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杂次la- ...
宽带间隙（WBG）碱性晶酸盐透明氧化物半导体（TOSS）近年来引起了越来越多的关注，因为它们的高载流子迁移率和出色的光电特性，这些特性已应用于诸如Flat-Panel显示器等广泛的应用。然而，大多数碱性地球酸盐是由分子束外延（MBE）生长的，有关锡源的问题存在一些棘手的问题，包括带有SNO和SN源的波动性以及SNO 2源的分解。相反，原子层沉积（ALD）是具有精确的化学计量控制和原子尺度上可调厚度的复杂stannate钙钛矿生长的理想技术。在此，我们报告了la-srsno 3 /batio 3 perovskite异质结构异质集成在SI（001）上，该结构使用ALD种植的La掺杂的Srsno 3（LSSO）作为通道材料，并用作MBE生长的Batio 3（BTO）作为介电材料。反射性高能电子衍射和X射线衍射结果表明每个外延层的结晶度为0.62，全宽度最高（FWHM）。原位X射线光电子光谱结果证实，ALD沉积LSSO中没有SN 0状态。这项工作扩展了当前的优化方法，用于减少外在LSSO/BTO钙钛矿异质结构中的缺陷，并表明过量的氧气退火是增强LSSO/BTO异质结构的电容性能的强大工具。Besides, we report a strategy for the post-treatment of LSSO/BTO perovskite heterostructures by controlling the oxygen annealing temperature and time, with a maximum oxide capacitance C ox = 0.31 μF/cm 2 and a minimum low- frequency dispersion for the devices with 7 h oxygen annealing at 400 C. The enhancement of capacitance properties is primarily attributed to a在额外的异位过量氧气退火过程中，膜中氧空位的减少和异质结构界面中的界面缺陷。
原子层沉积薄膜中的界面
和压力，并在每次前体暴露之间进行吹扫循环。[3] 需要彻底了解以选择前体、基材和发生自饱和沉积的温度窗口。之前已全面介绍了 ALD 类型和前体化学，重点是金属硫化物及其应用。[4] 本综述重点介绍 ALD 生产的薄膜中的界面相互作用。术语“界面”是指两相之间的边界——前一层结束和下一层开始的分离边界。理想情况下，这两层在化学上不具有相互作用，界面充当向下一种材料的突然转换。然而，在实践中，接触区域中的物理、化学和电子相互作用是不可避免的。这些相互作用引起的各种现象为与界面相关的研究开辟了新的途径。例如，最明显的相互作用可能是涉及晶格的相互作用。Short 等人。 [5] 报告称，他们在沉积 ZnS 和 Cu x S 多层薄膜的过程中发现，薄膜的结构取决于最先沉积的材料：Cu 2 S 主要呈现单斜结构，而 CuS 和 ZnS 则呈现六方取向。[6]
内容 - 柴郡东区议会
地点 CRE 2 “Gresty Road 附近的土地”...................................................................... 303 麦克尔斯菲尔德（一般问题）.............................................................................. 304 奥尔萨格（一般问题）...................................................................................... 306 康格尔顿（一般问题）...................................................................................... 308 地点 CNG 1 “Alexandria Way 附近的土地”............................................................. 310 汉德福斯（一般问题）............................................................................. 310 纳茨福德（一般问题）............................................................................. 311 米德尔威奇（一般问题）............................................................................. 312 已删除地点 MID 1 “St. Ann's Road 附近的土地”............................................................. 314 地点 MID 2 “Croxton Lane 以东和以西”............................................................. 314 地点 MID 3 “Centurion Way”............................................................................. 317 南威奇（一般问题）............................................................................. 319波因顿（一般问题） ...................................................................................... 319 地点 PYT 1“波因顿体育俱乐部” .............................................................................. 321 地点 PYT 2“格拉斯顿伯里大道以北的土地” ........................................................ 324 地点 PYT 3“波因顿高中的土地” ...................................................................... 328 地点 PYT 4“前弗农幼儿园” ............................................................................. 330 桑德巴赫（一般问题） ............................................................................................. 332 威姆斯洛（一般问题） ............................................................................................. 334 奥尔德利埃奇（一般问题） ............................................................................................. 335 已删除地点 ALD 1“珍妮·海耶斯附近的土地” ............................................................. 337 已删除地点 ALD 2“切尔福德路以北的赖利斯农场” ............................................................. 339 受保护土地 ALD 3“赖利斯农场（受保护）'................................................... 340 已删除地点 ALD 4 “Beech 路以北的土地”.............................................. 341 Audlem（一般问题）.............................................................................. 343 已删除地点 AUD 1 “Birds Nest 以南的土地”............................................. 343 Bollington（一般问题）............................................................................. 344 受保护的土地 BOL 1 “Henshall 路的土地”............................................................. 346 受保护土地 BOL 2“Oak Lane/Greenfield Road 的土地” ........................ 347 已删除站点 BOL 3“Jackson Lane 的土地” .............................................. 348 Bunbury（一般问题） ...................................................................................... 349 Chelford（一般问题） ...................................................................................... 349 受保护土地 CFD 1“Knutsford Road 附近的土地” ............................................. 351 受保护土地 CFD 2“Chelford Railway Station 以东的土地” ............................................. 352 Disley（一般问题） ............................................................................................. 352 已删除站点 DIS 1“Greystones Allotments” ............................................. 354 受保护土地 DIS 2“Jacksons Edge Road 附近的土地” ............................................. 355 Goostrey（一般问题） ............................................................................................. 359 Haslington（一般问题） ............................................................................................. 359 Holmes教堂（一般问题） ................................................................................ 360 地点 HCH 1“伦敦路以东的土地” .............................................................. 361 莫伯利（一般问题） ................................................................................ 363 已删除地点 MOB 1“伊尔福德路附近的土地” ............................................................. 364 已删除受保护土地 MOB 2“卡莱尔克洛斯以北的土地” ............................................. 364 普雷斯特伯里（一般问题） ............................................................................. 365 已删除地点 PRE 1“板球场以南的土地” ............................................................. 367 受保护土地 PRE 2“普雷斯特伯里巷以南的土地” ............................................. 368 受保护土地 PRE 3“海布里奇巷附近的土地” ............................................. 374 沙文顿（一般问题） ............................................................................. 375 伦伯里（一般问题） ............................................................................. 376.................................................................... 352 已删除站点 DIS 1“Greystones Allotments” .............................................. 354 受保护土地 DIS 2“Jacksons Edge Road 附近的土地” ................................ 355 Goostrey（一般问题） ............................................................................. 359 Haslington（一般问题） ............................................................................. 359 Holmes Chapel（一般问题） ............................................................................. 360 站点 HCH 1“London Road 以东的土地” ............................................................. 361 Mobberley（一般问题） ............................................................................. 363 已删除站点 MOB 1“Ilford Way 附近的土地” ............................................................. 364 已删除受保护土地 MOB 2“Carlisle Close 以北的土地” .................................... 364 Prestbury（一般问题） ............................................................................. 365 已删除站点 PRE 1“板球场以南的土地” ............................................................. 367 受保护土地 PRE 2‘Prestbury Lane 以南的土地’...................................... 368 受保护土地 PRE 3‘Heybridge Lane 附近的土地’........................................ 374 Shavington（一般问题）............................................................................. 375 Wrenbury（一般问题）......................................................................................... 376.................................................................... 352 已删除站点 DIS 1“Greystones Allotments” .............................................. 354 受保护土地 DIS 2“Jacksons Edge Road 附近的土地” ................................ 355 Goostrey（一般问题） ............................................................................. 359 Haslington（一般问题） ............................................................................. 359 Holmes Chapel（一般问题） ............................................................................. 360 站点 HCH 1“London Road 以东的土地” ............................................................. 361 Mobberley（一般问题） ............................................................................. 363 已删除站点 MOB 1“Ilford Way 附近的土地” ............................................................. 364 已删除受保护土地 MOB 2“Carlisle Close 以北的土地” .................................... 364 Prestbury（一般问题） ............................................................................. 365 已删除站点 PRE 1“板球场以南的土地” ............................................................. 367 受保护土地 PRE 2‘Prestbury Lane 以南的土地’...................................... 368 受保护土地 PRE 3‘Heybridge Lane 附近的土地’........................................ 374 Shavington（一般问题）............................................................................. 375 Wrenbury（一般问题）......................................................................................... 376368 受保护土地 PRE 3‘Heybridge Lane 附近的土地’...................................................... 374 Shavington（一般问题）.............................................................................. 375 Wrenbury（一般问题）...................................................................................... 376368 受保护土地 PRE 3‘Heybridge Lane 附近的土地’...................................................... 374 Shavington（一般问题）.............................................................................. 375 Wrenbury（一般问题）...................................................................................... 376
基于车辆的高级泄漏检测 - 净零和...
我们具有灵活性作为主电源替代计划（MRP）的一部分，以选择优先使用较大排放的资产更换资产的工作，但我们的能力受到限制，因为没有ALD，我们就没有测量数据来确认哪些资产确实会导致排放。当前，我们使用收缩和泄漏模型（SLM），该模型在队列水平上呈现甲烷排放。平均而言，每个队列的大小为C.4,400公里，使得无法识别泄漏的个人资产。5当我们使用来自ALD的测量数据时，我们看到资产排放率具有很大的范围，而一小部分泄漏代表了很大一部分排放。在Cadent的情况下，迄今为止伦敦北部飞行员发现的泄漏中有10％占其排放量的33％，如下图所示。 识别这10％的唯一方法，而在图的右侧进行了其他泄漏是通过测量田间的。 调查的覆盖范围和频率越高，在图的右侧识别泄漏的能力越高。在Cadent的情况下，迄今为止伦敦北部飞行员发现的泄漏中有10％占其排放量的33％，如下图所示。识别这10％的唯一方法，而在图的右侧进行了其他泄漏是通过测量田间的。调查的覆盖范围和频率越高，在图的右侧识别泄漏的能力越高。
以金属有机骨架为填充物的逆向混合键合
图 29 (a) 每个 I/O 电阻测量的开尔文结构；(b) 键合铜柱的 SEM 横截面 ......................................................................................................... 44 图 30 带 Ru 封盖的 Cu-Cu 键合测试台 ............................................................................. 45 图 31 铜上钌的沉积过程 ............................................................................................. 45 图 32 30 分钟 FGA（合成气体退火）退火后表面 Cu 和 Ru 的百分比 [98] ............................................................................................................. 46 图 33 450°C FGA 退火后，带有针孔的 Ru 表面上的扩散 Cu ............................................................................. 47 图 34 用于研究填充的测试台制造流程 ......................................................................................... 49 (b) 使用 Keyence 7000 显微镜对集成结构进行的顶视图，描绘了顶部芯片上的通孔密度 ............................................................................................................................. 50 图 36 (a) 200 次循环氧化铝 ALD 后扫描 EDX 映射区域的 SEM 图像；(b) 集成结构的顶视图，突出显示了填充覆盖研究区域；(c) EDX 映射结果描绘了铝和氧 pe 的区域 ............................................................................................................................. 51 图 37 200 次循环氧化铝 ALD 后脱粘底部芯片的 FIB 横截面描绘 ............................................................................................................................. 52 图 38 (a) 200 次循环真空清除 ALD 后 EDX 研究的不同区域 - 底部芯片正下方通孔区域（区域 A）、距最近通孔 300 µm 的区域（区域 B）、靠近边缘的区域（区域 C）； (b) 三个 r 中的 Al/Si 比率 ...................................................................................................................................... 52 图 39 (a) 集成结构的对角线切割；(b) 描绘平滑填充区域和无填充的受损区域后集成结构横截面的近视图；(c) 描绘填充高达 300 µm 的横截面的未放大图像 ............................................................................................. 54 图 40 (a) ZIF-8 MOF 化学和结构；(b) 示意图表示 ALD ZnO 和转化为气相沉积 MOF，体积膨胀和间隙填充约为 10-15 倍。 ........................................................................................................................................... 56 图 41 在完全填充芯片到基板间隙后，距离最近通孔 300 µm 的集成结构横截面的 EDX 映射.............................................................................57 图 42 横截面的 SEM 图像显示抛光模具未渗透到通孔和芯片与基板的间隙中，从而使上述结果可信 ............................................................................................. 58 图 43 (a) 测试台示意图，顶部芯片具有通孔 Cu-Cu 键合到底部基板；(b) Cu-Cu 键合测试结构的 SEM 横截面（面 A）；(c) 键合前顶部芯片表面的铜垫/柱（面 B）；(d) 键合前底部芯片表面的带有金属走线的铜柱（面 C） ............................................................................................................................. 59 图 44 20 nm ZnO ALD 后脱键合的底部芯片概览；(b) 通孔下方未沉积填充的区域 ............................................................................................................. 60 图 45 顶部芯片靠近通孔的区域，显示扩散半径为 (a) 572 µm，通孔直径为 240 µm； (b) 75 µm 直径通孔的 364 µm .............................................................. 61 图 46 20 nm ZnO ALD 后的脱粘底部芯片概览，a) 脉冲时间 250 ms 和温度 150°C；(b) 脉冲时间 1 秒和温度 150°C ................................................................................ 62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 ............................................................................................. 63 图 48 (a) 1 个 MOF 循环后脱粘底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表明已完全渗透............................................................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样，显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................................. 65 图 50 (a) 5 个 MOF 填充循环后脱粘底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)62 图 47 反向混合键合的工艺顺序 .......................................................................................... 63 图 48 (a) 经过 1 个 MOF 循环后，脱键合底部芯片的概览；(b) 在底部芯片中间观察到的 MOF 晶粒表示完全渗透............................................................................. 64 图 49 靠近底部基板中心的 FIB 横截面，如预期的那样显示了 500 nm MOF ............................................................................................................................. 65 图 50 (a) 经过 5 个 MOF 填充循环后，脱键合底部芯片的概览；(b)
通过原位界面氢掺杂的 Zn-O 薄膜晶体管
报道的氢掺杂方法也需要高温工艺。11此外，氢掺杂可以显著增加a-IGZO TFT的导通电流，从而大大降低导通/导通电流比。15众所周知，TFT中的电子传输集中在半导体-电介质界面附近。16因此，在界面附近的有限区域内自发氢掺杂对于同步实现灵活、高性能的a-IGZO基TFT和光传感器是理想的选择，尤其是在低温下。此外，氧化铝（Al2O3）是一种高k材料，广泛用作氧化物半导体TFT中的电介质层。Al2O3电介质的制造方法包括原子层沉积（ALD）、17物理气相沉积（PVD）18和溶液工艺。 19通常，ALD需要150℃以上的高衬底温度才能获得高质量的Al 2 O 3 薄膜。Kessels等20报道了一种氧等离子体增强ALD（PEALD）技术，该技术可以在低温下沉积Al 2 O 3 薄膜，所得薄膜含有氢等杂质。在上述方法中，PEALD技术具有薄膜质量高、厚度控制精确、大面积均匀性好、工艺温度低等优点，非常适合于制作高性能柔性器件。本文研究了在不同温度下通过PEALD沉积Al 2 O 3 栅极电介质的a-IGZO TFT的感光特性。室温 (RT) 制备的 a-IGZO TFT 得益于原位界面氢掺杂效应，表现出较高的光电检测性能。通过采用基于 RT a-IGZO TFT 的可区分颜色光传感器阵列实现了彩色图案成像，并通过在聚合物基板上制备 TFT 展示了其灵活性。还展示了高温制备的 a-IGZO TFT 的光刺激突触行为。
内容 - 柴郡东区议会
站点 CRE 2 ‘Gresty Road 附近的土地’...................................................................... 303 Macclesfield（一般问题）.............................................................................. 304 Alsager（一般问题）...................................................................................... 306 Congleton（一般问题）...................................................................................... 308 站点 CNG 1 ‘Alexandria Way 附近的土地’............................................................. 310 Handforth（一般问题）............................................................................. 310 Knutsford（一般问题）............................................................................. 311 Middlewich（一般问题）............................................................................. 312 已删除站点 MID 1 ‘St. Ann’s Road 附近的土地’............................................................. 314 站点 MID 2 ‘Croxton Lane 以东和以西’............................................................. 314 站点 MID 3 ‘Centurion Way’............................................................................. 317 南威奇（一般问题）............................................................................. 319波因顿（一般问题） ................................................................................ 319 站点 PYT 1 ‘波因顿体育俱乐部’ ..............................................................
通过原子层沉积对有机卤化物钙钛矿的表面钝化：研究有效倒平面太阳能电池的机理
钙钛矿表面很少是化学计量的，通常是排便的。3个钙钛矿表面的缺陷可能会引起显着的非放射电荷重组，并使太阳能电池性能恶化。3 - 7尤其是在最新的太阳能电池中，与散装或晶界相比，钙钛矿和电荷传输层之间的界面的非放射性重组是主要的。4因此，界面缺陷的钝化对于实现高效率PSC是关键。为此，已经报道了许多钝化方法，例如，通过添加小分子，聚合物和无机化合物的层间或掺入宽频段间隙2D perovskites。8 - 11尽管对太阳能电池效率有所改善，但仍然关注这些方法的可观性。最近，宽频段氧化物的原子层沉积（ALD）（例如al 2 o 3）已成为一种有前途的钝化钙钛矿表面的有希望的策略。12 ALD是一种可伸缩的蒸气 - 相薄 - LM沉积技术，它依赖于序列的交替自限制表面反应，它以在具有原子厚度和 lm厚度控制的表面上产生高度均匀的连形薄lms而闻名。
重新定义纳米级高 k 介电材料在储能领域的应用：一种新型电化学活性保护屏障
关键词：能源材料、纳米级效应、高 k 电介质、隧道传导、电化学储能。缩写：（第一页脚注） ALD：原子层沉积 Si NWs：硅纳米线 Si NTs：硅纳米树 Al@SiNWs：氧化铝涂层硅纳米线 Al@SiNTs：氧化铝涂层硅纳米树 3 纳米 Al@SiNWs：3 纳米氧化铝涂层硅纳米线
三甲基铝与分子氧和水的反应机理
III-VI 族材料一直受到广泛关注，部分原因是它们是可用于光伏或光电子应用的宽带隙半导体材料 [1–5] 。三甲基铝 (TMA) 是众所周知的铝源，用于半导体制造以通过原子层沉积 (ALD) 或金属有机化学气相沉积 (MOCVD) 的不同工艺生长薄膜，例如 Al 2 O 3 和氮化铝 (AlN) [6–11] 。Al 2 O 3 薄膜在许多不同的应用中作为绝缘体和钝化层发挥着重要作用，它是通过 ALD 沉积的第一个介电氧化物，尽管该工艺中的前体是 AlCl 3 和水 [12] 。使用 TMA 制备 Al 2 O 3 薄膜的原因是三甲基铝在室温下是一种热稳定的高蒸气压 (8.4 Torr) 液体，并且容易与水反应生成 Al 2 O 3 。氮化铝 (AlN) 的有趣特性包括一系列独特的物理特性，从大带隙 (6.2 eV) 和高电阻率，到低介电损耗和高热导率 [13] 。因此，AlN 薄膜在电子领域具有广泛的应用，例如金属-绝缘体-半导体器件中的绝缘层 [14] ，