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更多的营养和更少的排放
虽然对系统的治疗负担很大，但Mal Nutrition对一个受欢迎的人以及他们的家人和通讯都有一定的态度。m aln utritio n al al al ncludes在医学专业中，将其视为“隐藏的h unge r”。一个人可以吃足够多的卡路里，甚至将其分类为肥胖，但仍然没有足够的合适营养成分来保持健康。这恰好是很小的孩子，它打断了他们身体和BR ains的正常生长和发展。当成人和老年人发生时，它会增加其慢性疾病的风险，可能导致uscle无力并降低骨矿物质密度并降低其整体健康状况。没有一个国家免于隐藏的饥饿感。
CMOS兼容，基于ALSCN的集成电光相变
摘要：集成光子设备的商业生产受所需材料平台的可扩展性的限制。我们探索了一个相对较新的光子构造ALSCN，因为它在电形相移和调制中的使用。其CMOS兼容性可以促进集成光子调节剂的大规模产生，并且与固有的ALN相比，它表现出增强的二阶光学非线性，表明有效调节的可能性。在这里，我们测量了0.80 SC 0.20 N基相位变速器中的电磁效应。我们利用了TM0模式，允许使用R 33电磁系数，并在750 V cm左右证明了V𝜋L。由于电位响应比预期的要小，因此我们讨论了基于ALSCN的光子学的响应减少和未来前景的潜力原因。
体声波滤波器设计的通用程序
I. 引言 如今，体声波 (BAW) 器件已用于要求高集成度和高性能的现代通信系统。基于氮化铝 (AlN) 或氧化锌 (ZnO) 等的 BAW 器件已得到广泛研究，该技术现已成为集成高达数 GHz 的本振和滤波器等窄带元件 (5%) 的有效替代方案 [1–4]。为了扩展 BAW 技术的应用，其他压电材料也受到研究，并被视为实现宽带元件的有希望的解决方案。本文提出了一种可应用于窄带和宽带带通滤波器设计的程序。该设计程序基于 BAW 谐振器的集总元件模型的优化，该模型与技术参数直接相关。本文讨论了所提方法的背景，即有效性，并选择了两个示例进行说明。第一个例子是为 UMTS 通信设计的窄带（3%）带通滤波器 [5]。第二个
使用接近索引匹配的固体浸入透镜
半导体材料中的颜色中心是非经典光子状态的有前途的来源。由于它们的局部能级嵌入了宿主的大块电子带隙内，因此它们将单个原子的光学特性与固态环境的scal骨结合在一起。的确，宽带半导体中的中间隙能级产生的增强的电子配置可以在室温及以上启用单个光子发射。1已经发现了许多这样的颜色中心，包括在钻石中，1-8碳化硅（SIC），9,10氮化铝（ALN），11枚硝酸盐（GAN），12-14和六边形的硝酸盐（H- BN）。15这些颜色中心的发现导致了量子技术的令人印象深刻的恶魔，包括纳米级磁性感应，4纳米级量子量子温度计，16个量子中继器，17
使用陶瓷多层的3D功能推进包装解决方案
基于LTCC的包装解决方案与其他主要包装材料相比，提供了一些广告。，它们的可靠性从有机多层人士而异，从氧化铝和ALN厚膜技术通过更大程度的微型化，HTCC的功能性和可用性原因以及来自Silicon的生产运行和工具的成本。与有机技术相比， LTCC提供了出色的可靠性性能。 因此，X/ Y中的FRX材料的高CTE导致热循环和冲击过程中疲劳通常是不使用FRX的原因。 还吸收湿度，明显的衰老和低机械强度或寄生虫和较大的损失切线会激发人们要求替代材料是否需要更好的特性。 另一方面，它们只是整体半导体整合的开发成本的一小部分。LTCC提供了出色的可靠性性能。因此，X/ Y中的FRX材料的高CTE导致热循环和冲击过程中疲劳通常是不使用FRX的原因。还吸收湿度，明显的衰老和低机械强度或寄生虫和较大的损失切线会激发人们要求替代材料是否需要更好的特性。另一方面，它们只是整体半导体整合的开发成本的一小部分。
磁控溅射锆钛酸铅（PZT）薄膜涂层的制备、微观结构与性能
摘要：与化学计量简单的氮化铝 (AlN) 相比，锆钛酸铅薄膜 (PZT) 具有优异的压电和介电性能，是先进微机电系统 (MEMS) 器件中另一种有希望的候选材料。大面积 PZT 薄膜的制造具有挑战性，但需求迫切。因此，有必要建立合成参数与特定性能之间的关系。与溶胶-凝胶和脉冲激光沉积技术相比，本综述重点介绍了磁控溅射技术，因为它具有高度的可行性和可控性。在本文中，我们概述了 PZT 薄膜的微观结构特征、合成参数（如基底、沉积温度、气体气氛和退火温度等）和功能特性（如介电、压电和铁电等）。本综述特别强调了这些影响因素的依赖性，为研究人员通过磁控溅射技术获取具有预期性能的PZT薄膜提供实验指导。
杂化填料聚合物的热性能研究
摘要：聚合物因其易于加工、重量轻、绝缘性优异以及机械性能好而被广泛应用于电子封装领域。对散热管理材料的需求日益增长。然而，大规模连续生产薄型高导热聚合物复合材料仍然具有挑战性，尤其是需要控制填料的填充量。在本文中，我们揭示了一种轻松有效的提高导热率的方法，即使用混合填料稻壳（RH）和氮化铝（AlN）与环氧树脂，通过手工铺层技术制成，重量从 30% 到 40% 不等，比例不同（1:1、1:3 和 3:1 wt.%）在当前的研究中被考虑。使用李氏圆盘法测定热导率等热特性。使用热机械分析仪（TMA）通过在氮气下随温度变化来确定热膨胀系数（CTE）和玻璃化转变温度（Tg）。在扫描电子显微镜（SEM）下研究了混杂复合材料的分子结构和外围形貌分析以及与环氧树脂的相互作用。
铁疗法：高流动和高速全外ALSCN/gan铁电晶体管
摘要 - 我们报告了ALSCN屏障宽带氮化物晶体管中铁电盖的首次观察。通过直接外观生长生长所实现的这些铁热型装置，其中一类新的铁电晶体管本身是极性的，其中半导体是极性的，并且结晶铁电屏障与底物搭配。迄今为止，此处报道的铁热室使用最薄的氮化物高和铁电屏障，以在4 A/mm处提供最高的电流，以及在任何铁电晶体管中观察到的最高速度ALSCN晶体管。ferrohemts hysteric i d-v gs环，阈值斜率低于玻尔兹曼的极限。对照ALN屏障Hemt既不表现出滞后，也不表现出子螺栓行为。这些结果将第一个外延高K和铁电屏障技术引入了RF和MM-Wave电子设备，但它们也引起了人们的兴趣，它是将数字电子中记忆和逻辑功能相结合的新材料平台。
通过溅射钾钠钠
This work presents an air-coupled piezoelectric micromachined ultrasonic transducer (pMUT) with high transmitting acoustic pressure by using sputtered potassium sodium niobate (K,Na)NbO 3 (KNN) thin film with a high piezoelectric coefficient (e 31 ~ 8-10 C/m 2 ) and low dielectric constant ( r ~ 260-300) for the first time.已经测试了以104.5 kHz为谐振频率的制造的KNN PMUT，已测试以表现出前所未有的结果：（1）在10 cm的距离为109 db/v的高声压水平（SPL）为10 cm，比基于ALN的PMUT的频率高8倍； （2）仅4伏峰峰幅度的低压操作（V P-P）； （3）良好接收灵敏度。因此，这项工作介绍了一类新的高SPL和低驾驶电压PMUT，用于在包括但不限于触觉反馈，扬声器和AR/VR系统在内的各个领域的潜在应用中。关键字
高性能应用的UWBG材料
未来的DOD系统需要更高的性能（例如，更高的输出功率RF设备，更高的功率处理开关晶体管和保护电路，高温晶体管）才能满足任务要求。正如SIC和GAN技术在超过传统SI和GAAS设备技术方面取得了进步一样，超宽的带盖（UWBG）半导体（例如Aln，CBN，CBN，Diamond，GA 2 O 3）显示了前一个RF和电力电子产品的希望。但是，这些材料和相关设备还处于起步阶段。本研讨会的目的是定义技术挑战并提高社区对这些挑战的认识。研讨会将包括对UWBG材料和设备的潜在应用和正在进行的研究概述，包括新的DARPA计划（UWBG幼苗，异质异质结构（H2）微电子探索计划），应用程序和研究由服务部门（Air Force，Air Force，Air Force，Air Force，Air Force，Air Force，Air Force Brange和Savy）以及广告商业的应用程序以及广告商的应用。研讨会以讨论独特的UWBG材料和设备挑战的讨论，以及有关潜在路径的建议。