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采用 90nm CMOS 工艺多路复用器编码器设计低功耗 4 位闪存 ADC
在各种 ADC 架构中，FLASH ADC 被证明是高性能 ADC。所提出的 ADC 由基于多路复用器的编码器、开环比较器和电阻梯形网络组成。所提出的 ADC 采用 90nm CMOS 技术进行模拟。所提出的 ADC 的主要优点是静态功耗低。这是通过将基于多路复用器的编码器集成到 Flash ADC 中实现的。所提出的 ADC 的功耗为 26.65µw，输入电压为 1V，频率为 100MHz。设计的 Flash ADC 可用于高速应用。
90nm高端CMOS技术
90nm 系列包括低功耗 CS100A-LL、高性能 CS100 和通用 CS100A-G，让客户能够灵活地选择合适的技术来区分其产品。CS100 的 HV（高 Vth 晶体管）比 CS100A-G 具有更高的性能和更低的功耗。I/O 范围为 1.8V 至 3.3V，SRAM 存储器单元尺寸小于 1.0µm 2 。