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doi：10.29026/oes.2024.230035高分辨率直接激光写作的H-Line超临界金属
超临界透镜（SCL）可以打破远场中的衍射极限，并已证明用于高分辨率扫描共共共聚焦成像。在紫罗兰或紫外线（UV）波长时，其在较尖锐的焦点和类似针状的长焦点深度方面应允许高分辨率光刻，但是，从未实验证明这一点。作为概念证明，在本文中，在405 nm（h-line）波长下运行的波长较小，其全尺寸最大的最大最大量度比传统的壁球镜头比传统的侧脚镜头更长，而焦点的深度则更长，同时将受控的侧面裂片保持直接签名（DLW）的直接写作（DLW）光刻。氮化铝（ALN）具有高折射率和紫外线范围内低损失的铝（ALN）用于制造金属人的基于纳米乳鼠的跨质体结构。使用具有子划分限制的焦点功能的SCL制造具有改进音高分辨率的光栅阵列。DLW短波长的SCL的基于ALN的元表面可以进一步扩展到紫外线或深紫外线光刻，并且可能引起研究和行业应用的极大兴趣。
口头演示
会议1A：全体会议I会议椅：Xiuling Li和Luke Mawst，星期一，星期一，5月13日，2024年5月13日，凡尔赛塔，诺曼底舞厅2楼1 8:15 AM开幕词上午8:30 AM *1A.1 ALN -MOVPE ZLATKO ZLATKO SITAR; NCSU，美国单晶铝氮化铝的直接带隙为6.1 eV，还带来了实现深紫外光电子，极端RF和功率设备的技术机会，此外还可以进行量子相互作用。由于ALN底物实际上没有位错，可以将Movpe同型的表面形态从2D-核的控制到阶梯流增长，甚至逐层生长。生长过程通过全包表面动力学框架进行定量描述，该框架连接输入蒸气过饱和，表面过饱和，表面扩散长度和底物不良方向角度。表面特征的管理对于三元合金和均匀掺杂的生长至关重要。从历史上看，ALN的电导率非常有限，大概是由于DX - 过渡形成受体状态和随后的自我补偿，这对可实现的自由载体浓度施加了严重的上限。然而，最近的结果表明，该过渡代表了从浅层到深层供体状态的平衡热力学转变，该状态可以动力学控制。iii-V复合半导体现在通过各种方式与基于SI的电子设备集成了电信和数据通信的光纤网络中，以扩展集成系统的性能和功能。这些事态发展不仅具有强大的UV光电设备，而且还采用了近乎理想的基于ALN的Schottky二极管，支持高达3 ka/cm 2的电流，并且稳定的操作高达700°C，以高达700°C，证明了ALN作为极端环境电源设备的平台。上午9:15 *1A.2在SOI上集成III-V主动设备的新范式 - 沿左侧选择性Movpe Kei May Lau；香港科学技术大学，香港高性能高频和光子设备由复合半导体主导，复合半导体具有先天波长的灵活性，并可以促进电子的高速运输，并结合了异性结构。除了速度和带宽优势外，通过光子而不是电子发送数据可能会更多的能量
新成立/ 注册及已更改名称的公司名单List of Newly ...
70 3041407 23-04-2021 ALN China Yanhuang Original Ecological Culture Research Institute Group Development Co. Limited 中华炎黄原生态文化研究院集团发展有限公司
开发了氮化铝和Cu – P – Sn – Ni合金之间的界面微观结构，用于不同的初始钛层厚度
与5μm厚的Ti层之间的650°C和950°C之间的键合1小时如图6。在BSE图像中显示的ALN层中的灰色区域。6（b）和6（d）是yttria。NBD模式是从相应TEM图像中以黄色圆圈的区域获取的。可以看出，随着加热温度从650°C上升到750°C，由于Cu – Ti IMC层的生长，残留的Ti层消失了。另外，可以看出，Cu – Ti IMC的层消失，并且在850°C或更高的ALN界面处形成一个明显的界面反应层。这些界面反应层的厚度，从图。6，在850°C下为≈0.5μm，在950°C下为≈1μm，
2023 年秋季实习周期岗位 - MyNavy HR
NACO 31565 03000 LT NAVSUP WSS SCIPX PRCM 合同/实习生 ADDU TO 20178/68935 ACN 1306S PAX NACO 63194 23610 LT NAVSUP FLC NORVA PRCM 合同/实习生 ACN 1306S NORVA NACO 35640 01000 LT NAVSUP WSS MMPN PRCM 合同/NACO 实习生 ACN 1306S MECH DNACO 49710 15210 LTJG DCMA RAYTHEON-T PRCM 合同 NACO 实习生/03059087 ACN 1306S TUSCON ILS 31565 86330 LT NAVSUP WSS SCIPX SUP LOG/实习生 ADDU TO 02130/68935 ALN 1302S PAX JOL 35643 86510 LTJG NAVSUP WSS SCIDC SUP LOG/INTERN ADDU TO 92000/65487 WASHDC PLAN 00604 61220 LTJG NAVSUP FLC PH LOG PLANS/INT/ADDU TO CPF 40171/00070 JPM PEARL BFM 41600 05000 LTJG NAVSUP WSS SCIDN ACCT/DPCM BFM/INTERN/ADDU TO 88270/30763 AKN 3111S WASHDC POL 62649 70002 LTJG NAVSUP FLC YOKO FUEL LOG PLN/INTERN ADDU TO 00260/00424 ALN 1307S YOKSKA BEM 50062 00435 LTJG NAVSUP BSC OMN MGT INFO SYS/BEM INTERN ALN 1309S MECH
悉尼地方环境计划修正案（负担得起的住房）2023
https：//www.planninqpo rt al.nsw.gov.au/spatialviewerl e/https：//www.planningpo rt al.nsw.gov.au/spatialviewerl＃/find-a-f ro per ty/ad dr ess？ nd-a- prope rt y/地址？ppnum ber = ezr aln org
放电等离子烧结法制备AlN-MgO烧结体的精细...
摘要：采用放电等离子烧结技术制备了不同成分的AlN-MgO复合材料，系统研究了成分对其微观结构、热性能和力学性能的影响。AlN-MgO复合材料中MgO的成分控制在20～80wt％。结果表明，烧结过程中未发生相变，MgO和AlN晶格内形成了不同的固溶体。AlN-MgO复合材料的晶粒结构比烧结的纯AlN和MgO样品更细。透射电子显微镜分析表明，复合材料中既存在富氧、低密度的晶界，也存在含有尖晶石相的干净边界。 100 o C时烧结的纯AlN样品表现出最高的热导率（53.2 W/mK）和最低的热膨胀系数（4.47×10 -6 /K）；而烧结的纯MgO样品表现出中等的热导率（39.7 W/mK）和较高的热膨胀系数（13.05×10 -6 /K）。但随着AlN-MgO复合材料中MgO含量的增加，AlN-MgO复合材料的热导率从33.3降低到14.9 W/mK，而热膨胀系数普遍增加，随着MgO含量的增加从6.49×10 -6增加到10.73×10 -6 /K。MgO含量为60 wt％的复合材料整体表现出最好的力学性能。因此，AlN-MgO复合材料的成分和微观结构对其热性能和力学性能具有决定性的影响。
额外学习需求系统的评估
“该角色在教育环境中具有战略意义，因此，它要么是高层领导团队的一部分，要么与高层领导团队有明确的沟通渠道。这将支持教育机构规划、管理和履行其职责和责任，以确定和满足患有 ALN 的儿童和年轻人的需求……
改善基于GAN的微型腔发光设备的热耗散
摘要 - 基于双介质DBR的双介电型微腔发光设备，它们制造了两个不同的结构，并研究了它们的热特性。为了改善热耗散，使用了比SIO 2高得多的热导率的ALN电流构造层和电镀铜散热器。设备的热电阻从923 k/w降至457 k/w，其中一半是用典型使用的SIO 2电流构造层和键合的底物获得的。这是带有双电介质DBR的基于GAN的微型腔发光设备中报告的最低值。温度分布和设备内部的热量。结果表明，沿垂直方向的热传输有效地绕过底部DBR到铜板。这项工作提供了一种有效的方法，可以改善具有双介电DBR结构的基于GAN的微型腔发光设备。索引项 - 微型腔发光设备，热量耗散，ALN电流配置层，电镀铜板。
使用原位光发射光谱法了解溅射沉积亚稳态铁电纤锌矿 Al0.6Sc0.4N 薄膜的可重复性
随着相关应用领域的扩大，人们对 AlN 基 III 族金属氮化物半导体合金（如 (Al,Ga)N 和 (Al,In,Ga)N）的关注度也与日俱增。首先，人们之所以对它们感兴趣，是因为它们具有可调特性，可用于发光二极管 (LED) 和其他光电应用 [1]，并且具有宽带隙 (WBG) 半导体特性，可用于射频 (RF) 和电力电子应用中的高电子迁移率晶体管 (HEMT)。[2] 2009 年，首次有报道称在 AlN 中添加钪可显著提高压电响应 [3]，并很快被用于压电薄膜器件，如手机中的薄膜体声波谐振器 (FBAR)。 [4] 最近有关 Al 1-x Sc x N（x ≥ 0.1）的铁电性的报道，作为第一种纤锌矿铁电材料，引起了进一步的科学兴趣[5,6]，也引起了作为混合逻辑存储器设备候选者的重大技术兴趣。