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风险感知的强化学习
摘要 - 强化学习方法表明，在无人系统中解决具有挑战性的方案的问题。然而，在高度复杂的环境中解决长期决策序列，例如在密集的情况下的连续车道变化和超车仍然具有挑战性。尽管现有的无人车系统取得了长足的进步，但最大程度地降低了驱动风险是第一个考虑。风险意识的强化学习对于解决潜在的驾驶风险至关重要。但是，在无人车辆中应用的现有强化学习算法并未考虑多种风险来源带来的风险的可变性。基于上述分析，本研究提出了一种具有风险感知的加强学习方法，并通过驱动任务分解，以最大程度地减少各种来源的风险。特别是，构建了风险潜在领域，并结合了强化学习以分解驾驶任务。建议的强化学习框架使用不同的风险分支网络来学习驾驶任务。此外，提出了针对不同风险分支的低风险发作抽样方法来解决高质量样本的短缺并进一步提高采样效率。此外，采用了一种干预培训策略，其中人工电位场（APF）与增强学习相结合以加快训练并进一步确保安全。最后，提出了完整的干预风险分类双胞胎延迟的深层确定性政策梯度任务分解（IDRCTD3-TD）算法。两个具有不同困难的场景旨在验证该框架的优越性。结果表明，所提出的框架在性能方面具有显着改善。
碳覆盖材料在高温退火过程中对
关键词：离子注入、SiC、封盖、碳、退火。摘要本研究报告了一项广泛的研究，研究了离子注入 SiC 材料高温退火过程中使用的封盖材料对表面粗糙度和质量、掺杂剂分布和扩散以及晶体缺陷的影响。本研究调查了化学气相沉积 (CVD)、物理气相沉积 (PVD) 和热解光刻胶 (PR) 碳封盖材料。CVD 碳层（也称为高级图案化膜 (APF®)）是使用 Applied Producer® 沉积的。引言 在加工碳化硅 (SiC) 晶片以制造功率 MOSFET 和二极管 [1] 等微电子器件的过程中，离子注入后在衬底晶片顶部沉积一层保护层，以防止 Si 升华和台阶聚束形成以及其他表面缺陷的出现 [2, 3, 4]，从而保持表面质量，这些缺陷发生在激活 SiC 中掺杂剂所需的高温退火步骤中 [5]。这项工作研究了在这种高温退火过程中使用的保护性覆盖材料对表面和块体材料质量的影响。实验细节 在高温 (500 ˚C) 下用铝离子注入样品，铝离子以 180 keV 和 2.5E15 离子/cm2 的剂量加速，以便在约 0.2 微米深度处实现约 2E20 离子/cm3 的峰值浓度。然后用不同的碳基材料覆盖样品，然后在 1800˚C 下退火 30 分钟。然后用 O2 灰分去除保护盖，随后进行清洁和擦洗，然后进行原子力显微镜 (AFM)、在 SICA 工具上实现的表面和体光致发光 (PL) 以及二次离子质谱 (SIMS)。结果我们报告了模拟和 SIMS 显示的铝注入后轮廓之间的出色一致性
海军部民事人力资源办公室（ochr）
公告编号 62588-317031-EA 职位名称 安全技术员，Ua-0019-05/04/03，或 Ua-0019-04/03，或 Ua-0019-03 薪资范围 Ua-05：每月 2,253.16 欧元 - 2,420.23 欧元，另加适用津贴 Ua-04：每月 2,363.11 欧元 - 2,615.31 欧元，另加适用津贴 Ua-03：每月 2,489.98 欧元 - 2,764.36 欧元，另加适用津贴 截止日期 2022 年 7 月 29 日 工作时间 全职 永久 工作地点 职业安全与健康办公室 (OSH)，美国海军支援活动公共安全部，意大利那不勒斯卡波迪基诺 备注 申请表已于 10 月 1 日起修订2021，任何先前的版本均不予考虑。候选人必须通过电子邮件以电子方式提交修订后的申请表至：HRO_NAPLES- LN_JOBS@eu.navy.mil。1. 提交申请前，请阅读本公告下一页的“填写求职申请表的说明”。2. 在电子邮件的主题行中，注明候选人的姓氏和名字以及职位空缺公告编号和职称（例如 ROSSI，MARIO，3049B-123456-EI，办公室自动化文员）。3. 作为就业条件，被选中者必须顺利通过就业前医疗适应性检查。4. 申请人必须能流利地读、写和说英语和意大利语。申请必须以英语提交。5. 该职位可由任何级别填补。如果在较低级别任职，在符合资格和资质要求并根据主管推荐的情况下，现任者可通过非竞争性方式晋升至下一个更高级别。谁可以申请永久和临时拨款 (APF) 和非拨款资金 (NAF) 当地国家雇员
CNRJ-N9-001-24.pdf - 横须贺空军基地空缺公告 - Navy.mil
6. 职责内容 职责 根据自己的判断筛选电话和访客，亲自处理大量不需要技术知识的信息请求，并在适当的时候巧妙地推荐其他人。 独立履行日常职责，包括但不限于维护 N9 主任的日历和为主任工作的所有主任（N91/N92/N93/N94）的日历，确保 Tasker 系统内的所有任务和作业都被接受、分配、跟踪和响应，每天向 N9 主任通报重要会议和截止日期，维护培训室和车辆使用日历，并完成任何其他分配的报告或职责。 根据 N9 主任的工作量和当前重要问题安排约会和会议。 协助 N9 主任设定完成项目目标的里程碑。 为其他调度员设置截止日期，以满足 N9 主任审查的截止日期。 为 Tasker 系统中收到的任务分配截止日期。与 N9 主任以及提供必要信息的任何人进行协调，以解决任何问题，例如事实正确性、报告准确性、日程安排冲突。协助制定纠正措施计划并根据需要对其进行监控。为 N9 主任维护记录和文件。键入信函、报告和其他材料。维护各种文件、法规手册和指令。接收和审查与行政人员相关的来信、指示和其他书面材料。阅读所有来信，确定适当的行动。审查外发信函报告，确保格式正确。提供来信、指示和报告的及时和有效处理。在预定时间为整个地区舰队和系列战备人员收取和递送官方邮件。以安全的方式处理或运输邮件，直到正确交付。准备采购申请表/文件以供批准，并在适当的情况下为该地区的所有 N9 代码下 APF/NAF 采购订单。可能会研究供应商发票与采购订单或供应商通知的核对中涉及的差异。特别な职务状况 杰出工作状况（如有）：N/A
对抗中国在欧洲的恶意影响
准备好的声明：彼得·拉夫 哈德逊研究所欧洲和欧亚中心高级研究员兼主任 在外交事务委员会欧洲小组委员会面前 美国众议院 2024 年 9 月 11 日 对抗中国在欧洲的恶意影响 基恩主席、基廷排名成员和小组委员会的尊敬成员： 感谢你们今天有机会在你们面前作证。我的名字是彼得·拉夫。我是哈德逊研究所欧洲和欧亚中心主任，在那里担任高级研究员。我在这次证词中表达的观点是我个人的观点，不应被视为代表哈德逊研究所的观点。欧洲为何重要 今天的听证会涉及对美国至关重要的问题。一个多世纪以前，现代地缘政治之父哈尔福德·麦金德创造了一个术语来描述我们称之为欧亚大陆的相互交错的大陆。他将欧亚大陆描述为世界岛。“谁统治世界岛，”麦金德假设，“谁就统治了世界。” 1 在那个世界岛上，欧洲是美国的前沿作战基地所在地，也是我们财富和繁荣的重要来源。美国在欧洲拥有数万名永久部署的军队，遍布基地网络，保障着世界上最重要的经济关系。2 2023 年，穿越北大西洋的货物量是美国与中华人民共和国 (PRC) 贸易量的两倍多。同年，美国公司向欧洲出售了近 5000 亿美元的商品。3 欧洲也是美国原油和液化天然气 (LNG) 的主要目的地。美国向欧洲输送的天然气是向亚洲输送的两倍。最重要的是，美国和欧洲通过外国直接投资 (FDI) 实现了一体化。4 美国 60% 以上的 FDI（4 万亿美元）在欧洲；事实上，美国在欧洲的 FDI 是在亚洲的 2 到 4 倍。就欧洲而言，它在美国的投资为 3.4 万亿美元，是亚洲投资者在美国投资的三倍多。5 1 H.J.Mackinder，《民主理想与现实》（纽约：亨利·霍尔特，1942 年），150。2 军事和国防部拨款基金 (APF) 文职人员人数数据，第 I 列，第 241 行，《劳动力报告和出版物》2024 年 6 月，美国国防部，https://dwp.dmdc.osd.mil/dwp/app/dod-data-reports/workforce-reports 。5 Hamilton 和 Quinlan，《跨大西洋经济 2024》。3 Daniel S. Hamilton 和 Joseph P. Quinlan，《2024 年跨大西洋经济：美国和欧洲之间的就业、贸易和投资年度调查》，（华盛顿特区：约翰霍普金斯大学，2024 年），第 4 卷 Hamilton 和 Quinlan，《2024 年跨大西洋经济》。
宽带隙器件特刊社论：设计、制造和应用
新兴的宽带隙 (WBG) 半导体有望推动全球产业发展，就如同 50 多年前硅 (Si) 芯片的发明推动了现代计算机时代的到来一样。基于 SiC 和 GaN 的器件正开始变得更加商业化。与同类的基于 Si 的元件相比，这些 WBG 器件更小、更快、更高效，在更严苛的操作条件下也能提供更高的可靠性。此外，在此框架下，一种新型微电子级半导体材料被创造出来，其带隙甚至比之前建立的宽带隙半导体（如 GaN 和 SiC）还要大，因此被称为“超宽带隙”材料。这些材料包括 AlGaN、AlN、金刚石和 BN 氧化物基材料，它们在理论上具有更优越的性能，包括更高的临界击穿场、更高的工作温度和潜在的更高辐射耐受性。这些特性反过来又使得革命性的新器件可用于极端环境成为可能，例如高效功率晶体管（因为巴利加品质因数有所提高）、超高压脉冲功率开关、高效 UV-LED、激光二极管和 RF 电子设备。本期特刊发表了 20 篇论文，重点关注基于宽带隙的器件：设计、制造和应用。三篇论文 [1-3] 涉及未来 5G 应用和其他高速高功率应用的 RF 功率电子设备。其中九篇论文 [4-12] 探讨了宽带隙高功率器件的各种设计。其余论文涵盖了基于宽带隙的各种应用，如用于提高 GaN 基光子发射器光子提取效率的 ZnO 纳米棒 [13]、InGaZnO 薄膜晶体管 [14]、宽带隙 WO3 薄膜 [15]、银纳米环 [16、17] 和 InGaN 激光二极管 [18-20]。特别是在 RF GaN 器件方面，Kuchta 等人 [1] 提出了一种基于 GaN 的功率放大器设计，该设计降低了透射率畸变。Lee 等人 [2] 展示了一种用于 2.5 至 6 GHz 干扰系统的紧凑型 20 W GaN 内部匹配功率放大器，它使用高介电常数基板、单层电容器和分流/串联电阻器实现低 Q 匹配和低频稳定。 Lin 等人 [3] 通过集成厚铜金属化层实现了 Ka 波段 8.2 W/mm 的高输出功率密度。关于 GaN 功率器件，Wu 等人 [4] 研究了一种双 AlGaN 势垒设计以实现增强模式特性。Ma 等人 [5] 介绍了一种使用 GaN 的数字控制 2 kVA 三相分流 APF 系统。Tajalli 等人 [6] 通过进行缓冲分解研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿的起源。可以确定每个缓冲层与垂直漏电和击穿电压相关的贡献。Sun 等人 [7] 研究了 GaN-on-Si 外延结构中垂直漏电和击穿电压的分布。[7] 提出了一种利用 TCAD 实现常关型 GaN HEMT 的新方法。该概念基于将栅极沟道方向从长水平方向转置为短垂直方向。Mao 等 [8] 在 IGBT 的集电极侧引入了一部分 p-polySi/p-SiC 异质结，以在不牺牲器件其他特性的情况下降低关断损耗。Kim 等 [9] 实现了 SiC 微加热器芯片作为下一代功率模块的新型热评估设备，并评估了其耐热性能。
Vdo 温度传感器数据表
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