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汽车高压电池管理系统 2-...
• 符合 AEC-Q100 汽车应用标准 – 温度等级 1：–40°C 至 +125°C，TA • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 文档可帮助 ISO26262 系统设计达到 ASIL C • 高度集成的引爆管驱动器设计，针对汽车 EV 火药保险丝应用 – 电源、电流调节、诊断和安全功能的集成 – SPI 或基于硬件引脚的触发，提供灵活的接口选项和快速的触发反应 – 诊断功能，用于系统能量储存器电容器和引爆管健康监测 – 内置自检和诊断功能，用于电源、接口、驱动器和监视器 – 通过冗余电源、低侧和高侧驱动器以及二次监视逻辑实现可靠运行的架构 • 高达 28V（绝对最大值 40V）的工作电压 • 紧凑型 HVSSOP-28（DGQ）引线封装 • 两线负载接口，带有受保护的电流控制高端和受保护的二次低端开关 • 集成电荷泵，可将 MOSFET 压降降至最低• 4 线、可寻址、24 位 SPI，带 CRC 保护 – 允许多个设备在同一个 SPI 上运行 – 允许向多个设备广播命令。 • 可配置部署电流（1.2A，2ms；1.75A，0.5ms；最高 3.4A，0.5ms） • 可配置部署接口选项 – 带 PWM 或电平信号的 2 针 HW 触发器 – 带 CRC 的受保护 SPI 命令 • 全面的关断状态诊断 – 设备内置自检 – 驱动器输出和开关测试 – 接口测试 – 储能电容器测试 – 爆管电阻测试 • 可配置故障指示器 (nFAULT)
脑部障碍物 - 带有双极的目标 -
1 FIDMAG医院姐妹2个上瘾的行为， 3西班牙巴塞罗那Cibersam； 4贝尼托·梅尼·卡斯姆（Benito Menni Casm），西班牙巴塞罗那； 5个私人基金会医院，西班牙女性的女性庇护所； 6西班牙巴塞罗那大学；西班牙巴塞罗那圣拉斐尔的7医院； 8医院圣心，西班牙马托雷尔； 9巴塞罗那大学，生物医学研究所，August Pi和Sunyer 10图像的诊断单位，研究基础，西班牙巴塞罗那的圣约翰医院；小组，生物医学研究所August Pi和Sunyer 12史诗）瑞典，瑞典
drv3233-q1汽车24/12-V电池3相门驱动器单元具有准确的电流感应和增强的诊断数据表（Rev. a）
•AEC-Q100有资格用于汽车申请 - 温度选项： - drv323333php：–40°C至 +150°C，T A - DRV3233QPHP（预览）：–40°C：–40°C至 +125°C， +125°C，t•功能安全系统 - 可实现的系统范围262 26226262226262222222. up to ASIL D targeted • Three phase half-bridge gate driver – Drives six N-channel MOSFETs (NMOS) – 4.5 to 60-V wide operating voltage range – Bootstrap architecture for high-side gate driver – Charge pump for 50mA average gate current – 100% PWM duty cycle support – Overdrive supply of external switches • Smart Gate Drive architecture – 45-level configurable peak gate drive current up to 1000 / 2000-mA (source / sink) – Three-step dynamic drive current control – Soft shutdown for power stage protection • Low-side Current Sense Amplifier – Sub-1 mV low input offset across temperature – 9-level adjustable gain • SPI-based detailed configuration and diagnostics • DRVOFF pin to disable driver independently • High voltage wake up pin (nSLEEP) • Multiple PWM interface options available – 6x, 3x, 1x PWM Modes – PWM over SPI • Supports 3.3-V, and 5-V Logic Inputs • Optional programmable OTP for reset settings • Advanced and configurable protection features – Battery and power supply voltage monitors – Phase feedback comparator – MOSFET V DS and R sense over current monitors – Analog Built-In-Self-Test, Clock monitors – Fault condition indicator pin
2022 年年度报告
2022年全球经济受到疫情、战争、通胀、加息、地缘政治等因素冲击，抑制市场需求，造成库存过剩。旺宏电子长期耕耘高质量应用市场，成效显著，有效缓解终端需求波动影响，逆势维持相对稳定表现，让旺宏电子营收维持高位，以优质服务与高质量维持产品价格。旺宏电子全年毛利率较上年(2021年)增加2.6%，表现不俗。面对经济下行、产业与客户库存调整等因素，旺宏电子紧随推出减产措施，控制库存水位，并转移资源加速技术开发，让旺宏电子在制程技术上抢占先机，进一步提升长期竞争力。 2022年营运表现如下：全年合并营业净额为新台币434.87亿元，全年合并毛利为新台币192.38亿元，全年平均毛利率提升至44.2%，税后净利为新台币89.7亿元，EPS为新台币4.85元。营业活动现金流入为新台币116.56亿元，投资活动现金流出为新台币103.39亿元，期末现金等价物为新台币197.64亿元，负债率降低至37.3%，每股账面值提升至新台币28.38元，股东权益回报率为18%。旺宏电子多年来致力创新研发，专利强化其与竞争对手的壁垒。以专利为例，旺宏电子2022年在各国申请专利共计240件，截至2022年底，旺宏电子全球专利数达8,894件，除专利数量位居半导体产业前列外，更在全球拥有大量优质关键技术及商业机密，这些对于维持公司竞争力，在全球非挥发性内存市场占据领先地位至关重要。去年(2022)，旺宏电子不仅荣获2022 EE Awards Asia 车用电子解决方案供应商殊荣，更连续第二年荣获年度最佳内存产品奖。此外，旺宏电子也于2023年入选LexisNexis全球百大创新者，这些肯定，都显示旺宏电子勇于创新，坚持产品改良，并有能力为客户创造增值应用，这也是旺宏电子能在众多竞争对手中脱颖而出的原因。在制程与产品开发方面，ROM在2022年占年营收的25%。NOR Flash 占年营收 55%，目前正向高附加值市场拓展，例如 256Mb 以上高密度产品占 NOR Flash 营收比重逐年提升，截至 2022 年已达 50%，并正加速开发全球首款超高密度 3D NOR Flash，有助拓展高容量 NOR 市场。此外，来自车用、工业、医疗、航太等优质应用领域的 Flash 产品营收已达 41%，将成为旺宏业务成长的最大推动力之一。车用应用领域营收较上年 (2021) 大幅增加 43%，位元出货量也创下历史新高，过去五年位元出货量年复合增长率达 30%，累计出货量突破 5.6 亿颗。 NAND Flash方面，全年营收占比11%，96层3D NAND Flash产品已于去年底(2022)开始量产，将逐步贡献营收，预计今年(2023)可完成192层3D NAND Flash产品的开发，并持续开发更高层数堆叠技术，满足客户更高容量产品的需求。随着数据中心、人工智能、车用市场、5G等快速发展，内存芯片的应用也愈加广泛，旺宏电子秉持研发技术、产能、严谨品管的精神，以及为客户提供高效能、高可靠度内存解决方案的承诺，获得多项优异的认证与肯定，例如Octaflash取得ISO 26262车用电子功能安全最高等级ASIL D认证，获得全球各大车用芯片厂的认可。而96层3D NAND Flash产品已于去年底(2022)开始量产，将逐步贡献营收，预计今年(2023)可完成192层3D NAND Flash产品的开发，并将持续发展更高层数堆叠技术，满足客户对更高容量产品的需求。随着数据中心、人工智能、车用市场及5G等快速发展，内存芯片的应用也愈加广泛，旺宏电子秉持研发技术精神、生产能力、严谨品管，以及提供客户高效能、高可靠度内存解决方案的承诺，并因此获得优异的认证与认可，例如Octaflash取得ISO 26262车用电子功能安全最高等级ASIL D认证，受到全球各大车用芯片厂认可。而96层3D NAND Flash产品已于去年底(2022)开始量产，将逐步贡献营收，预计今年(2023)可完成192层3D NAND Flash产品的开发，并将持续发展更高层数堆叠技术，满足客户对更高容量产品的需求。随着数据中心、人工智能、车用市场及5G等快速发展，内存芯片的应用也愈加广泛，旺宏电子秉持研发技术精神、生产能力、严谨品管，以及提供客户高效能、高可靠度内存解决方案的承诺，并因此获得优异的认证与认可，例如Octaflash取得ISO 26262车用电子功能安全最高等级ASIL D认证，受到全球各大车用芯片厂认可。
UCC5880-Q1 隔离式 20A 可调节栅极驱动 IGBT/SiC MOSFET 栅极驱动器，具有高级保护功能，适用于汽车应用数据表 (Rev. A)
• 具有实时可变驱动强度的双输出驱动器 – ±15A 和 ±5A 驱动电流输出 – 数字输入引脚 (GD*)，用于在没有 SPI 的情况下调整驱动强度 – 3 个电阻设置 R1、R2 或 R1||R2 – 集成 4A 有源米勒钳位或可选外部驱动器用于米勒钳位晶体管 • 初级侧和次级侧有源短路 (ASC) 支持 • 内部和外部电源的欠压和过压保护 • 驱动器芯片温度感应和过温保护 • 短路保护： – 对 DESAT 事件的响应时间为 110ns – DESAT 保护 – 最高 14V 的选择 – 基于分流电阻的短路 (SC) 和过流 (OC) 保护 – 可配置的保护阈值和消隐时间 – 可编程软关断 (STO) 和两级软关断 (2STO) 电流 • 集成 10 位 ADC – 能够测量电源开关温度、DC Link 电压、驱动器芯片温度、DESAT 引脚电压、VCC2 电压 –可编程数字比较器 • 高级 VCE/VDS 钳位电路 • 符合功能安全标准 – 专为功能安全应用而开发 – 提供文档以帮助符合 ASIL D 标准的 ISO 26262 系统设计 • 集成诊断： – 保护比较器的内置自检 (BIST) – 用于功率器件健康监测的栅极阈值电压测量 – INP 至晶体管栅极路径完整性 – 内部时钟监控 – 故障报警和警告输出 (nFLT*) – ISO 通信数据完整性检查 • 基于 SPI 的器件重新配置、验证、监控和诊断 • 150V/ns CMTI • 符合 AEC-Q100 标准，结果如下： – 器件温度等级 1：-40°C 至 +125°C 环境工作温度
Stmicroelectronics释放创新的卫星导航接收器，以使汽车和工业应用的精确定位
日内瓦，瑞士，2025年2月26日 - 全球半导体领导者Stmicroelectronics（NYSE：STM）在电子应用程序范围内为客户提供服务，它介绍了Teseo VI全球导航卫星系统（GNSS）的TESEO VI家族（GNSS）接收者的AIMED AIMED AIMET AIMET AIMET AIMET AIMET AIMET AIMET AIM AIM AIM EAMET AIM AIM AIM AIM置于优先位置。对于汽车行业来说，TESEO VI芯片和模块将是高级驾驶系统（ADA），智能车载系统以及自动驾驶等安全关键应用的核心组成部分。他们还旨在提高多个工业应用中的定位功能，包括资产跟踪器，用于家居运输的移动机器人，管理机械和智能农业中的机械监测，基本电台等定时系统等。“我们的新TESEO VI接收器在定位引擎之间取得了真正的突破：它们是第一个在单个模具中整合多构造和四频带信号处理的人；它们是第一个嵌入双臂®核心架构，可实现非常高的性能和ASIL级别的辅助和自动驾驶驾驶的安全。最后但并非最不重要的一点是，他们嵌入了ST的专有嵌入式非挥发性内存（PCM），从而为新的精确定位解决方案提供了一个非常集成，成本效益且可靠的平台，”卢卡·塞兰特（Luca Celant），数字音频和信号求解，stmicroelectronics。“ ST的新卫星游动接收器将支持汽车ADAS应用程序中令人兴奋的高级功能，并启用工业公司实施的许多新用例。” TESEO VI是市场上第一个将所有必要的系统元素集成到一个厘米精度中的所有必要系统元素，并支持同时进行多构造和Quad-Band操作。这项创新简化了最终用户导航和定位产品的开发，即使在诸如Urban Canyons之类的具有挑战性的条件下，也可以提高可靠性，并降低了材料清单成本。此外，单个芯片加速了上市时间，并允许紧凑而轻巧的形式。新的Teseo VI家族由精确定位的接收器芯片筹码数十年的经验，并整合了多种ST专有技术，包括精确定位和先进的嵌入式内存。
PB_MC33774A，18细胞电池的产品简介 -
• AEC-Q100 grade 1 qualified: -40 °C to 125 °C ambient temperature range • ISO 26262 ASIL D support for cell voltage and cell temperature measurements from the host microcontroller unit (MCU) to the cell • Cell voltage measurement – 4 to 18 cells per device – Supports bus bars voltage measurement with -3 V to +5 V input voltage – 16-bit resolution and up至±0.8 mV典型的测量准确性，具有超低的长期漂移 - 可配置的可配置数字滤波器•外部温度和辅助电压测量值 - 一个用于绝对测量的类似输入，5 V输入范围，八个类似物输入 - 可配置为绝对或级别的5 V输入范围 - 5 V toture cortional cortional coctip – 16 in tositial-5 mv典型级别 - 5 mv典型的计量 - 两个冗余内部温度传感器 - 电源电压 - 外部晶体管电流•电池电压平衡 - 18个内部平衡场效应晶体管（FET），最高360 mA峰，每个通道0.5ΩRdSON（typ）- 睡眠模式LP（60 µA typ。）- 深度睡眠模式ULP（15 µA typ。）- 支持所有通道同时使用自动奇数/偶数序列的被动平衡 - 全球平衡超时计时器 - 计时器控制的平衡与单个计时器，分辨率为10 s，持续时间长达45 h - 与全球和单个欠波阈值的电压控制平衡 - 温度控制平衡；如果平衡电阻器或IC处于过度的过时，则平衡被中断 - 可配置的脉冲宽度调节（PWM）占空比平衡平衡 - 在测量过程中与可配置的过滤器沉降时间进行平衡的自动暂停 - 可配置的定位时间 - 可配置的延迟到过渡到睡眠后平衡的启动 - 电池组的自动排放（紧急情况下），以补偿•恒定平衡•由于平衡•恒定平衡，因为•恒定平衡，因为平衡•由于平衡•由于平衡量，因为平衡•由于平衡•由于平衡•由于平衡量，因为平衡•由于平衡•由于平衡•由于平衡的变化，因为平衡• interface to control external devices, for example, EEPROMs and security ICs • Configurable alarm output • Cyclic wake-up to monitor the pack and the balancing function during sleep • Capability to wake up the host MCU via daisy chain in case of a fault event • Host interface supporting SPI or isolated daisy chain communication (TPL3) – 2 Mbit/s data rate for TPL interface – 4 Mbit/s data rate for SPI interface • TPL3 daisy chain通信支持 - 具有电容或电感隔离的两线雏菊链 - 协议支持多达六个雏菊链和每条链62个节点•具有动态地址的唯一设备ID•操作模式 - 活动模式FP（12 mA typ。）
如何高效训练你的人工智能代理？在异构平台上表征和评估深度强化学习
摘要 — 深度强化学习 (Dee p RL) 是自动驾驶汽车、机器人、监控等多个领域的一项关键技术。在深度强化学习中，使用深度神经网络或 KMO 德尔、ANA温柔地学习如何与环境互动以实现特定目标。深度强化学习算法架构的运行效率取决于若干因素，包括：( 1) 硬件架构对深度强化学习的基础内核和计算模式的适应性；( 2) 硬件架构的内存分层在通信层面的最小化能力； (3)硬件架构能够通过深度嵌套的高度不规则计算特性来隐藏深度强化学习算法中的开销引入。GP Us 一直是加速强化学习算法的流行方法，然而它们并不能最好地满足上述要求。最近的一些工作已经为特定的深度强化学习算法开发了高可定制加速器。然而，它们不能推广到所有可用的深度强化学习算法和 DNN 模型选择。在本文中，我们探索了开发现场框架的可能性，该框架可以加速各种深度强化学习算法，包括训练方法或 DNN 模型结构的变量。我们通过定义一个领域内特定的高级抽象或一类广泛使用的深度强化学习算法——基于策略的深度强化学习 (on-policy Deep R L) 来实现这个目标。此外，我们还对 CP U-GPU 和 CP U-FPGA 平台上最先进的基于策略的深度强化学习 (on-policy Deep R L) 算法的性能进行了系统分析。我们针对机器人和游戏这两个应用领域选择了两个代表性算法——PPO 和 A 2 C。我们展示了基于 FPG 的定制加速器，它们分别实现了高达 2.4 倍（PPO）和 8 倍（A 2 C）的训练速度提升，以及 1.7 倍（PPO）和 2.1 倍（A 2 C）的整体吞吐量提升。索引术语——强化学习、FPGA