摘要美国在太空探索和利用方面的领导能力可以通过使用根本不同的空间操作方法与当今存在的空间操作大大加速。当今的大多数航天器都被锁定在其启动配置中,几乎没有或根本无法在太空中更新或维修。但是,通过利用最新的和新兴的能力来制造,组装和服务航天器,我们可以显着提高空间系统的成本效益,生产力和弹性。为了实现这一目标,拜登 - 哈里斯管理局(Biden-Harris Administration)应启动新的高级太空架构计划(ASAP),以实现新一代的空间内操作。ASAP将根据公私财团模式运作,以利用政府投资,参与广泛的社区并获得国际合作伙伴的支持。在本备忘录中,我们提出了两个具体的任务,下一任政府可以尽早执行ASAP计划并证明其功效。尽快发起,将有助于新政府的使命更好地建立回归:对于我们的经济,科学和探索,以减轻气候危机以及为我们国家的安全方面的国际领导力。挑战和机会,除了国际空间站和哈勃太空望远镜的显着外,今天的航天器在其发射罩中紧密压实,载有他们将拥有的所有燃料和仪器,没有能力在其一生中补充或改进。如果遭到损害,我们可以恢复和修复高价值资产。限制我们的航天器设计要在地球上构建,以适合单一的发射罩,并且永远不会重新审视服务或改进的结果,从而使其变得精致,昂贵且僵化的系统。,但部分归功于地球到空间和空间运输和空间操作的新发展,我们现在拥有在太空中制造,组装和服务航天器的技术。这些新功能提供了大幅提高我们太空系统的成本,生产力和弹性的机会。我们可以在各种低成本的发射车上启动原材料和基本元素,作为商品项目,将转换为轨道上的最终物品,例如持续的平台,大型孔或燃料库。我们可以在太空中构建和运营非常大的结构,即无法从地球发射的结构,以实现无法想象的科学,探索,商业企业和国家安全的能力。我们可以将多元素空间系统重新配置为新的轨道和操作配置。所有这些可能性都在我们的技术掌握范围内。美国联邦政府可以通过创建空间运营,促进标准,在国际合作伙伴之间启动协调并为早期阶段的技术提供
技术缩放已大大增加,并且它改善了 VLSI 芯片的功率、性能和面积。最近,7 纳米 FinFET 技术广泛用于高性能处理器和片上系统。当今的最新工艺,例如 7 纳米技术节点,使用了许多“新”技术来提高其性能和 VLSI 芯片的密度。FinFET 现在是 CMOS 晶体管的常见结构。中段线路 (MOL) 被引入以连接前端线路层和后端线路 (BEOL) 层。MOL 和 BEOL 中的局部互连层使用 EUV 光刻来提高其可布线性和密度。另一方面,半全局互连层使用 193i 自异化双重图案 (SADP) 来平衡制造成本和密度。在开始电路设计之前了解 FinFET 工艺的特点非常重要,因为它与常规平面工艺有许多不同。使用“真实”工艺设计套件 (PDK) 非常昂贵,而且很难获得访问许可。因此,“可预测”的 PDK 对于 VLSI 教育和研究都非常重要。ASAP7 是针对 7 纳米技术节点的“可预测”PDK 之一,由亚利桑那州立大学与 ARM Ltd. 合作提供 [1]。它包括定制设计流程和自动化数字设计流程,因此学习最先进的 FinFET 工艺中的这些设计流程非常有用。但是,他们仅为 Cadence Innovus 提供用于布局布线 (P&R) 的技术文件。Innovus 是一种主要的 P&R EDA,然而,Synopsys IC Compiler 也是另一个主要的 P&R 工具。本文报告了使用 IC Compiler 进行 P&R 的 ASAP7 补充 PDK。此补充 PDK 包括 Synopsys StarRC 技术文件,用于实现寄生感知 P&R。此补充 PDK 旨在添加第二种选择
圣卢西亚的国家适应计划 (NAP) 被定义为一个为期十年的进程(2018-2028 年),包括八个关键部门/领域的优先跨部门和部门适应措施以及“适应极限”部分,并逐步补充优先部门/专题领域的适应战略和行动计划。适应行动的优先部门/专题领域包括:水;农业;渔业;基础设施和空间规划;自然资源管理/弹性生态系统(陆地、沿海和海洋);教育;卫生和旅游。其他关键部门/专题领域将通过周期性、迭代的 NAP 进程确定。圣卢西亚的 NAP 进程由可持续发展部 (DSD) 的可持续发展和环境司 (SDED) 牵头,目前设在教育、创新、性别关系和可持续发展部。NAP 进程受益于多个利益相关方的投入,包括公共、法定、学术和私营部门机构。事实上,这一进程涉及国家和非国家行为者,例如媒体人员,他们在帮助积极影响思维、塑造结果、改变行为和煽动各级民众行动方面发挥着重要作用。圣卢西亚的总体国家行动计划继续得到以下几份文件的补充: