传记教授丹芬·李(Danfeng Li)是物理系的相关教授,目前是香港城市大学科学学院研究与研究生教育副院长(Cityuhk)。Li教授获得了几项享有声望的奖项和认可,包括2023年的AAPPS-APCTP Chen-ning Yang奖,氧化物电子电子卓越研究奖,2024年,麻省理工学院技术评论35 Innovators 35 Innovators在2021年35岁以下的创新者(中国),以及Stanford的Stanford列表,以及Stanford的20223年和2023年的20224年。Li教授获得了他的B.Eng。 in jiang University和M.Phil。 来自香港理工大学(顾问:Ji-Yan Dai教授)。 获得博士学位后不久(2016年)在日内瓦大学量子物理学系(顾问:Jean-Marc Triscone教授),他与斯坦福大学一起担任瑞士国家科学基金会博士后研究员,与Harold Hwang教授一起工作。 他于2020年11月加入Cityuhk担任助理教授。Li教授获得了他的B.Eng。in jiang University和M.Phil。来自香港理工大学(顾问:Ji-Yan Dai教授)。 获得博士学位后不久(2016年)在日内瓦大学量子物理学系(顾问:Jean-Marc Triscone教授),他与斯坦福大学一起担任瑞士国家科学基金会博士后研究员,与Harold Hwang教授一起工作。 他于2020年11月加入Cityuhk担任助理教授。来自香港理工大学(顾问:Ji-Yan Dai教授)。获得博士学位后不久(2016年)在日内瓦大学量子物理学系(顾问:Jean-Marc Triscone教授),他与斯坦福大学一起担任瑞士国家科学基金会博士后研究员,与Harold Hwang教授一起工作。他于2020年11月加入Cityuhk担任助理教授。
摘要SI是最重要的半导体材料之一,因为它一直是现代电子产品的支柱。但是,由于Si是间接带隙的结果,因此它不广泛用于发光源,因为Si是效率低下的发射极。硅底物上III-V纳米结构的直接外延生长是在硅平台上实现光子设备的最有前途的候选者之一。III-V在Si上的整体整合的主要问题是高密度螺纹位错的形成。TDS的传播将导致IIII-V外部活性区域中非辐射重组中心的高比例。为了停止TD传播,已经应用并在本演示文稿中使用了不同的外延策略,例如INGA(AL)作为应变层,GE缓冲层和图案化的底物。作为零维的材料,量子点(QD)具有三维量子约束,它会产生三角函数,例如状态的密度。因此,III-V QD激光器具有较低的阈值电流,温度不敏感的操作以及对螺纹位错的敏感性较小,这是在III-V型激光器中形成活性区域的理想候选者。自2011年以来,在UCL的寿命和高功率上,已提出并开发了在SI和GE底物上生长的1300-nm INM/GAAS QD激光器。在本演讲中,将汇总在SI平台上单体生长的INAS/GAAS QD激光的开发里程碑,并且还将预测未来几年的潜在趋势。
对本网络研讨会中有关高级微电子研究和开发计划的问题的陈述和回答:•本质上是信息性的,确定的和初步的。•不构成承诺,也不对NIST或商务部具有约束力。•全力以赴地遵守NIST或商务部的任何最终行动。
奖项项目期限:五 (5) 年目标与目的:NAPMP 旨在推动美国在先进封装领域的领导地位,并提供美国封装制造所需的技术和熟练的劳动力。在十年内,NAPMP 资助的活动加上 CHIPS 制造激励措施将建立一个充满活力、自给自足、盈利的国内先进封装行业,在美国国内可以对美国和国外生产的先进节点芯片进行适当数量的封装,并通过领先的封装能力实现创新设计和架构。结合其他 CHIPS for America 教育和劳动力努力,NAPMP 资助的活动将培养国内封装行业成功所需的多元化和有能力的劳动力。该 NOFO 的目标是通过研发实现适合美国工业采用的创新型新型先进封装流程。符合条件的项目:该 NOFO 设想了五 (5) 个研发领域的项目:(1) 设备、工具、工艺和工艺集成;(2) 电力传输和热管理;(3) 连接器技术,包括光子学和射频; (4)Chiplets生态系统;(5)联合设计/EDA。
简历 Tae-Woo Lee 是韩国首尔国立大学材料科学与工程系的教授。他于 2002 年在韩国韩国科学技术院 (KAIST) 获得化学工程博士学位。他于 2002 年加入美国朗讯科技贝尔实验室担任博士后研究员,随后在三星高级技术学院担任研究人员 (2003-2008)。他曾担任韩国浦项科技大学 (POSTECH) 材料科学与工程系助理教授和副教授,直至 2016 年 8 月。他获得过许多宝贵的奖项。他是 280 篇论文的作者和合著者,论文发表在《Science》、《Nature》、《Nature Photonics》、《Nature Nanotechnology》、《Nature Biomedical Engineering》、《Science Advances》、《Nature Communications》、《Joule》、《PNAS》、《Energy and Environmental Science》和《Advanced Materials》等高影响力期刊上。他还是 423 项专利技术的发明人或共同发明人。他目前担任《Advanced Materials》(Wiley)、《FlatChem》(Elsevier)、《EcoMat》(Wiley)、《Chem & Bio Engineering》(ACS)、《Materials Today Electronics》(Elsevier)、《Nano Convergence》(Springer)和《Semiconductor Science and Technology》(IOP)等期刊的编委会成员,以及《Organic Electronics》(Elsevier)的副主编。他的研究重点是有机、有机-无机杂化钙钛矿和碳材料,以及它们在柔性电子、印刷电子、显示器、固态照明、太阳能转换设备和仿生神经形态设备中的应用。
用于研发的四个综合项目:1. 开展先进半导体技术的研究和原型设计;2. 加强半导体先进封装、组装和测试;3. 推动测量科学、标准、材料特性、仪器仪表、测试和制造方面的进步
抽象锂硫(LI-S)电池是最有希望的下一代高能密度二级电池之一。然而,在循环过程中,诸如航天飞机效应,缓慢的反应动力学和锂树突生长等问题所阻碍了它们的实际应用。本报告着重于高能密度LI-S电池所需的关键材料和设备设计。它通过检查催化剂表面的电子结构来提出了阴极催化剂的合理设计。具体而言,它引入了过渡金属催化剂的D轨道和锂多硫化物的P-轨道之间的杂交概念,这些锂多硫化物可以用作筛选Li-Scowers单原子催化剂的描述符。机器学习被用来开发一个可以有效筛选过渡金属化合物催化剂的二进制描述符,从而阐明了LI-S催化中的电子和结构效应。提出了一种普遍的策略来调整催化剂的旋转和轨道拓扑。该报告还探讨了LI-S电池催化剂中随时间推移的不同轨道杂交之间的过渡。为了解决锂树突的不受控制的生长以及相关的安全风险,在共同调节的质量和电荷运输下,Li-S阴极与阳极之间的耦合机制被揭露,从而指导电极结构的合理设计。提出了基于分层结构的人造固体电解质相(SEI)层,以稳定锂金属阳极并防止树突形成。另外,通过调整电解质的溶剂化结构,可以实现SEI层的分子级控制,从而导致锂金属阳极的稳定循环。建立在这个基础上,已经制定了制备高硫载电极的系统策略。该报告研究了LI-S完整细胞的构建,分析了关键技术和过程参数如何影响Li-S袋细胞的电荷分离和循环性能。优化这些参数后,小袋单元的能量密度超过400 WHkg⁻。
摘要 有机-无机杂化钙钛矿已迅速发展成为太阳能电池和 LED 的多功能半导体,其特性可通过成分和晶体结构修改进行调节。本次演讲将概述我们使用具有定制功能组的小分子控制钙钛矿尺寸和纳米结构的策略,从而开发出高度稳定和高效的准二维钙钛矿太阳能电池。我们还利用有机太阳能电池的界面工程技术来增强钙钛矿太阳能电池和有机/钙钛矿串联太阳能电池中的电荷收集和缺陷钝化。除了太阳能电池之外,我们的研究重点是用于照明、显示技术和可见光通信 (VLC) 的钙钛矿发光二极管 (PeLED)。对于绿色 PeLED,我们采用界面化学辅助原位生长具有超低陷阱密度的高质量钙钛矿薄膜,显着提高亮度、工作寿命和效率。在蓝色和白色 PeLED 中,我们使用自组装单层 (SAM) 来提高稳定性、效率和色纯度,并采用下转换方法获得高品质白光。这些进步凸显了钙钛矿材料在各种光电应用中的潜力,包括 VLC 和可能性激光。
iapmo,在加利福尼亚州安大略省的地热能系统和环境温度循环(ATL)的独立文档(2024年9月9日) - iAPMO®以及在佩斯大学(Pace University)的Elisabeth haub School(umcibore abointial abointial机构)中,AIAPMO®和气候中心(Uniber Oniber)已与Uniber Ofime(Uniber Oustrubite)同意,文档(IAPMO/UMC/第17-2024章),以满足地热区环境温度循环系统的可执行安全规定的需求。步伐向IAPMO提供了有关本文档的开发。区域环境温度回路是一个无尽的闭环系统,由集中式抽水组成,用于在循环上安装的多个热交换设备之间循环循环。无尽的循环可能在条件空间外运行,以提供多个结构和安装在其中的热交换设备。