XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search SystemAlO
引用Alozairi A，Irshad M，Alkandari J，Alsaraf H和Al-Ozairi E（2024）患者的患病率和预测因素和预测者W
中东和北非地区约有7300万成年人受糖尿病的影响（1）。在科威特，大约25％的人口居住着糖尿病（1）。 1型糖尿病的患病率在各个国家（特定的阿拉伯国家）之间有所不同，其中5-10％的糖尿病患者患有1型糖尿病（2）。 糖尿病困扰涵盖了负面的心理经历以及糖尿病患者面临的自我管理的挑战。 该术语用于描述与糖尿病管理相关的沮丧和情感困难，例如不断监测和胰岛素给药的需求，碳水化合物计数，碳水化合物计数，对潜在并发症的持续忧虑以及对个人和专业关系的恶化风险（3，4）（3，4）。 这种困扰被认为是1型糖尿病患者中最重要的心理问题之一（5）。 估计会影响糖尿病患者的三分之一（6）。 独立地，与糖尿病有关的困扰和抑郁是维持糖尿病自我保健实践的障碍。 因此，它们导致对健康指标的控制丧失（7，8）。 抑郁症是糖尿病患者的一种常见而严重的情绪障碍，可能会导致悲伤，失去兴趣，低自尊，疲劳，毫无价值的感觉和其他情绪问题的持续感受（9，10）。 此外，重度抑郁症，也称为临床抑郁症，可能会显着影响日常功能和治疗结果（11，12）。 在中进行的研究在科威特，大约25％的人口居住着糖尿病（1）。1型糖尿病的患病率在各个国家（特定的阿拉伯国家）之间有所不同，其中5-10％的糖尿病患者患有1型糖尿病（2）。糖尿病困扰涵盖了负面的心理经历以及糖尿病患者面临的自我管理的挑战。该术语用于描述与糖尿病管理相关的沮丧和情感困难，例如不断监测和胰岛素给药的需求，碳水化合物计数，碳水化合物计数，对潜在并发症的持续忧虑以及对个人和专业关系的恶化风险（3，4）（3，4）。这种困扰被认为是1型糖尿病患者中最重要的心理问题之一（5）。估计会影响糖尿病患者的三分之一（6）。独立地，与糖尿病有关的困扰和抑郁是维持糖尿病自我保健实践的障碍。因此，它们导致对健康指标的控制丧失（7，8）。抑郁症是糖尿病患者的一种常见而严重的情绪障碍，可能会导致悲伤，失去兴趣，低自尊，疲劳，毫无价值的感觉和其他情绪问题的持续感受（9，10）。重度抑郁症，也称为临床抑郁症，可能会显着影响日常功能和治疗结果（11，12）。在同样，糖尿病困扰是对糖尿病自我管理的自然情感反应，包括对治疗要求的挫败感，对潜在并发症的关注，对糖尿病管理的失败或绝望感以及减少自我保健动机的无意识（13）。一项研究表明，患有2型糖尿病患者的糖尿病和抑郁是相关的和重叠的构建体，但不能互换（12）。研究将抑郁症和糖尿病困扰与恶化的健康结果联系起来，包括升高的HBA1C水平，舒张压升高以及低密度脂蛋白胆固醇水平升高（14，15）。患有抑郁症或糖尿病困扰的人有发生微血管并发症的风险，例如视网膜病变，神经病和肾病（16）。此外，已经观察到表现出较高DD的人的过早死亡风险高1.8倍，并且患有心血管疾病的可能性增加了1.7倍（17），并且生活质量的质量降低（18）和死亡率增加（7）。旨在增强社会心理健康，美国糖尿病协会为所有糖尿病患者建立了建议将心理社会支持纳入以患者为中心的医疗服务（19）。最近的系统评价和荟萃分析报告说，E-Health干预措施可有效减少2型糖尿病患者的糖尿病困扰（20）。但是，缺乏研究1型糖尿病的阿拉伯人的抑郁症状和糖尿病困扰的同时出现的研究。此外，许多研究还记录了所有糖尿病患者的常规评估抑郁症状和糖尿病困扰的重要性（21）。
激光诱导捕获亚稳态非晶态 AlOx/C（2.5< x ≤3.5）纳米复合材料：用作固相气体发生器的意义
动力学“冻结”亚稳态纳米结构的合成仍然难以实现。这一限制严重限制了材料发现的当前范式。我们通过对异常氧化和亚稳态非晶态氧化铝 (a-AlO x ; 2.5
激光3D打印熔融生长Al 2 O 3 /GdAlO 3 /ZrO 2 共晶陶瓷中氧空位的形成机理及作用
摘要：激光三维打印已成为基于熔体生长制备高性能Al 2 O 3 基共晶陶瓷的重要技术，但氧空位是该过程中不可避免的晶体缺陷，其形成机理和在沉积态陶瓷中的作用尚不清楚。本文采用激光3D打印制备Al 2 O 3 /GdAlO 3 /ZrO 2 三元共晶陶瓷，通过精心设计的退火实验揭示了氧空位的形成机理，并研究了氧空位对凝固态共晶陶瓷结构和力学性能的影响。揭示了氧空位的形成是由于氧原子通过空位迁移机制从氧化物陶瓷中转移到缺氧气氛中，此外，氧空位的存在对增材制造共晶陶瓷的晶体结构和微观结构没有明显影响。然而这些晶体缺陷的形成会在一定程度上改变陶瓷材料的化学键性质，从而影响沉积态共晶陶瓷的力学性能。研究发现，去除氧空位后，陶瓷材料的硬度降低了3.9%，断裂韧性提高了13.3%。该结果可为调控氧化物陶瓷材料的力学性能提供一种潜在的策略。关键词：氧化物共晶陶瓷；激光3D打印；氧空位；微观结构；力学性能
带有 Ag/AlOx 钝化背反射器的超薄 Cu(In,Ga)Se2 太阳能电池
摘要：在 Ag/AlO x 堆栈上生长了 550 nm 的超薄 Cu(In,Ga)Se 2 (CIGS) 吸收层。堆栈的添加使太阳能电池的填充因子、开路电压和短路电流密度得到改善。效率从 7% 提高到近 12%。光致发光 (PL) 和时间分辨 PL 得到改善，这归因于 AlO x 的钝化特性。由于光散射和表面粗糙度增加，测量到的电流增加了近 2 mA/cm 2。利用飞行时间-二次离子质谱法测量了元素分布。发现 Ag 贯穿整个 CIGS 层。Mo 背面的二次电子显微镜图像显示了 Ag/AlO x 堆栈的残留物，这通过能量色散 X 射线光谱测量得到了证实。这被认为是导致表面粗糙度和散射特性增加的原因。在正面，可以看到带有 Ag/AlO x 背接触的电池有大片污渍。因此，在裸露的吸收层上应用了氨硫化物蚀刻步骤，将效率进一步提高到 11.7%。它显示了在背面使用 Ag/AlO x 堆栈来改善超薄 CIGS 太阳能电池的电气和光学特性的潜力。
AlOx 掺杂的单层 MoS2 中的高电流密度
摘要：半导体需要稳定的掺杂才能应用于晶体管、光电子学和热电学。然而，这对于二维 (2D) 材料来说是一个挑战，现有的方法要么与传统的半导体工艺不兼容，要么会引入时间相关的滞后行为。本文我们表明，低温 (<200 ° C) 亚化学计量 AlO x 为单层 MoS 2 提供了稳定的 n 掺杂层，与电路集成兼容。这种方法在通过化学气相沉积生长的单层 MoS 2 晶体管中实现了载流子密度 >2 × 10 13 cm − 2、薄层电阻低至 ∼ 7 k Ω / □ 和良好的接触电阻 ∼ 480 Ω · μ m。我们还在这个三原子厚的半导体上实现了创纪录的近 700 μ A/μ m (>110 MA/cm 2 ) 的电流密度，同时保持晶体管的开/关电流比 >10 6 。最大电流最终受自热 (SH) 限制，如果器件散热效果更好，最大电流可能超过 1 mA/μ m 。这种掺杂的 MoS 2 器件的电流为 0.1 nA/μ mo，接近国际技术路线图要求的几个低功率晶体管指标。关键词：2D 半导体、电流密度、掺杂、高场、自热、MoS 2 、Al 2 O 3 T
通过Alo X盖限制了双层Mose 2场效应晶体的电流密度和接触电阻
摘要：对未来电子应用的原子较薄的半导体对单层（1L）硫属（例如MOS 2）（例如化学蒸气沉积（CVD）生长）非常关注。然而，关于CVD生长的硒的电性能，尤其是Mose 2的报告很少。在这里，我们比较了CVD生长的1L和BiLayer（2L）Mose 2的电性能，并由子材料计的ALO X封顶。与1L通道相比，2L通道表现出约20倍较低的接触电阻（R C）和〜30倍的电流密度。r c通过ALO X封盖进一步降低> 5×，这可以提高晶体管电流密度。总体而言，2L ALO X盖的Mose 2晶体管（约500 nm的通道长度）可提高电流密度（在V DS = 4 V时约为65μM /μm），良好的I ON / I ON / I ON / I ON / I OFF> 10 6，R C为约60kΩ·μm。 1L设备的性能较弱是由于它们对处理和环境的敏感性。我们的结果表明，在不需要直接带隙的应用中，2L（或几层）比1L更可取，这是对未来二维电子产品的关键发现。关键字：丙象钼，单层，双层，接触电阻，晶状体效应晶体管，氧化物封盖，掺杂，2D半导体