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使用雾化 CVD 面对面加热板制备 Ga2O3 薄膜
摘要：本文研究了利用廉价的细通道雾化CVD面对面加热板在c面蓝宝石衬底上生长α-Ga2O3薄膜的方法。由于高温会导致反应器变形，传统的细通道雾化CVD设备采用价格昂贵的抗变形AlN陶瓷作为反应器制作材料，限制了其推广和研究。本文采用面对面加热方式替代传统的单面加热方式，降低了对设备密封性的要求，因此可以用廉价的石英代替昂贵的AlN陶瓷制作反应器，大大降低雾化CVD设备的成本。研究了衬底温度和载气对α-Ga2O3薄膜晶体质量和表面形貌的影响。通过优化制作条件，获得了三角形晶粒，其边缘在原子力显微镜图像中清晰可见。通过吸收光谱分析，我们还发现该薄膜的光学带隙达到了5.24 eV。最后，我们在X射线衍射图中记录到了α-Ga 2 O 3 (0006)衍射峰的半峰全宽值为508角秒。
通过植入和热退火在氮化铝中制造量子发射器
宽带盖材料中的单光子发射器（SPE）代表了一个吸引人的平台，用于开发在室温下运行的单光子源。III组二硝酸盐先前已被证明具有有效的SPE，这些SPE归因于材料的大带隙内的深度能级，其构型与钻石的广泛研究的颜色中心相似。最近已经证明了氮和氮化铝（ALN）内的缺陷中心的抗束发射。由于III-硝酸盐与洁净室过程的兼容性，这种缺陷的性质和形成它们的最佳条件尚未完全理解，虽然特别有趣。 在这里，我们通过热退火和共聚焦显微镜测量的亚分步上研究了商业Aln Epilayer上的Al植入。 我们观察到发射器的密度的依赖性依赖性增加，从而导致在最大植入量的情况下创建合奏。 在600℃下退火导致SPES形成最大的最佳产量，而在较低的静电液处则观察到SPE密度的显着降低。 这些发现表明，空缺形成的机制在固体状态下SPE的缺陷工程中的发射器和开放诱人的观点中起着关键作用。虽然特别有趣。在这里，我们通过热退火和共聚焦显微镜测量的亚分步上研究了商业Aln Epilayer上的Al植入。我们观察到发射器的密度的依赖性依赖性增加，从而导致在最大植入量的情况下创建合奏。在600℃下退火导致SPES形成最大的最佳产量，而在较低的静电液处则观察到SPE密度的显着降低。这些发现表明，空缺形成的机制在固体状态下SPE的缺陷工程中的发射器和开放诱人的观点中起着关键作用。
支持信息 用于纳米图案化的自刷
8. Mazur, MM；Pianaro, SA；Portella, KF；Mengarda, P.；Bragança, MDOGP；Ribeiro Junior, S.；Santos de Melo, JS；Cerqueira, DP，使用脉冲直流磁控溅射在陶瓷电绝缘体上沉积并表征 AlN 薄膜。表面与涂层技术 2015，284，247-251。https://doi.org/10.1016/j.surfcoat.2015.06.082。
汽车电力电子的热机械可靠性方面：现状和未来趋势
— 键合过程中铜 (Cu) 箔的氧化会使熔化温度从 1,083°C 降低到 1,065°C — 最大金属化厚度为 1 毫米 — 陶瓷的两侧都必须有金属化层 — 例如氧化铝 (Al 2 O 3 )、氮化铝 (AlN) 和氧化锆 (ZrO 2 ) 掺杂的高性能基板 (HPS)。 o 活性金属键合 (AMB)
已发表版本的引用（APA）：Takahashi, M., Jørgensen, JK, Jørgensen, AB, Munk-Nielsen, S., & Uhrenfeldt, C. (2023)。热循环失败
摘要 — 如果可以在 3D 模型上评估模块的结构弱点，则无需物理原型即可对电源模块进行可靠性结构优化。在本研究中，研究了 3D 热应力模拟作为中压电源模块热循环测试 (HCT) 故障点的预测工具。该模块具有两种不同陶瓷（Al2O3 和 AlN）的多层结构，以减少寄生电容。在这个结构复杂的模块中，实际测试样品的故障点与 3D 模拟中的热机械应力的弱点相重合。热循环测试（125/-40°C）用于模拟和测试。模块的故障点主要是 HCT 100 次循环后铜从 AlN 基板表面剥离。剥离位置与模拟中的点相匹配，模拟结果具有两个特征，即高剥离应力点和铜图案的高形状变形。这一观察结果适用于仅与陶瓷连接的铜图案，而与其他相邻层连接的铜图案则不遵循这一趋势。索引术语 —10kV SiC-MOSFET 功率模块、热循环、3D 建模、有限元方法、热机械应力
基于 AlScN 压电微机械超声波换能器的无线功率传输能量收集装置
摘要：超声波无线能量传输技术（UWPT）是植入式医疗设备（IMD）供电的关键技术。近年来，氮化铝（AlN）由于其生物相容性和与互补金属氧化物半导体（CMOS）技术的兼容性而备受关注。同时，钪掺杂氮化铝（Al 90.4％Sc 9.6％N）的集成是解决AlN材料在接收和传输能力方面的灵敏度限制的有效解决方案。本研究重点开发基于AlScN压电微机电换能器（PMUT）的微型化UWPT接收器装置。所提出的接收器具有2.8×2.8 mm 2的PMUT阵列，由13×13个方形元件组成。采用声学匹配凝胶，解决液体环境下声阻抗不匹配问题。在去离子水中的实验评估表明，电能传输效率（PTE）高达2.33%。后端信号处理电路包括倍压整流、储能、稳压转换部分，可有效将产生的交流信号转换为稳定的3.3V直流电压输出，成功点亮商用LED。这项研究扩展了无线充电应用的范围，为未来实现将所有系统组件集成到单个芯片中，进一步实现设备小型化铺平了道路。
使用表面贴装功率器件处理热量
对于高功率应用，例如电动汽车 (EV) 车载和非车载电池充电器，使用热通孔散热并不切实际，因为对热阻抗的影响有限。由于 IMS 方法也已被排除在此类应用之外（虽然单面 PCB 设计可能存在可靠性问题，因为它们需要控制信号通过连接器从另一个 PCB 发出，但多层设计的更奇特的解决方法会增加复杂性和制造成本），因此我们研究了 AlN 方法。
单光子发射器向量子技术迈进了一步
研究人员表示：“GaN/AlN 量子点的一个非常吸引人的特征是它们属于 III 族氮化物半导体家族，即固态照明革命（蓝色和白色 LED）背后的家族，其重要性在 2014 年获得了诺贝尔物理学奖。”“如今，就消费市场而言，它是仅次于硅的第二大半导体家族，主导着微电子行业。因此，III 族氮化物受益于坚实而成熟的技术平台，这使得它们在量子应用开发中具有很高的潜在价值。”
p-SiC® 固体 SiC CVD 纯化等静压石墨多孔...
在通常称为升华生长的物理气相传输 (PVT) 中，保持在特定温度下的源材料会升华，其蒸气通过扩散和对流传输到保持在较低温度下的籽晶，在那里可以结晶。碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN)、氮化铝 (AlN)、氧化锌 (ZnO) 和其他材料作为下一代功率器件引起了人们的关注。这些单晶制造工艺涉及高温和恶劣环境，使用氨和氯化氢等腐蚀性气体。