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适用于超低功耗应用的 9T FinFET SRAM 单元
由于 CMOS 的缩放，这些设备的局限性引发了对替代纳米设备的需求。提出了各种设备，如 FinFET、TFET、CNTFET。其中，FinFET 成为最有前途的设备之一，由于其在纳米范围内的低泄漏，它可以替代 CMOS。如今，电子设备在电池消耗方面更加紧凑和高效。由于 CMOS 的缩放限制，CMOS SRAM 已被 FinFET SRAM 取代。已经有两个 FinFET SRAM 单元，它们具有高功率效率和高稳定性。已经对这些单元进行了性能比较，以分析泄漏功率和静态噪声容限。这些单元的模拟是在 20 nm FinFET 技术下进行的。经分析，改进的 9T SRAM 单元的写入裕度实现了 1.49 倍的改进。读取裕度也显示出比本文中比较的现有单元有显著的改善。对于所提出的 0.4 V SRAM 单元，发现保持裕度更好。栅极长度已经改变，以发现栅极长度对读取裕度的影响。
索尔维通过其风险投资基金投资 9T Labs
索尔维是一家科技公司，其技术为日常生活的方方面面带来益处。索尔维在 64 个国家/地区拥有 21,000 多名员工，将人才、创意和要素结合在一起，以重塑进步。该集团致力于为所有人创造可持续的共享价值，特别是通过围绕三大支柱制定的“索尔维一个地球”路线图：保护气候、保护资源和创造更美好的生活。该集团的创新解决方案有助于为家庭、食品和消费品、飞机、汽车、电池、智能设备、医疗保健应用、水和空气净化系统等提供更安全、更清洁、更可持续的产品。索尔维成立于 1863 年，如今在其绝大多数业务领域中位居全球前三名，2020 年实现净销售额 90 亿欧元。索尔维在布鲁塞尔和巴黎泛欧交易所 (SOLB) 上市。了解更多信息，请访问 www.solvay.com。
低功耗静态随机存取存储器的回顾（...
摘要 — 物联网 (IoT) 设备对低功耗静态随机存取存储器 (SRAM) 单元的需求不断增长，这导致了各种 SRAM 单元拓扑的开发，这些拓扑可在保持性能和稳定性的同时最大限度地降低功耗。在本文中，我们基于不同的参数（例如功耗、延迟、面积、能量和稳定性）分析了各种 SRAM 设计。据观察，由六个晶体管组成的 6T SRAM 单元由于其简单性和低面积要求而成为使用最广泛的拓扑。然而，已经开发出更大的单元，例如 8T、9T 和 10T，以提高稳定性并降低功耗，尽管它们需要更多的面积。据观察，8T 在读取延迟方面效果更好，而 9T 在 9 方面效果更好。将 SRAM 单元缩小到更小的特征尺寸在保持稳定性和可靠性的同时最大限度地降低功耗方面提出了挑战。
密歇根囊性纤维化 DNA 突变检测小组
R347P c.1040G>C p.Arg347Pro R347H c.1040G>A p.Arg347His R352Q c.1055G>A p.Arg352Gln 1213delT c.1081delT p.Trp361GlyfsX8 1248+1G>A c.1116+1G>A 无蛋白质名称 1259insA c.1127_1128insA p.Gln378AlafsX4 W401X(c.1202G>A) c.1202G>A p.Trp401X W401X(c.1203G>A) c.1203G>A p.Trp401X 1341+1G>A c.1209+1G>A 无蛋白质名称 5T* c.1210-12T[5] 无蛋白质名称 7T* c.1210-12T[7] 无蛋白质名称 9T* c.1210-12T[9] 无蛋白质名称 1461ins4 c.1329_1330insAGAT p.Ile444ArgfsX3 A455E c.1364C>A p.Ala455Glu 1525-1G>A c.1393-1G>A 无蛋白质名称 S466X(C>A) c.1397C>A p.Ser466X S466X(C>G) c.1397C>G p.Ser466X L467P c.1400T>C p.Leu467Pro 1548delG c.1418delG p.Gly473GlufsX54 S489X c.1466C>A p.Ser489X S492F c.1475C>T p.Ser492Phe Q493X c.1477C>T p.Gln493X I506V** c.1516A>G p.Ile506Val
数字孪生：建筑和房地产的水瓶座时代
高管层经常因为对未知事物的恐惧或对前期投资的担忧而忽视数字孪生的概念。然而，随着 COVID-19 和气候变化等灾难需要全球关注，寻求企业采取行动的不再只是前沿活动家。反复出现的市场混乱现在迫使企业高管考虑采用创新方法，以更高的敏捷性和速度应对挑战。贝莱德是一家管理着超过 9 万亿美元资产的公司，已将可持续性和气候变化纳入投资风险因素。2 此类举措将要求行业领导者对这些危害表现出更大的承诺。像数字孪生这样的技术提供了一种数字化流程驱动运营的切实可行的方法，同时为应对长期全球挑战奠定了基础。建筑和建筑环境也开始意识到这一机遇。
新闻稿
新的泰国工厂将通过加强全球供应系统并满足全球对 3-甲基-1.5-戊二醇 (MPD)、SEPTON™ 氢化苯乙烯嵌段共聚物 (HSBC) 和 GENESTAR™ 耐热聚酰胺-9T (PA9T) 日益增长的需求，为异戊二烯相关业务的持续增长做出贡献，这些产品均采用 Kuraray 专有技术开发。Kuraray 正在实施其中期管理计划“PASSION 2026”，作为一项五年计划，直至 2026 年成立一百周年。该公司将继续积极投资于以增长为导向的项目，旨在实现长期的“Kuraray 愿景 2026”，即成为“通过将新的基础平台融入自身技术并贡献客户、社会和地球，实现可持续发展的特种化学品公司”。
Fe Intercalation Fextase2
过渡金属二进制元素与磁元素的插入一直是增加研究兴趣的主题，旨在探索各向异性和自旋轨道耦合的新型磁性材料。在本文中，使用化学蒸气传输方法使用不同的生长条件制备了两个具有不同Fe含量的磁性样品。使用物理性质测量系统（PPM，EverCoolⅱ-9T，量子设计）对材料的磁性特性进行了全面研究。结果揭示了研究材料中的不同特征。fe 0.12 Tase 2表现出显着的铁磁磁性，居里过渡温度为50K。但是，其面内磁性较弱，并且在Curie温度下方没有观察到显着的滞后环。Fe 0.25 Tase 2表现出无滞后循环的反铁磁性，并具有高达130 K的néel温度。此发现与Fe X TAS 2中的嵌入铁完全不同，其中只有抗磁性状态发生，而X抗磁性发生的情况只有X大于0.4。我们的研究因此提供了对该新系统的磁性特性的最新见解，并作为对铁含量不同的Tase2化合物的未来研究的参考。
附表55
1 2 3 1 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 3 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 5 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 6 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 7 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 8 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 9S 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 9P 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 9T 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 15 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 19S 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 19P 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 19T 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946（0.0000）0.7447 24 0.1163 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946（0.0000）（0.0000）0.7447 40 0.1163 0.1163 0.0326 0.0011 0.0011 0.5946（0.0000） 0.0326 0.0011 0.5946 (0.0000) 0.7447 26 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 * 0.7447 29 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 * 0.7447 30 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 * 0.7447 32 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 * 0.7447 34 0.1163 0.0326 0.0011 0.5946 * 0.7447
10T SRAM 存储器单元的设计
1. 简介 当今社会，微电子技术被广泛应用于各种设备中。电子设备在世界范围内的快速普及，促使人们开始审视新技术，尤其是存储器。存储器越来越多地用于生物、无线和可实现设备中。存储器的各个部分在现代 VLSI 系统中组织起来。半导体存储器是 VLSI 架构不可或缺的一部分。RAM（随机存取存储器）有两种形式：SRAM（静态随机存取存储器）和 DRAM（动态随机存取存储器）[2]。动态一词表示理想存储电容器的电荷必须定期刷新，这就是 DRAM 很少使用的原因。为了提高稳定性和功耗，已经提出了许多SRAM单元设计，但传统的6T单元仍然提供了尺寸和性能的良好平衡，因为传统的6T单元具有非常紧凑和简单的结构，但是其操作电压最小并且受到相互冲突的读写稳定性要求的限制，因此它不用于超低电压操作。有几种针对存储器单元的设计提案以提高速度和功率，其中一种技术专注于提高SNM的低功耗（其他存储器配置（7T，8T，9T）各有优缺点）[1]。六个MOSFET组成一个典型的SRAM单元。四个晶体管（PM0，PM1，NM0和NM1）存储一位并形成两个交叉耦合的反相器。有两种稳定状态，用数字 0 和 1 表示。传统的 6T 单元很简单，但在低压下稳定性较差，因此我们努力通过各种方法提高其读写稳定性，例如双轨电源、负位线、带动态反馈管理的单位线等。然而，为了正常运行，6T SRAM 的