与过去的技术节点相比,器件的缩小可能会导致常规(未硬化)六晶体管 (6T) SRAM 单元的 SEU 敏感度增加 [8]。尽管 SEU 是一种非破坏性事件,但 SEU 概率的增加可能会对更大规模 SRAM 器件的使用造成越来越大的问题。这在使用高性能数字信号处理器的商用现货产品、太空任务和核电反应堆中尤其如此。由于多个位翻转可能导致同一个字中出现多个错误,因此这是一个更大的问题 [9]。在本文提出的设计中,标准 SRAM 单元经过辐射硬化处理,以减轻 SEU 和 DEU。TICE 存储单元可以自我纠正最多两个同时发生的翻转。为了进一步提高整体可靠性,我们应用布局技术将关键节点尽可能地放置在 TICE 存储单元中。在假设三个同时发生的翻转很少见的情况下,这降低了关键节点同时被击中的可能性。与标准 8T 存储单元和 DICE 存储单元相比,本研究提出的存储单元具有更高的耐辐射性。
1.0 2017 年 3 月 10 日 IBM 1.更新元素 3A:“屏幕名称”更改为“基本和所有选项值(合同总值)”2.新元素 3E:“预计订单总值”3.更新元素 5C:屏幕名称更改为“个人订单/呼叫限制”4.更新元素 6T:更新说明和值 5.更新元素 7B:屏幕名称更改为“材料、供应品、物品和设备”6.更新元素 7C:屏幕名称更改为“劳工标准”7.更新元素 7D:屏幕名称更改为“建筑工资率要求”8.新元素7G:“附加报告” 9.更新元素 8P:用例已针对 FSS 和 GWAC 10 进行更改。新元素 9L:“CAGE 代码”现在显示在合同屏幕 11 上。更新元素 10J:用例已针对第 13 部分 BPA 调用 12 进行更改。更新元素 11B:用例已针对奖励和 IDV 进行更改
摘要 背景 由于大多数微卫星稳定 (MSS) 肿瘤的肿瘤新抗原负荷低且免疫浸润低,免疫检查点抑制剂在结直肠癌 (CRC) 中的有效性有限。本研究旨在开发一种针对线粒体的光动力疗法 (PDT) 方法来激发 MSS-CRC 的宿主抗肿瘤免疫力并阐明潜在的分子机制。方法 在体外和体内评估了针对线粒体的 PDT 在抑制 CRC 进展和诱导细胞焦亡中的作用和机制。还在 CT26 和 4T1 荷瘤小鼠模型中评估了 PDT 敏化对 PD-1 阻断的免疫影响。结果 我们在此报告,使用 IR700DX-6T(一种针对线粒体易位蛋白的光敏剂)进行 PDT 可能会触发由 CRC 中的细胞焦亡引发的抗肿瘤免疫反应。从机制上讲,IR700DX-6T-PDT 在光照下产生活性氧,并促进下游 p38 磷酸化和活性 caspase3 (CASP3) 介导的 gasdermin E (GSDME) 裂解,随后诱导细胞焦亡。此外,IR700DX-6T-PDT 增强了 MSS-CRC 细胞对 PD-1 阻断的敏感性。地西他滨是一种用于治疗血液肿瘤的去甲基化药物,它破坏了肿瘤细胞中 GSDME 的异常甲基化模式,增强了 IR700DX-6T-PDT 的疗效,并与 PD-1 阻断剂和 IR700DX-6T-PDT 联合使用,引发了强大的抗肿瘤免疫反应。结论我们的工作清楚地了解了线粒体靶向 PDT 引发的免疫原性细胞死亡,为增强 CRC 中 PD-1 阻断剂的疗效提供了一种新方法。
Pblladeiphia, $ato 23—( form drafteia for ma ry WaBaeefa New party today approved f laaka calUag tor tha rt ^ t to rata at age 18 aad for aw rtgats laws. Oa ctrll iigfits. It asks aa immediate prorJamatica eading 1 crlmlnattoa la the aim ed sen rtcaa aad cans for aatt-lyaehb aatt-paE tax, aati-dlacrlmlaatlea aad fair employmeat practices legtslattsa It also declares tor aboBtloa 6t the Home Ooesmittee aa Ua-Asasr- eaa Activities.• • • Faces Murder Charga Cmtols. Mr.. July » —(P)—Aa at tractive. Monde ssatker was charged with murder today ta the mystery death of her kasbsad. Oscar F. Mareil, 58, Seki aestady, NY. sapennarket manager. Mrs, .Margaret Mary Marrtl. 88. pleaded Innooeat la Muolcipal cooit to tha charge which foUowvd lavestlga- Uon ef MairlPs death Taeeda.v at Spedaio lake, Vaaceboro. The couple aad tM r Infaat^daughter. Katherine, were vneationiag la that remote woodland spot. The sleader, former NKvy aaao was beM ailK* not ball fbr coattaned hsailag M f 39. Couaty AttOmry TheoMe S. Bridgee decIlijM to dlecloee the ranse ef death or dlseaee a posilhle , niotite.
A6 D1 D2 D6 E2 E4 E9 J1 J6 K9 P4 S8 T1 T6 T7 T8 T9 U1 U5 U9 V8 V9 X3 X4 X5 X6 Z1 Z2 Z3 1B 1E 1H 1Q 1R 1S 1T 1X 1Y 1Z 2B 2J 2K 2L 2U 2V 3C 3R 3Y 4P 4Q 4U 5C 5F 5G 5J 5L 5M 5N 5W 6D 6M 6P 6Q 6T 6Z 7G 7J 7Q 7Y 8J 8K 8L 8R ASI/ SI 定义 A1 区域支持单元 (RSE)(待批准)( ) A2 OH-58A/C 侦察机飞行员( ) A6妊娠产后体能训练 (P3T) 领导( ) B2 UH-60 飞行员( ) B3 UH-60M 飞行员( ) B4 UH-72A 飞行员( ) C3 CH-47F 飞行员( ) C8 AD 空域管理 (ADAM)/BDE AVN 分队 (BAE)( ) D1 反大规模杀伤性武器 (CWMD)( ) D2 军事骑兵( ) D4 传感器管理领导( ) D5 区域支援分队 (RSE)( (添加 2510) ) D5 区域支援分队 (RSE)( (添加 2410) ) D6 作战数据分析员(待定)( ) D7 AH-64D 飞行员( ) D8 政府飞行代表( ) D9 AH-64E 飞行员( ) E1 UC-35 飞行员( ) E2 北极飞行员/操作员( ) E4 网络任务部队服务( ) E7 C-23 飞行员( ) E8 C-26 飞行员( ) E9 北极领导人( ) F3 RC-12D/G/H 飞行员( )
14 RODET 翻滚式钻井逃生训练车 15 CAV 民用装甲车 15 Wedgewood 爆炸物处理车 (EOD) 15 四轮摩托车 Yamaha Grizzly 15 路虎轻型和中型多用途卡车 (TUL/TUM) HS 4x4 GS 2.5 升 TD(多种) 16 White Fleet Cat B、长途客车(56 座)和小型巴士 MAN M2000L 12.220 最低测试车辆 (MTV) Mercedes AXOR 2543、MAN 18360 TGS 18 RTCH 越野集装箱装卸机 18 OSHKOSH 散装燃料/水罐车改装轻型设备运输车 (MLET) 19 EPLS MAN 增强型托盘装载系统 20 BV 206 全履带铰接式运输车 20 SNATCH 改装型路虎 21 MAN HX60 4x4 货运(轻型)中型机动性,6 吨 SV 6T 起重机卡车安装(CALM) 21 MAN HX58 6x6,货运(中型),中型机动性,9 吨 21 MAN HX77 8x8,货运(重型)中型机动性,15 吨 22 依维柯 Tracker 中型自卸卡车 (MDT) 自装式自卸卡车 (SLDT) TEREX 超轻型自卸车 22 战斗支援船 (CSB) 和拖车 23 JCB 524-50 伸缩式越野叉车(轻型) 23 JCB 541-70 伸缩式越野叉车(中型) JCB 4CX 23 海斯特工业平衡重叉车(柴油)工业平衡重叉车(电动)工业伸缩叉车和分层叉车叉车(电动)
一、SRAM 静态随机存取存储器 (SRAM) 是一种静态存储单元,它使用触发器来存储每位数据。它广泛应用于各种电子系统。SRAM 存储器中的数据不需要定期刷新。与其他存储单元相比,它速度更快,功耗更低。正因为如此,SRAM 是 VLSI 设计师中最受欢迎的存储单元。 SRAM 操作 传统的 6T SRAM 单元由两个背靠背连接的反相器组成。第一个反相器的输出连接到第二个反相器的输入,反之亦然。基本上,SRAM 执行三种操作,即保持、读取和写入操作。 保持操作:在待机操作或保持操作中,字线 (WL) 处于关闭状态。连接到字线和 B 和 BLB 线的存取晶体管也处于关闭状态。为了使 SRAM 以读取或写入模式运行,字线应始终处于高电平。 写入操作:存储数据的过程称为写入操作。它用于上传 SRAM 单元中的内容。写入操作从分配要写入 Bit 的值及其在 Bit' 的互补值开始。为了写入“1”,Bit 预充电高电压,并将互补值“0”分配给 Bit'。当通过将 WL 置为“高”将 M5 和 M6 设置为 ON 状态时,在 Bit 处分配的值将作为数据存储在锁存器中。M5 和 M6 MOS 晶体管设计得比单元 Ml、M2、M3 和 M4 中相对较弱的晶体管强得多,因此它们能够覆盖交叉耦合反相器的先前状态。读取操作:恢复数据的过程称为读取操作。它用于获取内容。读取操作首先将字线“WL”置为高电平,这样在将位线和位线预充电至逻辑 1 后,访问晶体管 M5 和 M6 均将启用。第二步是将存储在数据和数据线中的值传输到位线,方法是将位保留为其预充电值,并通过 M4 和 M6 将位线放电至逻辑 0。
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