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非线性不对称成像与藻类元表 - 虹膜
摘要：如今，电介质元面是一个有前途的平台，在许多不同的研究领域，例如传感，激光，全光调制和非线性光学器件。在所有不同类型的薄结构中，不对称的几何形状最近引起了人们的兴趣越来越高。尤其是，跨膜中的非线性光 - 物质相互作用构成了实现对光的微型控制的有效方法。在这里，我们通过第二次谐波生成在介电上表面上展示了非线性不对称产生。通过反转泵的照明方向，非线性发射功率由多个数量级调节。此外，我们演示了正确设计的元表面如何在逆转照明方向时在第二个谐波上产生两个完全不同的图像。我们的结果可能会为实现紧凑型纳米光量设备的重要机会铺平道路，以通过密集整合众多非线性谐振器来对应用进行成像。
非线性 AlGaAs 芯片中光量子态的产生：工程与应用
量子技术让我们能够利用量子力学定律来完成通信、计算、模拟、传感和计量等任务。随着第二次量子革命的进行，我们期望看到第一批新型量子设备凭借其优越的性能取代传统设备。人们强烈要求将量子技术从基础研究转变为可广泛使用的标准。量子通信通过量子密钥分发保证了绝对安全的未来；量子模拟器和计算机可以在几秒钟内完成计算，而世界上最强大的超级计算机则需要几十年的时间；量子技术使先进的医学成像技术成为可能。还可能会出现我们目前无法预料的进一步应用。全球市场已经意识到量子技术的巨大潜力。作为该领域的先驱，Menlo Systems 为这些新挑战提供了商业解决方案。光子学和量子物理学之间的联系是显而易见的。量子模拟和计算使用冷原子和离子作为量子比特，世界各地的实验室都在此类实验中使用光学频率梳和超稳定激光器。量子通信通常依赖于单光子，这些光子由近红外 (-IR) 光谱范围内精确同步的飞秒激光脉冲产生。量子传感和计量需要频率梳和激光技术具有最高的稳定性和准确性。值得一提的是，光学原子钟正在取代国际单位制 (SI) 中秒的当前定义。
非线性藻类芯片中光量子状态的产生：工程和应用
量子技术使我们能够利用量子力学定律来进行诸如通信，计算，计算或传感和计量学等任务。随着第二次量子革命的持续，我们希望看到第一个新颖的量子设备因其出色的性能而取代经典的DECECES。从基础研究到广泛可访问的标准有很大的动力来形成量子技术。量子通讯承诺通过量子密钥分布具有绝对安全性的未来；量子模拟器和计算机可以在几秒钟内执行计算，其中世界上最强大的超级武器需要数十年的时间；量子技术实现了高级的成像技术。可能会出现进一步的申请。全球市场已经意识到了量子技术的巨大潜力。Menlo Systems是该领域的先驱，为这些新型挑战提供了商业解决方案。光子学与量子物理学之间的联系很明显。量子模拟和计算在这些类型的实验中使用冷原子和离子作为Qubits，实验室全球使用光学频率梳子和超稳定激光器。量子通信通常依赖于单个光子，这些光子是在近红外（-IR）光谱范围内精确同步飞秒激光脉冲产生的。量子传感和计量学需要频率梳和激光技术的最高稳定性和准确性。和 - 值得突出显示的应用程序 - 正在替换国际单位系统（SI）中第二个定义的光原子时钟。
GaAs/AlGaAs 核壳纳米线中 GaAs 近带边跃迁的增强光学吸收：对纳米线太阳能电池的影响
摘要：密集的核-壳纳米线阵列具有作为超吸收介质用于制造高效太阳能电池的巨大潜力。通过对室温光反射 (PR) 光谱的详细线形分析，采用 GaAs 复介电函数的一阶导数高斯和洛伦兹模型，我们报告了具有不同壳厚度的独立 GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线的 GaAs 近带边吸收特性。纳米线 PR 光谱的线形分析返回了能量在 1.410 和 1.422 eV 之间的双重共振线，这归因于 GaAs 纳米线芯中的应变分裂重空穴和轻空穴激子吸收跃迁。通过对 PR 特征的 Lorentzian 分析评估的激子共振光振荡器强度表明，与参考平面结构相比，纳米线中的 GaAs 带边光吸收显著增强（高达 30 倍）。此外，将积分 Lorentzian 模量的值归一化为每个纳米线集合内的总 GaAs 核体积填充率（相对于相同高度的平面层估计在 0.5-7.0% 范围内），从而首次实现了 GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线的 GaAs 近带边吸收增强因子的实验估计，该因子在 22-190 范围内，具体取决于纳米线内核-壳结构。如此强的吸收增强归因于周围的 AlGaAs 壳（在目前的纳米结构中，其平均厚度估计在 ∼ 14 到 100 纳米之间）对入射光进入 GaAs 核的波导改善。关键词：III-V 化合物、GaAs-AlGaAs 核-壳纳米线、光反射光谱、近带边跃迁、增强光吸收、纳米线太阳能电池■简介
2024_BCICTS-高级计划草案-08.14.JP_MDR.pdf
摘要：单晶半导体衬底上的外延和薄膜形成工艺直接实现了各种复杂的 III-V 异质结器件设计，因此决定了最终的电子或光电器件性能。III-V 异质结不仅包括结上掺杂剂种类变化的概念，更重要的是，还包括半导体晶体的变化，从而区分了 III-V 器件设计选项以及与硅基器件相比的伴随性能优势。最早的商业化实例是 AlGaAs/GaAs 结，它利用能带隙差异来设计电荷载流子限制。GaAs 的带隙比 AlGaAs 窄，并且可以通过精确控制 Al 的成分来“调整”AlGaAs 的带隙。数十年的研究已经导致整个半导体光谱中 III-V 异质结化合物的开发；元素周期表的 III 列中的 B、Al、Ga 和 In，以及 V 列中的 N、P、As 和 Sb。该演讲将深入探讨 III-V 外延和薄膜沉积技术、关键工艺考虑因素、异质结挑战和局限性等主题，并提供对未来机遇的看法。
改进了基于Algainp的红色（670–690 nm）表面 -
Algainp材料技术在过去几年中一直在稳步发展，从而导致高性能的边缘发射激光〜EEL！1和红色的垂直腔表面发射激光器〜VCSEL！。2,3相对于Algainp系统，藻类受益于改进的指数对比度，降低的电阻和热电阻率，更成熟的加工技术，以及将碳用作p-型掺杂剂的能力，以实现出色的掺杂剂控制和稳定性。4然而，将基于ALGAINP的活性区与基于C的基于藻类的DBR集成是通过较差的载流子转运到AlgaInp活性区域的困难，并且无法将C用于Algainp合金中的P进行P。先前关于Algainp/ Algaas异质结构激光二极管的报道已在连接处的P侧使用Zn或Mg掺杂，以改善孔注射，5,6消除了使用藻类使用的潜在关键优势，并进一步使穿着物质扩散特征复杂化。7,8此类困难导致实施相对较厚〜8 L！红色VCSELS中的光腔6
JIEJIE MICROELECTRONICS CO. , Ltd
3 描述 TD101X 系列结合了 AlGaAs 红外发光二极管作为发射器，该发射器与硅平面光电晶体管探测器光耦合，采用塑料 LSOP4 封装。凭借坚固的共面双模结构，TD101X 系列提供了最稳定的隔离功能。特点
![arXiv:2408.08423v1 [physics.app-ph] 2024 年 8 月 15 日](/simg/f\f83e84219529048324e91468c0168dfca898da3f.png)
arXiv:2408.08423v1 [physics.app-ph] 2024 年 8 月 15 日
最近，人们研究了从二维介质和单电子转移形成单光子源的可能性 [1–4]。其想法是通过 pn 结以受控方式注入电子，从而根据需要确定性地产生单光子脉冲。横向 pn 结可由毗邻二维空穴气区域的二维电子气区域形成。电子在穿过 pn 结后与 p 型区域的空穴复合时发生单光子发射 [4]。人们在 III-V 半导体异质结构（特别是 GaAs/AlGaAs 系统）中对不同类型的横向 pn 结器件进行了多项研究。在聚焦离子分子束外延法中，两个相邻区域选择性地掺杂 Si 和 Be，以创建 n 型区域和 p 型区域 [5]。在面再生长法中，p 型和 n 型区域都是通过掺杂在 GaAs 表面不同面上的 Si 来创建的 [6, 7]。Cecchini 等人通过蚀刻掉部分 Be 掺杂的 AlGaAs 并形成 n 型 Au-GeNi 接触，从 p 型衬底形成了横向 pn 结。[8–10]。Dai 等人使用两个感应栅极来形成二维电子和空穴气体 [11, 12]。Helgers 等人使用 GaAs 衬底上的量子线作为通道，利用表面声波传输光激发电子和空穴 [13]。在其他类型的材料系统中也可以形成横向 pn 结，