XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemASML
2022 年下半年的 EUV 光刻胶筛选活动
EUV 光刻胶材料对于实现下一代光刻技术至关重要，该技术旨在实现 5 nm 以下节点的大批量制造 (HVM)。在本研究中，我们报告了 EUV 光刻胶的广泛性能表征，用于未来的高 NA EUV 光刻。我们在 Paul Scherrer 研究所和 ASML 合作的框架内，使用瑞士光源 (SLS) 的 EUV 干涉光刻工具研究了各种光刻胶的性能。本文介绍了 2022 年下半年开展的工作的主要成果。本研究考虑的重要性能特征是分辨率或半节距 (HP)、剂量与尺寸比 (DtS) 和线宽粗糙度 (LWR)。为了评估光刻胶的整体性能，我们使用了 Z 因子。我们研究了化学放大光刻胶 (CAR) 和非 CAR 材料。两家供应商的 CAR 实现了低至 11 nm 半节距的分辨率，而多触发光刻胶 (MTR) 达到了 13 nm 的分辨率。相比之下，MTR 由于其高灵敏度而表现出更好的 Z 因子值。此外，我们研究了底层对金属有机光刻胶 (MOR) 性能的影响。最后，我们讨论了近年来光刻胶性能的总体进展。我们观察到多个光刻胶平台的稳步改进，这对全球 EUV 光刻胶向高 NA EUVL 的发展是令人鼓舞的。
第 11 章 AKOUSTIS TECHNOLOGIES, INC. 等，1 起案件
ANSYS, Inc. Applied Materials, Inc. Aqua Sciences Inc. Armanino LLP Armanino Solutions LLC Art Semi LLC ASML US LLC ATLAS COPCO COMPRESSORS LLC Atlas Copco Compressors, LLC B. Riley Securities, Inc. BJ Muirhead Company Inc. Banner Industries Bayard, PA BDO USA LLC Bergmann Associates Boywic Farms, LLC Brex, Inc. Broadridge ICS Bruker AXS, LLC Cadence Design Systems, Inc. Cain-White & Company California Dept of Tax and Fee Admin Camtek USA, Inc. Canandaigua City School District Canandaigua-Farmington Water & Sewer Districts CASPIAN IT GROUP Chain Reaction Systems, Inc. Chemical Distributors Inc Chemical Strategies, Inc Chemical Strategies, Inc. ChemTreat, Inc. Chimera Integrations LLC Cintas Corporation Clark Tu-Cuong Nguyen Cleanpart East, LLC Colorado Microcircuits, Inc. Comairco Equipment, Inc. Comsol, Inc. Controlled Contamination Services, LLC Copper Mountain Technologies, LLC 康奈尔大学 Cornerstone Research, Inc. 公司服务公司 (CSC) Corvid Cyberdefense, LLC Coverall North America Inc.
半导体行业 2023 年第 22 页
人工智能将影响我们生活的各个方面。它在半导体制造中也发挥着越来越重要的作用。今年 5 月，在比利时安特卫普举行的由 imec 主办的 ITF World 大会上，NVIDIA 总裁、首席执行官兼董事会成员黄仁勋介绍了 NVIDIA 如何与台积电、ASML、应用材料 (AMAT)、D2S、IMS Nano Fabri- cation 和新思科技等公司合作，将人工智能引入芯片制造。黄仁勋表示：“第一波人工智能专注于计算机视觉和语音识别，已经实现了超越人类的能力，并在机器人、自动驾驶汽车和制造业开辟了数万亿美元的商机。先进的芯片制造需要一千多个步骤，要生产出生物分子大小的特征。要制造具有数千万亿个特征的芯片，每个步骤都必须近乎完美才能产生任何输出。每个阶段都会执行复杂的计算科学，以计算要图案化的特征并进行缺陷检测以进行在线工艺控制。芯片制造是 NVIDIA 加速计算和 AI 的理想应用。”黄仁勋表示，D2S 和 IMS Nano Fabrication 使用电子束构建掩模写入器，以在掩模上创建光刻胶图案。“Nvidia GPU 进行图案渲染和掩模工艺校正，”他说。台积电和 KLA 使用 EUV 和 DUV 照明进行掩模检查。“NVIDIA GPU 处理经典物理建模，
David Moreno Open Sky Communications 电话：+1-415-519 ...
关于 eBeam 计划 eBeam 计划为基于电子束 (eBeam) 技术的新型半导体制造方法的教育和推广活动提供了一个论坛。该计划的目标是降低采用门槛，使更多的集成电路 (IC) 设计能够启动并加快产品上市时间，同时增加整个半导体生态系统对 eBeam 技术的投资。 成员遍布整个半导体生态系统，包括：aBeam Technologies；Advantest；Alchip Technologies；AMD；AMTC；Applied Materials；Artwork Conversion；ASML；Cadence Design Systems；Canon；CEA-Leti；D 2 S；大日本印刷；EQUIcon Software GmbH Jena；ESOL；EUV Tech；Fractilia；Fraunhofer IPMS；FUJIFILM Corporation；富士通半导体有限公司；GenISys GmbH；GlobalFoundries (GF)；Grenon Consulting；日立高科技公司；HJL Lithography；HOLON CO., LTD；HOYA Corporation；IBM；imec；IMS CHIPS； IMS Nanofabrication AG；JEOL；KIOXIA；KLA；美光科技；Multibeam Corporation；NCS；NuFlare Technology；Petersen Advanced Lithography；Photronics；QY Mask；三星电子；中芯国际制造（上海）有限公司 (SMIC)；西门子 EDA；意法半导体；新思科技；TASMIT；东京电子有限公司 (TEL)；TOOL Corporation；凸版光掩模株式会社；UBC Microelectronics；Vistec Electron Beam GmbH 和蔡司。电子行业的所有公司和机构均可成为会员。如需了解更多信息，请访问 www.ebeam.org。
区域技术
资料来源：Gartner、DBS 深入研究终端市场 我们更进一步，通过对未来 12 个月 (NTM) 的一致收入预测，确定各个非 AI 参与者的复苏和/或衰退领域。我们认为，这对于那些接触多元化终端市场的公司尤其具有指导意义，这些市场的复苏阶段可能会有所不同。 设备制造商在 2025 年还有更多发展空间。我们认为，我们对设备制造商的积极预测——在我们的 2024 年展望中——在未来一年仍然有效。 预计设备制造商将在未来几个季度引领收入和盈利增长。 大多数设备制造商的复苏始于 2024 年，预计将延续到明年，市场预计 ASML、Lam Research 和 Tokyo Electron 等主要参与者将在未来一年取得更强劲的业绩。 我们报道的不同设备制造商都发现了两个关键的增长领域。首先，预计内存的强劲复苏将延续到未来几个季度，在高性能/带宽内存领域更是如此。其次，他们继续看到对“前沿”技术（即人工智能、逻辑芯片）的强劲需求，这进一步凸显了它们在整个半导体价值链中的重要性——因为更先进的芯片需要更好的设备和测试能力。在 2023 年大幅下滑之后，内存部门是首批复苏的部门之一。DRAM 和 NAND 的供需动态在 2023 年第四季度开始改善，DRAM 和 NAND 的充足水平均跌至平衡水平以下，表明需求已超过供应。预计 DRAM 的供应不足情况将持续到 2026 年，NAND 的供应不足情况将持续到 2025 年第四季度。
通过先进的过滤技术调节 EUV 光刻胶中的缺陷率
EUV 光刻技术是解决先进技术节点关键尺寸的主流技术，目前处于 18nm 及以下的范围内 [1]。EUVL 首次应用于制造领域，利用的是化学放大光刻胶 (CAR) [2]。在 ArF 和 ArF 浸没式光刻中，CAR 的过滤（无论是在本体还是在使用点 (POU)）已证明对减少微桥起着重要作用，主要是通过去除硬颗粒和凝胶 [3-6]。对于 ArFi，EUV 带来了新的挑战，不仅要达到所需的线条粗糙度、灵敏度和分辨率，还需要大幅减少线条塌陷、微桥和断线等缺陷。在这项研究中，它展示了利用新型 POU 过滤来调节微桥和实现卓越启动行为的能力，这两者对于实现大批量制造的 EUVL 都至关重要。在由 TEL CleanTrack LITHIUS Pro-Z 和 ASML NXE:3400B 组成的 imec EUV 集群上测试了不同的 POU 过滤器。通过测量冲洗溶剂体积与 19nm 大小的缺陷之间的函数关系来评估启动性能，结果表明可以快速达到稳定的基线。使用市售光刻胶进行的光刻实验旨在降低晶圆缺陷率，实验结果一致表明，在 16nm L/S 测试载体上，光刻胶显影后 (ADI) 和光刻胶蚀刻后 (AEI) 微桥显著减少。讨论了膜物理固有设计和新型清洁对 POU 设备的影响。关键词：EUV 光刻、微桥、POU 过滤
高NA光刻
euv抗材料在启用高量制造（HVM）的高级光刻技术方面起着至关重要的作用，该技术针对低于5 nm的节点。在这项研究中，我们报告了对未来高NA EUV光刻术的可用EUV光孔师的广泛性能表征。，我们使用Paul Scherrer Institute和ASML合作的框架内使用EUV干扰光源工具（SLS）在瑞士光源（SLS）上调查了各种抵抗的性能。本文强调了我们在2023年观察到的主要改进，并提出了最佳性能的6种不同供应商的半票（HP）14及以下。本研究中考虑的重要性能特征是分辨率或HP，剂量到大小（DTS）和线宽度粗糙度（LWR）。为了评估抵抗的整体绩效，我们使用了z因子。我们研究了化学放大的抵抗（CAR）和非车材料。来自两个供应商的汽车达到了一个低至11 nm的分辨率，而多触发器抵抗（MTR）达到了13 nm的分辨率。新的金属有机抗（MOR）的分辨率低至11 nm。MTR和一辆汽车材料达到了迄今为止最低的Z因子。此外，我们研究了卧式对MOR性能的影响，并将新MOR的性能与前身进行了比较。，我们最终讨论了近年来抵抗性能的总体进展。我们观察到了几个抗性平台的稳定改善，这对于全球EUV抗性向高NA EUVL的发展令人鼓舞。
光刻技术和机器的开发
ே[1]，可以通过缩短光源的波长，改善数值孔径Na并减少过程组合参数来实现光刻的分辨率比。duvl和euvl是光刻技术的两种主要类型。DUVL包括浸入式DUVL和干型DUVL。浸入式DUVL使用ARF作为其光源，其暴露波长为134nm。及其相应的Na为1.35。最先进的沉浸式DUVL可以在7NM技术模式下以及光刻方法的创新使用。将镜头和晶圆之间的空间浸入液体中。液体的反射指数大于1，因此激光的实际波长将大大减少。纯化的水是最常用的，反射指数为1.44。ASML生产了Twinscannxt：2000i在2018年，这是最新一代的Immersion Duvl。其光源的波长为193nm，它的分辨率比将其提高到38nm，并将线宽度降低到7〜5nm。它可用于产生300毫米晶圆。覆盖精度是两个光刻过程之间模式的注册准确性，该图案基于Pauta标准（3σ标准），并影响产品的产量，Twinscannxt：2000i的覆盖精度为1.9nm。它可以每小时生产275块晶圆。干型DUVL还使用ARF作为其照明源，波长仅限于193nm。，其Na为0.93。EUVL的波长仅为13.5nm，其Na为0.33。euvl在生产期间具有明显的优势，复杂性twinscannxt：1460k是最新一代的干duvl，在65nm技术模式下用于半导体市场的基本末端，可生产300毫米晶圆，具有205 WPH的生产率。euvl不需要多次曝光，它只能通过一次暴露才能实现精致的模式。
Impax国际可持续经济基金
市值 期末百分比 加权 P-XNIX 1,224,735,154.44 100.00 普通股 1,203,605,363.10 98.27 NOVARTIS AG-REG 33,392,319.21 2.73 ASTRAZENECA PLC 29,318,673.91 2.39 HSBC HOLDINGS PLC 28,061,025.25 2.29 SCHNEIDER ELECTRIC SE 27,715,018.40 2.26 IBERDROLA SA 24,803,188.15 2.03 NOVO NORDISK A/SB 24,612,916.43 2.01 ASML HOLDING NV 24,584,650.11 2.01 日立有限公司 22,968,129.81 1.88 RELX PLC 22,580,753.10 1.84 法国巴黎银行 21,851,947.17 1.78 ABB LTD-REG 21,670,362.73 1.77 英飞凌科技股份公司 20,367,947.83 1.66 KDDI CORP 19,895,286.03 1.62 忠利集团 19,417,122.72 1.59 劳埃德银行集团 PLC 19,362,247.01 1.58 诺基亚 OYJ 19,173,597.38 1.57 富士通有限公司 18,232,823.74 1.49 CSL 有限公司 18,121,692.27 1.48 默克集团 17,970,684.55 1.47 友邦保险集团有限公司 17,516,554.23 1.43 软银公司 17,468,773.78 1.43 瑞士再保险公司 17,425,561.15 1.42 东京电子有限公司 15,682,160.36 1.28 ARISTOCRAT LEISURE 有限公司 15,664,681.75 1.28 QBE 保险集团有限公司 15,480,007.93 1.26 慕尼黑 RUECKVER AG-REG 15,441,216.98 1.26 DASSAULT SYSTEMES SE 15,369,405.42 1.25 SONOVA HOLDING AG-REG 15,341,864.57 1.25 CARREFOUR SA 14,997,681.83 1.22 SOFTBANK GROUP CORP 14,892,383.07 1.22 UNITED OVERSEAS BANK LTD 14,447,313.44 1.18 NATIONAL GRID PLC 13,535,446.86 1.11 NEC CORP 13,130,690.42 1.07 CREDIT AGRICOLE SA 12,993,355.75 1.06 ANZ GROUP HOLDINGS LTD 12,807,228.65 1.05 ORIX CORP 12,187,693.29 1.00 KONINKLIJKE AHOLD DELHAIZE N 11,793,771.34 0.96 DAIICHI SANKYO CO LTD 11,567,485.84 0.94 TESCO PLC 10,868,090.97 0.89 海德堡材料股份公司 10,831,409.53 0.88 阿特拉斯·科普柯 AB-A SHS 10,465,885.09 0.85 德国商业银行股份公司 10,301,223.04 0.84
导航供应链弹性和贸易
半导体行业是全球技术环境的核心支柱，促进了无数的电子设备的功能，这些电子设备已成为现代生活不可或缺的一部分。通常称为集成电路或芯片的关键组件是手机，计算机，医疗保健技术，军事防御技术，AI组件和高级无线网络的各种应用程序的基础。拥有超过1000亿个结合半导体的设备，其无处不在，强调了它们在推动全球价值链和技术进步方面的关键意义（SIA，2023年）。具有高度复杂的网络的半导体供应链功能。供应链始于研发，新技术和设备的开创性是生产较小的芯片和更密集的电路。供应链的第二个要素是设计组件，然后在特殊设施中生产的质量。这些活动包括供应链的前端。供应链的后端涉及芯片的专业组件，包装和测试，然后将其发送到电路板上和用于设备的设备中（Varas等，2021）。供应链中高度专业化的流程也得到了复杂的机械的支持，复杂的机械本身具有庞大的供应商网络和成千上万的组件。可以在最小芯片上进行蚀刻设计的极端紫外线光刻（EUV）机器由“ 100,000个零件，3,000条电缆，40,000杆螺栓和两公里的水管组成”（Thompson，2021年）。更重要的是，它只能由一家公司的ASML在荷兰制造。半导体供应链涉及高水平的复杂性，但至关依赖于生产的特定节点或扼流圈。当大流行造成全球碎屑供应时，决策者意识到他们并没有跟上与这个复杂和全球化网络相关的风险。供应链还面临着美国和中国之间贸易紧张局势的挑战。这两个因素促使对基于风险的供应链重新评估，