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1基于MG的液体金属离子源的比较。
我们比较了各种基于镁的液体金属合金离子源（LMAI）的适用性，以便于GAN的可伸缩聚焦离子梁（FIB）植入掺杂。我们考虑GAMG，MGSO 4•7H 2 O，MGZN，ALMG和AUMGSI合金。尽管遇到了氧化问题（GAMG），分解（MGSO 4•7H 2 O）和蒸气压力过大（MGZN和ALMG），但在Wien滤波器滤波器柱中运行的Aumgsi合金LMAIS在一个单独的和二型和二型芯片态度中均具有所有mg isotopes。我们讨论了实现<20nm斑点尺寸Mg Fib植入的工作条件，并通过飞行时间二级离子质谱法（TOF-SIMS）呈现MG深度谱图数据。我们还可以洞悉植入损伤和基于快速热处理前后的阴极发光（CL）光谱的恢复。前景。
定量评估portevin-le Chatelier对降水量的流动应力的影响，使ALMGSCZR合金
portevin-le Chatelier（PLC）效应通常在许多合金系统中发生，并导致流动应力变化。发生降水时，PLC的行为发生变化及其对流动应力的影响变得更加复杂，但尚未澄清。沉淀物和位错之间众所周知的相互作用机制是剪切（可剪切沉淀物）和绕过（不可切除的沉淀物）。这项研究系统地研究了三种情况下PLC效应对流动应力的影响，即，没有预屈，具有可剪切的沉淀物，并且具有不可剪切的沉淀物。这项研究是在ALMGZRSC合金上进行的，其中沉淀不会改变负责PLC的溶质物种的浓度。提出了考虑不同的脱位 - 屈光度相互作用的修改构型关系，这可以量化以上三种情况下PLC效应对流动应力的贡献。建模结果与在ALMG和ALMGSCZR合金上表现出PLC效应的实验的结果非常吻合。理论上证明了PLC诱导的加强可以占ALMG合金总流动应力的14.5％。当出现可剪切和不可剪切的沉淀物时，该百分比分别降至约4.5％和9.5％，表明沉淀会减弱PLC诱导的增强。可剪切的沉淀物可以缩短PLC的应变率范围，这比不可切除的沉淀物更有效地抑制PLC效应。最后，讨论了负责PLC诱导的强化和不同沉淀脱位相互作用的作用的内在机制。
金属
摘要：同轴激光金属沉积（LMD-w）是对已在生产中建立的增材制造工艺的宝贵补充，因为它允许一个与方向无关的工艺，具有高沉积速率和高沉积精度。然而，在工艺开发过程中，缺乏关于调整工艺参数以构建无缺陷部件的知识。因此，在这项工作中，使用铝线 AlMg4,5MnZr 和不锈钢线 AISI 316L 进行了同轴 LMD-w 工艺开发。首先，确定了导致无缺陷工艺的参数组合的边界。工艺参数单位长度能量和速度比之间的比例对于无缺陷工艺至关重要。然后，使用回归分析分析了工艺参数对两种材料的单个珠子高度和宽度的影响。结果表明，线性模型适合描述工艺参数与珠子尺寸之间的相关性。最后，提出了一个与材料无关的公式来计算增材工艺所需的每层高度增量。对于未来的研究，这项工作的结果将有助于使用不同材料的工艺开发。