道了20种合成化合物中的19种（6b-6t）。所有合成的吲哚基氯酮（6a-6t）均对抗真菌活性良好，抗真菌活性，对Rolfsii和F. oxysporum。在测试化合物中，6T和6F分别在10.10 ppm和16.18 ppm的ED中表现出非常好的抗真菌活性。在F. oxysporum Compound 6F的情况下显示出良好的活性，ED 50值为27.82 ppm。基于体外结果，对番茄中的Rolfsii进行了两种最有效的化合物，6F和6T进行了实验。POT研究表明，化合物6t（PDI = 26.66％）以己酮5％SC（PDI = 25％）进行。在F. oxysporum的情况下，与Carbendazim 50％WP（PDI为24.00％）相比，测试化合物6F（PDI = 35％）的活性较低。因此，可以开发出合适的化合物6T配方，以有效地管理RolfSII菌群。
混合动力能源路由器（Hyper）-DENIX
项目概述此项目将开发一个基于逆变器的系统，以从任何现场的6T锂离子或AGM电池，车辆电源或发电机集为AC和DC负载提供直接，清洁和不间断的功率。该系统是轻巧的单人携带解决方案，该解决方案可以从战场上发现的各种电源中收获动力。Hyper将是一种单人随身携带的设备，可以从任何AC或DC来源收集能量，并从6T锂离子电池，车辆的24VDC总线以及任何交流电源从10kW中提供清洁的AC＆DC电源。主要配置是锁定在6T格式的锂离子电池的顶部，以成为一个单元，并使用将电池能量存储的AC和DC功率使用。该系统是双向的，并且可以收获能量以为负载提供动力，或者可以用来用船上的战术系统为车辆提供底盘电源。
10T SRAM 存储器单元的设计
1. 简介 当今社会，微电子技术被广泛应用于各种设备中。电子设备在世界范围内的快速普及，促使人们开始审视新技术，尤其是存储器。存储器越来越多地用于生物、无线和可实现设备中。存储器的各个部分在现代 VLSI 系统中组织起来。半导体存储器是 VLSI 架构不可或缺的一部分。RAM（随机存取存储器）有两种形式：SRAM（静态随机存取存储器）和 DRAM（动态随机存取存储器）[2]。动态一词表示理想存储电容器的电荷必须定期刷新，这就是 DRAM 很少使用的原因。为了提高稳定性和功耗，已经提出了许多SRAM单元设计，但传统的6T单元仍然提供了尺寸和性能的良好平衡，因为传统的6T单元具有非常紧凑和简单的结构，但是其操作电压最小并且受到相互冲突的读写稳定性要求的限制，因此它不用于超低电压操作。有几种针对存储器单元的设计提案以提高速度和功率，其中一种技术专注于提高SNM的低功耗（其他存储器配置（7T，8T，9T）各有优缺点）[1]。六个MOSFET组成一个典型的SRAM单元。四个晶体管（PM0，PM1，NM0和NM1）存储一位并形成两个交叉耦合的反相器。有两种稳定状态，用数字 0 和 1 表示。传统的 6T 单元很简单，但在低压下稳定性较差，因此我们努力通过各种方法提高其读写稳定性，例如双轨电源、负位线、带动态反馈管理的单位线等。然而，为了正常运行，6T SRAM 的
dell-optiplex-3070-规格表.pdf
处理器 1 英特尔 ® 赛扬 G4930（2 核/2 MB/2T/3.2 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 奔腾 G5420（2 核/4 MB/4T/3.8 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 奔腾 G5600（2 核/4 MB/4T/3.9 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 酷睿™ i3-9100（4 核/6 MB/4T/3.6 GHz 至 4.2 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 酷睿™ i3-9300（4 核/8 MB/4T/3.7 GHz 至 4.3 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 酷睿™ i5-9400（6 核/9 MB/6T/2.9 GHz 至 4.1 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux Intel ® Core™ i5-9500（6 核/9MB/6T/3.0GHz 至 4.4GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux Intel ® Core™ i7-9700（8 核/12MB/8T/3.0GHz 至 4.7GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux Intel ® Celeron G4930T（2 核/2MB/2T/3.0GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux（仅限 Micro）Intel ® Pentium G5420T（2 核/4MB/4T/3.2GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux（仅限 Micro）Intel ® Pentium G5600T（2 核/4MB/4T/3.3GHz/35W）；英特尔 ® 酷睿™ i3-9100T（4 核/6MB/4T/3.1GHz 至 3.7GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux（仅 Micro）英特尔 ® 酷睿™ i3-9300T（4 核/8MB/4T/3.2GHz 至 3.8GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux（仅 Micro）英特尔 ® 酷睿™ i5-9400T（6 核/9MB/6T/1.8GHz 至 3.4GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux（仅 Micro）英特尔 ® 酷睿™ i5-9500T（6 核/9MB/6T/2.2GHz 至 3.7GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux（仅 Micro）英特尔 ® 酷睿™ i7-9700T（8 核/12 MB/8T/2.0 GHz 至 4.3 GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux（仅 Micro）英特尔赛扬™ G4900（2 核/2 MB/2T/最高 3.1 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔奔腾™ Gold G5400（2 核/4 MB/4T/3.7 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔奔腾™ Gold G5500（2 核/4 MB/4T/3.8 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 酷睿™ i3-8100（4 核/6 MB/4T/3.6 GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux Intel ® Core™ i3-8300（4 核/8MB/4T/3.7GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux Intel ® Core™ i5-8400（6 核/9MB/6T/最高 4.0GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux Intel ® Core™ i5-8500（6 核/9MB/6T/最高 4.1GHz/65W）；支持 Windows 10/Linux Intel ® Core™ i7-8700（6 核/12 MB/12T/最高 4.6 GHz/65 W）；支持 Windows 10/Linux Intel Celeron™ G4900T（2 核/2MB/2T/2.9GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux Intel Pentium™ Gold G5400T（2 核/4MB/4T/3.1GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔奔腾™ Gold G5500T（2 核/4 MB/4T/3.2GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 酷睿™ i3-8100T（4 核/6 MB/4T/3.1GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 酷睿™ i3-8300T（4 核/8 MB/4T/3.2GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 酷睿™ i5-8400T（6 核/9 MB/6T/最高 3.3GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux 英特尔 ® 酷睿™ i5-8500T（6 核/9 MB/6T/最高 3.5GHz/35W）；支持 Windows 10/Linux Intel ® Core™ i7-8700T（6 核/12 MB/12T/高达 4.0 GHz/35 W）；支持 Windows 10/Linux
皇家学会透视化版本
图5：一组示意图，说明了名义设备的能源消耗。（a）在左侧是当前驱动的自旋扭矩开关装置，（b）是电压驱动的磁电机开关，其中FM是Ferromagnet，ME是磁电机，H eb（v）是电压操纵的交换，H EC（v）是电压操纵comante and and and and and and and and and and and and and and and Manip and Manip and Manip is（V）IS M（V）VOL（V）VOL（V）IS M（V）V is（V）铁磁铁; （c）在6T时介绍了约80％的巨大磁磁性效应的原始数据，在400kV/cm的电场上呈现〜60％的巨大电抗性效应； （d）简单地计算了在距电流携带线中心1千米处创建6T磁场所需的电流所需的电流，而底部显示了创建400kV/cm电场所需的电压的计算。此电压缩放具有对象的尺寸，而磁场则不会随物体的尺寸扩展。